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11/00 |
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长,例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法 |
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11/04 |
.熔体中添加结晶化材料或添加在反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的 |
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13/08 |
.熔融区中添加结晶化材料或添加在反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的 |
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13/30 |
..熔融区的稳定化或形状控制,例如用浓缩器的、用电磁场的;控制晶体截面的 |
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15/00 |
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法 |
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15/02 |
.向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的 |
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15/18 |
..除其他加热方法以外用直接电阻加热法,例如使用珀尔帖加热的 |
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15/22 |
..被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制;晶体截面的控制 |
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15/26 |
...使用电视摄像机的;使用光检测器或X射线检测器的 |
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17/00 |
生长期间籽晶保留在熔融液中的单晶生长,例如Necken-Kyropoulos法 |
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25/00 |
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长 |
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29/00 |
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料 |
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30/00 |
利用电场、磁场、波能或其他特定物理条件的作用为特征来制备单晶或具有一定结构的均匀多晶材料 |
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31/00 |
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺;其所用装置 |
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35/00 |
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之生长、制备或后处理专用的一般装置 |
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7/00 |
常温液态溶剂之溶液,例如水溶液的单晶生长;用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B 11/00;在保护流体下的入C30B 27/00) |
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