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[实用新型] 稳压式电子功率开关 - 200520016199.3
无权-届满

申请人:项青松 - 申请日:2005-04-18 - 主分类号:H03K17/687(2006.01)I
分类号:H03K17/687(2006.01)I H03K17/08(2006.01)I H02J7/14(2006.01)I
摘要:本实用新型涉及一种稳压型电子功率开关,具体 地说是一种由场效应管构成的电子功率开关,主要用于电动车 辆充放电的控制。它由电子功率开关电路(1),开关驱动电路(2) 构成,由开关晶体管构成的开关电路串连在主电源电路中,开 关晶体管的控制极连接驱动电路(2);驱动电路(2)的输入端与开 关控制电路(3)连接,其输出端连接有稳压电路(4);所述开关控 制电路(3)由R-S触发器构成,其工作电源 (VDD1)与主电源 (VDD2)为不同的电源供给。由于 本实用新型采用了电子稳压电路、开关控制电路与主电源电路 电源隔离、短路保护电路等设计,使得主电源电路电压波动范 围大小都能可靠控制电路开启和关断,并且保证电路的安全。
被引用[1]:CN103812484A   
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[实用新型] 一种交流信号控制的直流电子开关 - 200520066526.6
无权-未缴年费

申请人:李鸿 - 申请日:2005-10-26 - 主分类号:H03K17/687(2006.01)I
分类号:H03K17/687(2006.01)I
摘要:本实用新型公开了一种交流信号控制的直流电子开关。从电压输入端输入交流电压,通过变压器和整流电路变压整流形成直流电压,然后控制MOS场效应管的栅极,构成交流信号控制的直流电子开关。可以用于数字万用表、数字钳形表和数字面板表等的电子开关,以替代上述数字仪表的功能拨盘,形成智能型的自动量程数字仪表。采用了本实用新型的设计的数字仪表,可以做到体积小、成本低、功耗小、可靠性高。
被引用[3]:US9024532B2 - CN101839931A - CN102968965A   
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[实用新型] 具有漏电流保护的供电开关电路 - 200520106584.7
无权-未缴年费

申请人:环隆电气股份有限公司 - 申请日:2005-08-30 - 主分类号:H03K17/687(2006.01)I
分类号:H03K17/687(2006.01)I H02H3/14(2006.01)I
摘要:本实用新型为一种具有漏电流保护的供电开关电路,使用于一电子装置中,可在高温环境下防止漏电流所造成的误动作,其特征在于,一具有一射极端、一基极端及一集极端的晶体管,晶体管的射极端连接到一电压源,集极端通过一顺向二极管连接到一负载;一具有一漏极端(drain)、一源极端及一栅极端的场效晶体管,场效晶体管的漏极端(drain)接收一触发讯号且源极端通过至少二个串接二极管连接到一参考端,栅极端通过一第二电阻连接到该晶体管的该集极端;及一第三电阻,一端连接于该场效晶体管的栅极端,另一端连接于该参考端。
被引用[1]:CN102497158A   
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[实用新型] 高速高压开关 - 200520048006.2
无权-未缴年费

申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所 - 申请日:2005-12-27 - 主分类号:H03K17/687(2006.01)I
分类号:H03K17/687(2006.01)I
摘要:一种高可靠性串联倍压式高速高压开关,是基于多级场效应晶体管连接而成的,构成包括:第1级由一个场效应管、三个电阻和一个电容构成;第2级至第n级第n级由第n场效应管、第n1电阻、第n2电阻、第n3电阻、第n1电容、第n2电容构成,对元器件的耐压要求低,通过多级串联倍压,输出脉冲电压幅度高。调节偏置高压,可输出不同幅度的脉冲高压,而且调节范围宽。本实用新型的高速高压开关具有体积小、成本低、调节范围宽、稳定可靠的特点,可用于电光调Q开关、脉冲式粒子加速/偏转测试、高能物理、医疗、雷达及微波等领域。
被引用[2]:CN100452653C - CN102957406A   
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[发明] 数字差动放大控制装置 - 200480015617.5
无权-未缴年费

申请人:精工爱普生株式会社 - 申请日:2004-06-03 - 主分类号:H03K17/687(2006.01)I
分类号:H03K17/687(2006.01)I H03K17/16(2006.01)I H03K19/00(2006.01)I H02M7/48(2006.01)I
摘要:具有:差动放大控制用数字数据形成单元(202);差动控制单元(204),其将从该数据形成单元发送的由矩形波形成的A相信号和反转该A相信号而得到的B相信号分开发送;以及校正单元(214,216),其对所述A相信号和B相信号中的至少一方进行校正,使得所述A相信号与B相信号之间没有交点。
同族[6]:US2006139095A1 - WO2004109919A1 - EP1630962A1 - EP1630962A4 - JP2004364438A - CN100405740C  >>更多 - 什么是同族
引用[8]:US6232806B1 - JP2000031810A - JP2003133953A - JP2003189683A - JPH05298886A - JPH08266070A ...   
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[发明] MOS开关电路 - 200480040638.2
无权-视为撤回
权利转移

申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司 - 申请日:2004-12-30 - 主分类号:H03K17/687(2006.01)I
分类号:H03K17/687(2006.01)I
摘要:一种电子电路,具有通过开关电路连接的一个信号导体(11)和一个电源参考导体(10)。该开关电路包括实现于共同衬底(100)上的一个PMOS晶体管(17)和一个NMOS晶体管(10)。该PMOS晶体管(17)的源极和该电源参考导体(10)连接。该NMOS晶体管(18)的源极和PMOS晶体管(17)的漏极连接,其漏极和信号导体(11)连接。控制电路(13、14、15、16)在“开”和“关”状态间切换,其中控制电路(13、14、15、16)控制第一和第二MOS晶体管(17、18)的栅源电源,以分别使这些MOS晶体管(17、18)的沟道导通或者使这些第一和第二晶体管(17、18)的沟道不导通。优选情况下,还提供一个互补开关电路。该互补开关电路使用极性相反的电压差,一个和第二电源连接的NMOS晶体管(27)和一个和信号导体连接的PMOS晶体管(28)。该开关电路的开电阻通过匹配NMOS晶体管的栅源电压以及PMOS晶体管的栅源电压实现匹配。
同族[9]:US2007159229A1 - US7482860B2 - WO2005078931A1 - EP1709741A1 - EP1709741B1 - DE602004016051D1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[17]:US2003151945A1 - US2004095182A1 - US2005200400A1 - US2006049860A1 - US2007063763A1 - US2007159239A1 ...   
被引用[18]:US2016056816A1 - US8588004B2 - US8638132B2 - US8648629B2 - US8710874B2 - US8749099B2 ...   
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[发明] 多用途缓冲垫的负电压抗噪声电路及其方法 - 200610087051.8
无权-未缴年费

申请人:钰创科技股份有限公司 - 申请日:2006-06-14 - 主分类号:H03K17/687(2006.01)I
分类号:H03K17/687(2006.01)I H03K17/693(2006.01)I H03K19/0185(2006.01)I
摘要:一种集成电路芯片的抗噪声多用途输入/输出缓冲垫(I/O PAD)的电路及其方法。此电路包括有一常态模式节点及一测试模式内部节点,分别用以连接一常态模式电路及一测试模式电路,且输入/输出缓冲垫是藉由复数个转换组件而分别电性连接常态模式电路及测试模式电路,此外,尚设有一第三转换组件、一负载组件及一中间内部节点,可藉由各构件的作用,而有效避免输入/输出缓冲垫在常态模式下,因输入负电压振荡的故而令连接测试模式电路的转换组件误开启而导通,致使芯片失效。
同族[5]:US2007063729A1 - US7514951B2 - CN100502242C - TW200713823A - TWI322568B  >>更多 - 什么是同族
引用[3]:US4893029A - US6812595B2 - US6826025B2   
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[发明] 用于高压双向半导体开关的驱动电路 - 200610072438.6
无权-视为撤回

申请人:国际整流器公司 - 申请日:2006-04-13 - 主分类号:H03K17/687(2006.01)I
分类号:H03K17/687(2006.01)I H03K17/00(2006.01)I
摘要:根据本申请一个实施例的用于使用双向半导体开关的半桥的驱动电路,其包括一个可操作来控制一个高压侧双向半导体开关的高压侧驱动器,其中高压侧驱动器向高压侧双向半导体开关提供负偏压,以便使该高压侧双向半导体开关关断。一个低压侧驱动器可操作来控制一个低压侧双向半导体开关。可以设置一个外部电压电源,该电压电源的负极端子连接至高压侧驱动器。一个高压侧驱动开关可以置于电压电源负极端子与高压侧驱动器之间,并可操作来在低压侧驱动器使低压侧双向半导体开关导通时使高压侧驱动器连接至电压电源的负极端子。
同族[7]:US2006279351A1 - US2011181252A1 - US7928702B2 - US8193786B2 - DE102006017242A1 - JP2006352839A ...  >>更多 - 什么是同族
被引用[1]:CN105009430A   
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[发明] 负载驱动装置 - 200610143943.5
无权-驳回

申请人:矢崎总业株式会社 - 申请日:2006-11-07 - 主分类号:H03K17/687(2006.01)I
分类号:H03K17/687(2006.01)I H03K17/08(2006.01)I H03K17/0814(2006.01)I
摘要:一种在驱动电路的控制下,通过使半导体开关导通/截止,对驱动负载和使负载停止进行控制的负载驱动装置,包括:过电流检测单元,用于将在半导体器件的第一电极与第二电极之间流过电流时产生的电极间电压与规定的判定电压进行比较,而且在电极间电压大于该判定电压时,判定过电流流过半导体器件;以及诊断单元,用于对在半导体器件处于导通状态的情况下,过电流检测单元是否正常工作进行诊断。在诊断单元判定过电流检测单元不正常工作时,该诊断单元将用于截止该半导体器件的指示信号输出到该驱动电路。
同族[8]:US2007103832A1 - US7457089B2 - EP1783886A2 - EP1783886A3 - JP2007134780A - JP4643419B2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[13]:US2005237689A1 - US2006001687A1 - US2006187604A1 - US2006268484A1 - US5909112A - US6504697B1 ...   
被引用[66]:US10078104B2 - US10135234B2 - US10225904B2 - US10251229B2 - US10312804B2 - US10568170B2 ...   
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[发明] 具有经减小的开关电阻和更低的制造成本的电流限制双向MOSFET开关 - 200610163979.X
有权

申请人:万国半导体股份有限公司 - 申请日:2006-11-29 - 主分类号:H03K17/687(2006.01)I
分类号:H03K17/687(2006.01)I H01L29/66(2006.01)I
摘要:一种基于开关来控制MOSFET的电路和方法,该MOSFET基开关包括两个背靠背FET,以便在OFF状态不考虑该开关两端的电压差的极性阻断电流。该MOSFET基开关进一步具有通过检测流过该两个MOSFET开关中的一个开关的电流实现的内置的电流限制功能。另外,该双向电流限制开关进一步包括控制共漏或共源结构的P型和N型FET所需的电路。
同族[5]:US2007127182A1 - US7457092B2 - CN1980059B - TW200723683A - TWI326974B  >>更多 - 什么是同族
引用[5]:US3532899A - US4429339A - US5359552A - US6160693A - US7102951B2   
被引用[20]:US2008204958A1 - US2010045307A1 - US2010173182A1 - US2013043538A1 - US2013257492A1 - US2014029152A1 ...   
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