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分类号 含义
C 化学、冶金
C30 晶体生长
C30B 单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
1/00 直接自固体的单晶生长
1/02 .热处理法,例如应变退火
1/04 ..等温重结晶
1/06 ..温度梯度下的重结晶
1/08 ...区熔重结晶
1/10 .固相反应法或多相扩散法
1/12 .生长期间的压力处理法
11/00 正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长,例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
11/02 .不使用溶剂的
11/04 .熔体中添加结晶化材料或添加在反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
11/06 ..至少有一种但非晶体成分之全部组分是添加的
11/08 ..晶体成分的所有组分均是在结晶化过程中添加的
11/10 ...固态组分或液态组分,例如焰熔法
11/12 ...气化态组分,例如气化相—液相—固相生长
11/14 .以籽晶为特征的
13/00 区域熔融法单晶生长;区域熔融法精炼
13/02 .用溶剂的区域熔化,例如移动溶剂法
13/04 .区熔匀化法的均质化
13/06 .不遍及整个横截面的熔融区
13/08 .熔融区中添加结晶化材料或添加在反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
13/10 ..同时添加掺杂材料的
13/12 ...以气态或气化态的
13/14 .坩埚或舟皿
13/16 .熔融区的加热
13/18 ..接触或浸入熔融区域的加热元件
13/20 ..感应法,例如热线式法
13/22 ..辐射法或放电法
13/24 ...使用电磁波的
13/26 .熔融区的搅拌
13/28 .控制或调节
13/30 ..熔融区的稳定化或形状控制,例如用浓缩器的、用电磁场的;控制晶体截面的
13/32 .移动装料或加热器用的机构
13/34 .以籽晶为特征的
15/00 熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
15/02 .向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
15/04 ..添加掺杂材料,例如用于n-p结的
15/06 .非垂直提拉
15/08 .下拉
15/10 .承载熔融液的坩埚或容器
15/12 ..双坩埚法
15/14 .熔融液或已结晶化材料的加热
15/16 ..辐照法和放电法
15/18 ..除其他加热方法以外用直接电阻加热法,例如使用珀尔帖加热的
15/20 .控制或调节
15/22 ..被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制;晶体截面的控制
15/24 ...使用机械装置,例如成形导模的
15/26 ...使用电视摄像机的;使用光检测器或X射线检测器的
15/28 ...利用晶体或熔体重量变化的,例如浮称法
15/30 .转动或移动熔体或晶体的机构
15/32 .籽晶夹持器,例如籽晶夹头
15/34 .使用成型模或缝隙的边缘限制熔膜供料的晶体生长
15/36 .以籽晶,例如其结晶取向为特征的
17/00 生长期间籽晶保留在熔融液中的单晶生长,例如Necken-Kyropoulos法
19/00 液相外延层生长
19/02 .使用熔融态溶剂,如助溶剂的
19/04 ..晶体组分之一是溶剂的
19/06 .反应室;承载熔融液的舟皿;衬底夹持器
19/08 .反应室或衬底的加热
19/10 .控制或调节
19/12 .以衬底为特征的
21/00 共晶材料的定向凝固
21/02 .正常浇铸法或温度梯度凝固法
21/04 .区域熔融法
21/06 .熔融液提拉法
23/00 冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
23/02 .外延层生长
23/04 ..图案沉积,如使用掩模的
23/06 ..沉积室、衬底或欲蒸发材料的加热
23/08 ..电离气化物的冷凝法
25/00 反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
25/02 .外延层生长
25/04 ..图案沉积,例如使用掩膜的
25/06 ..反应溅射法的
25/08 ..反应室;其所用材料的选择
25/10 ..反应室或衬底的加热
25/12 ..衬底夹持器或基座
25/14 ..气体供给或排出用的装置;反应气流的变换
25/16 ..控制或调节
25/18 ..以衬底为特征的
25/20 ...与外延层材料相同的衬底
25/22 ..夹层的工艺方法
27/00 保护流体下的单晶生长
27/02 .自熔融液的提拉法
28/00 制备具有一定结构的均匀多晶材料
28/02 .由固态直接制备
28/04 .由液态制备
28/06 ..正常凝固法或温度梯度凝固法
28/08 ..区熔法
28/10 ..自熔体的提拉法
28/12 .由气态直接制备
28/14 ..用反应气体的化学反应法
29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
3/00 共析材料的定向分层
30/00 利用电场、磁场、波能或其他特定物理条件的作用为特征来制备单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
30/02 .用电场的,例如电解法
30/04 .用磁场的
30/06 .用机械振荡的
30/08 .在微重力或零重力条件下的
31/00 单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺;其所用装置
31/02 .同固态扩散材料接触的
31/04 .同液态扩散材料接触的
31/06 .同气态扩散材料接触的
31/08 ..扩散材料为被扩散元素之化合物的
31/10 ..反应室;其所用材料的选择
31/12 ..反应室的加热
31/14 ..衬底夹持器或基座
31/16 ..气体供给或排出的装置;气流的变换
31/18 ..控制或调节
31/20 .电磁波辐照或粒子辐射法掺杂
31/22 ..离子注入法
33/00 单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理
33/02 .热处理
33/04 .用电场或磁场或粒子辐射
33/06 .晶体的接合
33/08 .侵蚀
33/10 ..在溶液或熔体内
33/12 ..在气体气氛或等离子体内
35/00 单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之生长、制备或后处理专用的一般装置
5/00 凝胶的单晶生长
5/02 .添加掺杂材料的
7/00 常温液态溶剂之溶液,例如水溶液的单晶生长;用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B 11/00;在保护流体下的入C30B 27/00)
7/02 .溶剂蒸发法
7/04 ..用水溶剂的
7/06 ..用非水溶剂的
7/08 .溶液冷却法
7/10 .加压法,例如水热法
7/12 .电解法
7/14 .由溶液中的化学反应生成的结晶化材料
9/00 使用熔融态溶剂之熔体的单晶生长
9/02 .熔融态溶剂的蒸发法
9/04 .熔融溶液冷却法
9/06 ..使用晶体组成之一种组分作溶剂的
9/08 ..使用其他溶剂的
9/10 ...金属溶剂
9/12 ...盐溶剂,例如助熔剂生长
9/14 .电解法