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等离子体处理系统和方法
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申请号:00800061.1 申请日:2000-01-10
摘要:一种基片处理系统包括处理室(10)、设置在该室中的基片支架(12)、该室输送生成气体的气源(54)、位于该室中的至少一个离子源(20)和能量源,该能量源通过对阳极(30)施加正偏压和阴极(32)施加负偏压来给离子源输送能量,在每个实例中偏压都是相对于该室的。离子源使生成气体离子化以产生用于处理设置在室中的基片支架上的基片的离子。一个实施例包括两个这种离子源。在这种情况下,能量源以时分多路的方式给第一和第二阳极(30,40)和阴极(32,42)提供能量,以使在任何时候仅有一个第一或第二离子源通电,因而消除了离子源之间的相互作用。
申请人: 英特维克公司
地址: 美国加利福尼亚州
发明(设计)人: 特里·布鲁克 詹姆斯·H·罗杰斯 谢军
主分类号: C23C16/00
分类号: C23C16/00 H05H1/00
  • 法律状态
2004-07-21  授权
2002-03-27  
2001-05-02  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种基片处理系统,包括: 接地的处理室; 设置在所说的处理室中的基片支架; 与所说的处理室相连接以给所说的处理室输送生成气体的气体源; 在所说的处理室中的离子源,该离子源对所说的生成气体进行离子 化以产生用于处理设置在正对着所说的离子源的所说的基片支架中的基 片表面的离子,所说的离子源包括第一阳极和第一电子源; 能量源,该能量源对所说的阳极、所说的电子源和所说的基片施加 偏压以使在所说的基片支架上的基片和所说的阳极偏置到正电压的电平 而同时所说的电子源偏置到负电压。
公开号  1293717A
公开日  2001-05-02
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人  李德山
颁证日  
优先权  1999.1.22 US 09/235,943
国际申请  PCT.US00/00545 2000.1.10
国际公布  WO00.43566 英 2000.7.27
进入国家日期  2000.09.21