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[发明] 固态继电器 - 98102682.6
无权-未缴年费

申请人:松下电工株式会社 - 申请日:1998-06-30 - 主分类号:H03K17/687
分类号:H03K17/687
摘要:一种由一对LDMOSFET串联组成的固态继电器具有最小的输出电容。每一LDMOSFET都是SOI(绝缘体上硅)的结构,它由设在支撑板上的硅衬底、硅衬底上的埋入氧化层以及埋入氧化层上的硅层组成。在硅层全深度扩散的井区有与埋入氧化层接触的底,使井区只在邻近沟道的小区处与硅层形成P-N界面。由于缩小了P-N界面以及埋入氧化层与硅层相比表现出很低的电容,因而就有可能为降低非导通条件下继电器的输出电容而大量降低漏-源电容。
同族[28]:US6211551B1 - US6373101B1 - US6580126B1 - EP0892438A2 - EP0892438A3 - EP0892438B1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[21]:US4864126A - US5126827A - US5286995A - US5378912A - US5382818A - US5554872A ...   
被引用[50]:US2003057502A1 - US2003178622A1 - US2005179081A1 - US2005184341A1 - US2007274110A1 - US2008079078A1 ...   
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[发明] 输出缓冲器控制电路 - 99102996.8
无权-视为放弃
权利转移

申请人:日本电气株式会社 - 申请日:1999-03-12 - 主分类号:H03K17/687
分类号:H03K17/687 H03K19/0185
摘要:一种输出缓冲器控制电路,包括:多个电压源端,其上分别输入有电压值相互不同的直流电压;绝缘栅场效应晶体管,用于为输出端提供电流;电压选择装置,用于从所述多个电压源端上的输入直流电压中选出一个电压;装置,响应待输出至外层部分的源输出信号而将所述电压选择装置的输出电压以与所述源输出信号周期相同的形式输入至所述绝缘栅场效应晶体管的栅极。
同族[7]:US6133756A - EP0942534A2 - EP0942534A3 - JP3138680B2 - JPH11261391A - KR100358868B1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[8]:US4733105A - US5144165A - US5521530A - US5534801A - US5583454A - US6060905A ...   
被引用[13]:US10580380B2 - US2007262790A1 - US2010264976A1 - US7449917B2 - US7859343B2 - US7884644B1 ...   
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[实用新型] 电源关断控制器 - 98202910.1
无权-未缴年费

申请人:北京兆唐科技有限公司 - 申请日:1998-03-31 - 主分类号:H03K17/687
分类号:H03K17/687
摘要:本实用新型涉及一种电源关断控制器,用于高电压、大电流的大功率开关电源设备中。包括由光电耦合隔离电路构成的关机状态控制电路和由脉宽调制控制电路、晶体管开关电路、电源变压器及若干组整流电路连接构成的开关电源电路。光电耦合隔离电路输入端连接计算机输出端,整流电路输出端连接设备中集成芯片及功率器件的供电端。本控制器将传统的对设备电源关机改进为对芯片的工作电源关机,可节电并提高设备工作可靠性。
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[发明] 电子模拟开关 - 98807331.5
无权-未缴年费
权利转移

申请人:艾利森电话股份有限公司 - 申请日:1998-07-13 - 主分类号:H03K17/687
分类号:H03K17/687
摘要:一种形成于半导体衬底上的模拟开关,包括:输入和输出端口(204,205);第一增强型MOS晶体管(201),形成在衬底材料的隔离阱中,其栅极(G)被连接以接收控制信号(207),其导电沟道的一端(S)及其阱(W)连接输入端口(204)。第二增强型MOS晶体管(202),形成在衬底(50)中的隔离阱中,其导电沟道的一端(S)及其阱连接输入端口(204),其栅极(G)连接第一晶体管(201)导电沟道(D)的另一端。第三增强型MOS晶体管(203),形成在衬底中的隔离阱中,其栅极(G)被连接以接收所述控制信号的补码(208),其导电沟道(D,S)连接在输出端口(205)和第二晶体管(202)导电沟道的另一端(D)之间,其阱(W)连接开关的电源线(OV)之一。控制装置(210),连接到第二晶体管(202)的栅极(G),用于保持第二晶体管(202)与第一晶体管(201)处于相反状态。
同族[17]:US6046622A - WO9904493A1 - EP0995269A1 - EP0995269B1 - DE69803073D1 - DE69803073T2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[15]:US4513212A - US4565960A - US4857984A - US4988894A - US5065057A - US5369312A ...   
被引用[17]:US2005139931A1 - US2008204114A1 - US6404267B1 - US6441677B1 - US6535046B2 - US6605977B2 ...   
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[发明] 电子电路及其制造方法 - 98813482.9
无权-未缴年费
权利转移

申请人:艾利森电话股份有限公司 - 申请日:1998-12-04 - 主分类号:H03K17/687
分类号:H03K17/687
摘要:一种电子线路包含具有给定不精确度标称电导的第一电子元件,该电路还包含至少一个和元件并联的附加场效应晶体管,该电子线路的电导是可调节的。所有场效应晶体管的源极接至公共源极,所有场效应晶体管的漏极接至公共漏极,并且控制单元单独控制每个场效应晶体管的树极电压。最好通过将每个场效应晶体管的栅极电压接至公共栅极或公共源极来控制栅极电压。元件可用于构成开关或放大器,或者控制与本发明中电子线路串联的、包含其它电子元件的电路的电导。
同族[13]:US6181190B1 - WO9929040A1 - EP1044503A1 - JP2001525626A - JP4027594B2 - KR20010024692A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[11]:US4129792A - US4719369A - US5359239A - US5422588A - US5552744A - US5589789A ...   
被引用[15]:US2006167568A1 - US2008122063A1 - US2008238201A1 - US2008315683A1 - US2009237000A1 - US2015364922A1 ...   
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[发明] 采用两个晶体管的双向开关的控制系统 - 00124095.1
无权-视为撤回

申请人:EM微电子马林有限公司 - 申请日:2000-08-21 - 主分类号:H03K17/687
分类号:H03K17/687 H02H3/08
摘要:一种由反向串联亦即源极接源极或漏极接漏极 的一对MOSFET功率晶体管(210, 220)形成的双向开关(20)的控 制系统包括控制装置(50), 它使功率晶体管(210, 220)的导通状 态得以控制, 功率晶体管中的一个或另一个能够设置的“OFF” 状态, 以便中断流过开关(20)的电流(ICHG, IDISCHG)。控制系统包括耦合装置(SWCPL, 510), 当开关(20)切换到接通时, 它使处于“ON”状态的功率晶体管的栅极(211; 221)至少能够临时地与处于“OFF”状态的功率晶体管的栅极(221, 211)连接。
同族[8]:US6259306B1 - EP1079525A1 - EP1079525B1 - DE69939535D1 - JP2001111403A - AT408272T ...  >>更多 - 什么是同族
引用[12]:US5138186A - US5574633A - US5610495A - US5764032A - US5789902A - US5808502A ...   
被引用[54]:US10213264B2 - US2004075965A1 - US2004233604A1 - US2005017688A1 - US2005068706A1 - US2005082914A1 ...   
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[发明] 绝缘栅功率半导体的栅极驱动 - 99807331.8
无权-视为撤回

申请人:南岛分立有限公司 - 申请日:1999-06-11 - 主分类号:H03K17/687
分类号:H03K17/687
优先权:1998.6.12 NZ 330687
摘要:揭示了一种用于控制绝缘栅半导体开关(更具体来说是MOSFET和绝缘栅双极晶体管器件(IGBT))的电流和电压开关轨道的方法。在开关式电源中使用MOSFET和IGBT是因为它们易于驱动,且有能力以高开关频率处理高电流和电压。然而,这两种器件的开关轨道都导致功率变换器所产生的共模电磁发射和换向单元中的功耗。本发明使用具有栅极充电(或放电)电流反馈的混合电压/电流系统信号源,以动态地独立控制绝缘半导体器件的漏极电流和漏极电压。通过横过跨导曲线的电压源来控制漏极电流的变化速率,而通过反馈引起的电流源中的动态变化来控制漏极电压的变化速率。
同族[13]:US6556062B1 - WO9965144A1 - EP1105970A1 - EP1105970A4 - EP1105970B1 - JP2002518868A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[17]:US5055721A - US5157351A - US5381082A - US5469094A - US5469096A - US5656969A ...   
被引用[20]:US10005355B2 - US10073512B2 - US10483868B2 - US10571943B2 - US2006044025A1 - US2007252442A1 ...   
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[发明] 线性采样开关 - 00802713.7
无权-未缴年费

申请人:高通股份有限公司 - 申请日:2000-01-11 - 主分类号:H03K17/687
分类号:H03K17/687
摘要:一种由p沟道与n沟道场效应晶体管(FET)构成的采样电路。p沟道FET(42)的源节点耦合至n沟道FET(40)的漏节点,而p沟道FET(42)的漏节点耦合至n沟道FET(40)的源节点。采样时钟耦合至各FET的栅节点。线性采样电路的第一侧接至模拟或RF信号源,线性采样电路的远侧接至保持电容器(44)。n沟道FET具有n沟道宽度,p沟道FET具有p沟道宽度,且后者大于前者,以提高制成的开关的接通电阻的线性度。
同族[13]:US6215337B1 - WO0042707A1 - EP1142117A1 - JP2002535866A - JP2010213346A - KR100610133B1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[21]:US3720848A - US5111072A - US5517139A - US5534819A - US5550503A - US5606274A ...   
被引用[13]:US2006158231A1 - US2012249237A1 - US6438366B1 - US6642751B1 - US6700417B2 - US7167029B2 ...   
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[发明] 高频开关电路装置 - 01140087.0
无权-驳回

申请人:松下电器产业株式会社 - 申请日:2001-11-26 - 主分类号:H03K17/687
分类号:H03K17/687 H01P1/15
摘要:本发明提供一种即使与其他半导体电路一起集成到1个半导体衬底上时也可以降低高频信号的透过损失的高频开关电路装置。该高频开关电路装置在P型硅衬底100上具有作为开关元件的FET101。FET101具有N型势阱122、栅电极124、源极层125和漏极层126。与作为反向栅极的N型势阱层122连接的N型势阱接线129通过电感103与电压供给节点112连接。由电感103切断电压供给节点与N型势阱层间高频信号的通过,由扩展到N型势阱与P型衬底区域间的耗尽层切断纵向的高频信号的通过。另外,由沟槽分离绝缘层121切断横向的高频信号的通过。
同族[7]:US2002063270A1 - US6870241B2 - JP2002164441A - KR100732264B1 - KR20020041309A - CN101447486A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[9]:US4433920A - US5952893A - US6137142A - US6153914A - US6236070B1 - US6452249B1 ...   
被引用[39]:US10211830B2 - US10236872B1 - US10505530B2 - US10622990B2 - US2003190895A1 - US2005242412A1 ...   
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[发明] 可变衰减器 - 02106083.5
无权-未缴年费

申请人:株式会社村田制作所 - 申请日:2002-04-10 - 主分类号:H03K17/687
分类号:H03K17/687
摘要:本发明提供一种可变衰减器, 能够设定大衰减 量、降低制造成本并实现整个装置小型化。将电感元件3与 FET2的漏极串联, 同时将电容元件4与FET2和电感元件3的 串联电路再并联, 这样构成谐振型SPST开关1。另外, 将供给电 压Vs的恒压源7与FET2的源极连接, 同时将可变电压发生器9 与FET2的栅极连接, 将FET2切换为导通状态及夹断附近状 态。而且, 利用可变电压发生器9对FET2的栅极加上夹断电压附近的电压Va, 通过这样使SPST开关1导通, 同时能够可变设定端子5与6之间的衰减量。
同族[8]:US2002196098A1 - US6720850B2 - DE10215761A1 - JP2002314373A - CN1178390C - GB0208084D0 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[6]:US5502421A - US5697069A - US6281762B1 - JP2002114950A - JPH04154313A - JPH0774604A   
被引用[50]:US10217826B2 - US2002040991A1 - US2004113746A1 - US2004232982A1 - US2004242995A1 - US2005030101A1 ...   
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