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[发明] SC电路结构 - 200410095028.4
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申请人:因芬尼昂技术股份公司 - 申请日:2004-11-22 - 主分类号:H03K17/687
分类号:H03K17/687
摘要:本发明涉及一种使用深亚微米集成技术的线性SC电路结构,其具有:至少一个开关电容电路,该开关电容电路连接至一供输入一输入信号的输入端且具有至少一个可开关电容器及至少一个第一晶体管;一用于直接启动这些第一晶体管的控制电路;及一具有第二晶体管且布置于该开关电容电路下游的输出级,其中这些第一晶体管为厚氧化层晶体管形式且具有一高于第二晶体管的耐受电压。
同族[4]:US2005156654A1 - US7339415B2 - DE10357785B3 - CN100454761C  >>更多 - 什么是同族
引用[15]:US4716319A - US5541531A - US5594380A - US5945872A - US6060937A - US6118326A ...   
被引用[8]:US2007001743A1 - US2010002478A1 - US2010176887A1 - US2012231752A1 - US2013135037A1 - US7304530B2 ...   
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[发明] 高频信号开关 - 03804503.6
无权-未缴年费
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申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司 - 申请日:2003-01-21 - 主分类号:H03K17/687
分类号:H03K17/687
摘要:一种电子信号处理装置具有信号开关,该信号开关具有常规导通类型的第一和第二晶体管,这两个晶体管分别具有在内部节点与开关输入端和输出端之间耦合的主电流沟道。二极管在内部节点和地之间提供可转换的信号耦合。开关控制电路具有控制输出端,该控制输出端通过内部节点与第一和第二晶体管的主电流沟道耦合,以便控制主电流沟道的导通。该二极管还与内部节点DC耦合,从而利用该内部节点的电势来确定该二极管的接线端的DC电势,该DC电势可以控制二极管的导通和截止。该二极管最好被集成在从控制输出端到内部节点之间的DC电流路径中,这样当施加了可以使主电流沟道非导通的控制电压时,可以使该二极管正向偏置。
同族[12]:US2005118961A1 - US7268606B2 - WO03071680A1 - EP1481478A1 - EP1481478B1 - DE60330121D1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[18]:US2004595847A1 - US4595847A - US4628307A - US4808859A - US5448207A - US5777530A ...   
被引用[6]:US2007139119A1 - US2010277348A1 - US8421651B2 - US8519807B2 - US8526883B2 - WO2009003863A1   
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[发明] 消除信号中漏电的电路装置 - 200410015124.3
无权-未缴年费

申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 鸿海精密工业股份有限公司 - 申请日:2004-01-10 - 主分类号:H03K17/687
分类号:H03K17/687
摘要:一种消除信号中漏电的电路装置,包括至少一消除漏电的电路单元,该消除漏电的电路单元包括有一场效应晶体管,该场效应晶体管的源极与一带有漏电的信号线相连,其闸极通过一电阻R1与直流电源串接,其汲极通过一电阻R2与直流电源串接,其汲极通过输出端输出已消除了漏电的信号。利用本发明的电路装置,可降低消除漏电流所需的费用,并能保证原信号线的功能与高低准位不会被改变。
同族[1]:CN100446420C  >>更多 - 什么是同族
引用[6]:US4862018A - US5140194A - US6323701B1 - US6424174B1 - CN1280454A - CN1310502A   
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[发明] 开关装置 - 03810921.2
无权-撤回

申请人:松下电器产业株式会社 - 申请日:2003-06-20 - 主分类号:H03K17/687
分类号:H03K17/687
摘要:本发明的开关装置(10)具有三个连接用端子(P1、P2、P3)和两个相同沟道型FET(111、121),两个FET的一对主端子的一个分别经直流阻止用电容性元件(Cb)连接到第一连接用端子,另一个连接到第二和第三连接用端子,将第一偏压电压(Vb1)提供给第一FET的栅极,将第二偏压电压(Vb2)提供给第二FET的一对主端子,通过两值的控制电压(Vc)提供给第一FET的一对主端子和第二FET的栅极,从而电切换连接第一连接用端子和第二或第三连接用端子。
同族[5]:US2004183583A1 - US6967517B2 - WO2004019493A1 - JPWO2004019493A1 - AU2003244130A1  >>更多 - 什么是同族
引用[30]:US4890077A - US5345123A - US5519634A - US5767721A - US5903178A - US5917362A ...   
被引用[25]:US10305577B2 - US10504884B2 - US2004141163A1 - US2006267666A1 - US2008215243A1 - US2011140179A1 ...   
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[发明] 高频开关电路 - 03811213.2
无权-未缴年费

申请人:日本电气株式会社 - 申请日:2003-05-19 - 主分类号:H03K17/687
分类号:H03K17/687 H01P1/15 H04B1/44 H04B1/18
摘要:一种高频开关电路具有多个高频开关,用于根据作为控制信号施加的控制电位在输入端和输出端之间传递信号和阻止信号;高频检测端,用于检测通过处于导通状态的高频开关的高频信号;以及升压电路,用于产生提高施加于处于导通状态的高频开关上的控制电位的电位,以便根据检测的高频信号的强度或振幅提高施加于处于导通状态的高频开关的控制电位和施加于处于断开状态的高频开关的控制电位之间的差。
同族[7]:US2005179506A1 - US7345521B2 - WO03098805A1 - JP2004048692A - JP4009553B2 - CN100338878C ...  >>更多 - 什么是同族
引用[10]:US5554892A - US6853235B2 - US6987414B2 - US7023258B2 - US7106121B2 - JPH06140898A ...   
被引用[70]:US10211830B2 - US10236872B1 - US10270437B2 - US10320379B2 - US10447344B2 - US10454529B2 ...   
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[发明] 转换器电路及其控制方法 - 03822177.2
无权-视为放弃

申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司 - 申请日:2003-09-17 - 主分类号:H03K17/687
分类号:H03K17/687 H02M3/158 H02M1/00
摘要:在已知的转换器电路中,会发生由续流二极管的反向恢复电流引起的开关损失。为了减少所述开关损失,本发明提出了驱动开关元件以便在从第二开关元件向第一开关元件进行切换时控制定时,其中通过电流和续流二极管的导通保持在低数值或者最好消除冲击。关于控制机理,提出了如果发生冲击通过电流就更迟地接通第一开关元件,并且如果产生续流二极管的导通就更早地接通第一开关元件。这里,可以提供其间两个开关元件同时导通的重叠时间。对于控制机理,可以利用开关元件上的电压来作为测量的输入值。
同族[9]:US2005258889A1 - US7141957B2 - WO2004027993A2 - WO2004027993A3 - WO2004027993A8 - EP1547247A2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[9]:US2001036085A1 - US2002105311A1 - US5408150A - US5479089A - US5539630A - US6028418A ...   
被引用[58]:US10063138B1 - US10135240B2 - US10186946B2 - US10200030B2 - US10319648B2 - US10523118B2 ...   
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[发明] 双向双NMOS开关 - 03824762.3
无权-未缴年费
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申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司 - 申请日:2003-09-22 - 主分类号:H03K17/687
分类号:H03K17/687
摘要:一种半导体开关,包括两个以反串联设置耦合的NMOS晶体管、耦合到NMOS晶体管的栅极的栅极控制电路。NMOS晶体管的漏极是互连的,栅极控制电路耦合到漏极互连。所需的芯片面积是已有的开关的一半。将栅极泵送至更高的电压可以引起NMOS晶体管的尺寸的进一步减小。另外有利于在NMOS晶体管的源极之间允许大范围的输入和输出电压,源极分别充当开关的输入和输出,从而可以使开关应用于广泛的技术领域。
同族[8]:US2006043499A1 - US7199640B2 - WO2004040761A1 - EP1559194A1 - JP2006505169A - KR20050061574A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[12]:US5705911A - US5783322A - US5789900A - US5883495A - US5939908A - US6548916B1 ...   
被引用[117]:US10042376B2 - US10043896B2 - US10043898B2 - US10063138B1 - US10073482B2 - US10199217B2 ...   
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[发明] 半导体集成电路 - 200480000034.5
有权
权利转移

申请人:松下电器产业株式会社 - 申请日:2004-02-19 - 主分类号:H03K17/687
分类号:H03K17/687 H03K19/094 H01L27/088
摘要:一种半导体集成电路,主电路(2)由源极和基板电位分离的MOS晶体管构成。基板电位控制电路(1),控制主电路(2)的MOS晶体管的基板电位,以便使构成主电路(2)的MOS晶体管的实际饱和电流值,成为在主电路(2)的动作电源电压(Vdd)之下的目标饱和电流值(Ids)。所以,即使半导体集成电路的动作电源电压成为低电压化,也能抑制动作速度的离差。
同族[6]:US2005162212A1 - US7498865B2 - WO2004077673A1 - JP3838655B2 - JPWO2004077673A1 - CN100340062C  >>更多 - 什么是同族
引用[25]:US2002100921A1 - US2003197546A1 - US2004070440A1 - US2004135621A1 - US2005052219A1 - US2005093611A1 ...   
被引用[26]:US2007115029A1 - US2008001668A1 - US2008054262A1 - US2008088356A1 - US2010026391A1 - US2010109756A1 ...   
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[发明] 半导体开关 - 200480000867.1
无权-未缴年费
更正

申请人:三垦电气株式社 - 申请日:2004-05-28 - 主分类号:H03K17/687
分类号:H03K17/687 H03K17/06 H03K17/10
摘要:一种半导体开关,其由串联连接常开通型FETQ3与第1以及第2常关断型FETQ1、Q2而构成,其特征在于,将上述常开通型FET Q3连接在上述第1常关断型FET Q1与上述第2常关断型FET Q2之间。
同族[6]:US2005225373A1 - US7245175B2 - WO2005002054A1 - JP3849712B2 - JPWO2005002054A1 - CN100359805C  >>更多 - 什么是同族
引用[7]:US3521087A - US5748025A - US6580306B2 - JPH0575110A - JPH08321759A - JPH10261945A ...   
被引用[37]:US10003331B2 - US10218350B2 - US10559678B2 - US2006268476A1 - US2007152820A1 - US2009167411A1 ...   
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[实用新型] MOS直流固态继电器 - 200420019474.2
无权-无权
无效程序

申请人:曹骥 - 申请日:2004-01-14 - 主分类号:H03K17/687
分类号:H03K17/687 H03K17/691
摘要:一种MOS直流固态继电器,包括输入端子、控制回路、开关回路、输出端子,所述的控制回路包括以三极管Q1为中心的振荡电路、磁隔离变压器T1、以二极管D2为中心的整流电路;所述的开关电路是MOSFET开关管;所述的振荡电路设置在输入端子与磁隔离变压器T1的原边之间,变压器T1的副边与MOSFET管Q2之间设有整流电路,MOSFE管Q2的漏极接输出端子正极,MOSFET管Q2的源极接输出端子负极。本实用新型提供了一种新型的MOS直流固态继电器,隔离电路采用磁隔离变压器T1,开关电路采用MOSFET开关管,可以同时满足控制信号电压低电流小、工作可靠性高、正向导通电阻小的要求,同时使用寿命较长。
被引用[4]:WO2019062262A1 - CN106817025A - CN107707229A - CN110071641A   
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