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[发明] 一种阵列基板及其制备方法 - 201811108511.X
审中-实审

申请人:京东方科技集团股份有限公司 - 申请日:2018-09-21 - 主分类号:H01L27/12(2006.01)I
分类号:H01L27/12(2006.01)I H01L21/77(2017.01)I H01L27/32(2006.01)I
摘要:本发明提供了一种阵列基板及其制备方法,涉及显示技术领域。其中,所述阵列基板包括基底;形成在所述基底上的电子器件及位于相邻电子器件之间的第一复合层;其中,所述第一复合层至少包括有机平坦层。在本发明实施例中,可以通过柔性较高的有机平坦层,替代相邻电子器件之间的原本形成的部分或全部无机膜层,从而可以释放阵列基板的部分应力,避免电子器件因弯折而损伤,提高了整个显示面板的柔性。
引用[5]:CN101740398A - CN103545320A - CN104795403A - CN107658333A - CN108550612A   
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[实用新型] 薄膜晶体管基板 - 201420410804.4
有权

申请人:群创光电股份有限公司 - 申请日:2014-07-24 - 主分类号:H01L27/12(2006.01)I
分类号:H01L27/12(2006.01)I G02F1/1368(2006.01)I
摘要:本实用新型是有关于一种薄膜晶体管基板,包括:一基板,且基板上方是依序设置多个薄膜晶体管单元、一绝缘层、一像素电极、以及一配向膜。其中,薄膜晶体管单元是设置于基板上且包括一栅极绝缘层、一主动层、一源极及一漏极;绝缘层具有接触孔以显露薄膜晶体管单元的漏极;而像素电极是设置于绝缘层上且向接触孔延伸以与漏极电性连接。其中,接触孔的侧壁在一第一方向上分别具有一第一倾斜部且在一第二方向上分别具有一第二倾斜部,第一方向与第二方向不同,且像素电极位于第一倾斜部的坡度与位于第二倾斜部的坡度不同。
同族[10]:US2015357354A1 - US2016247937A1 - US9362314B2 - US9716179B2 - JP3194341U - CN105321955A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[16]:US2003202133A1 - US2005179849A1 - US2015116623A1 - US2015160521A1 - US2015357354A1 - US7466389B2 ...   
被引用[15]:US10553620B2 - US10620496B2 - US10734467B2 - US2016079279A1 - US2016223845A1 - US2016247937A1 ...   
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[发明] 阵列基板及其制作方法 - 202010126043.X
审中-实审

申请人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司 - 申请日:2020-02-27 - 主分类号:H01L27/12(20060101)
分类号:H01L27/12(20060101) H01L27/32(20060101)
公开(公告)号:111312728A
摘要:公开了一种阵列基板及其制作方法。显示面板包括阵列基板,阵列基板包括基底、有源层、电容第一电极、栅极绝缘层、栅极金属层以及电容第二电极。有源层设于基底上且位于显示区;电容第一电极设于基底上并位于电容区;栅极绝缘层设于基底上且包覆有源层、电容第一电极;栅极金属层设于栅极绝缘层上且对应于有源层;电容第二电极设于栅极绝缘层上且对应于电容第一电极。本发明通过去除现有阵列基板上的第二绝缘层和第二金属层,利用掺杂之后的有源层半导体材料作为电容第一电极,源漏电极金属层作为电容第二电极,以达到节省掩膜板的目的,同时制作工艺简单,降低了生产成本。
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[发明] 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置 - 201710854302.9
有权

申请人:京东方科技集团股份有限公司 重庆京东方光电科技有限公司 - 申请日:2017-09-20 - 主分类号:H01L27/12(2006.01)I
分类号:H01L27/12(2006.01)I H01L29/786(2006.01)I
公开(公告)日:2018-01-12
专利代理机构:北京中博世达专利商标代理有限公司 11274
摘要:本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置,涉及显示技术领域,可解决提高薄膜晶体管的充电率,而导致的显示面板透光率降低的问题。该薄膜晶体管包括第一极、第二极、有源层、栅极以及栅绝缘层;所述第一极包括条形臂和与所述条形臂相连的连接臂,所述第二极包括条形臂;所述条形臂沿第一方向排列,所述第一方向垂直于所述条形臂的延伸方向;其中,所述第一极的连接臂在所述栅极上的投影与所述栅极无重叠区域,且该连接臂与所述第二极的所述条形臂之间的区域为第一区域,所述有源层在所述第一极或所述第二极上的正投影位于所述第一区域的部分至少部分镂空。用于提高薄膜晶体管的充电率。
同族[2]:US2019088751A1 - CN107579079B  >>更多 - 什么是同族
引用[8]:US2009278131A1 - US2010117075A1 - US2011133194A1 - US2014071366A1 - US2019131459A1 - CN101556959A ...   
被引用[1]:CN109872690A   
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[发明] 一种阵列基板、显示面板及其制备方法 - 201710733947.7
无权-驳回

申请人:京东方科技集团股份有限公司 成都京东方光电科技有限公司 - 申请日:2017-08-24 - 主分类号:H01L27/12(2006.01)I
分类号:H01L27/12(2006.01)I H01L21/77(2017.01)I G02F1/1333(2006.01)I
公开(公告)日:2017-12-26
专利代理机构:北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291
摘要:本申请提供一种阵列基板、显示面板及其制备方法,以改善现有技术制作的阵列基板上的部分薄膜晶体管漏电流较高,在显示装置工作中无法快速、准确地关断的问题。该阵列基板的制作方法,包括:在衬底基板之上形成非晶硅薄膜;在所述非晶硅薄膜之上的部分区域形成激光阻挡层,所述激光阻挡层在所述衬底基板上的正投影与用于形成具有预设电子迁移率第一薄膜晶体管的第一有源区图案在所述衬底基板上的正投影重叠;在所述激光阻挡层的遮挡下,采用激光照射所述非晶硅薄膜;将照射后的所述非晶硅薄膜转化为图案化的有源层。
同族[2]:US10573672B2 - US2019067339A1  >>更多 - 什么是同族
引用[8]:US2002179004A1 - US2004180274A1 - US2005048382A1 - US2013140573A1 - US5585291A - CN102708788A ...   
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[发明] 双垂直窗三埋层SOI高压器件结构 - 201710185314.7
无权-视为撤回

申请人:上海卓弘微系统科技有限公司 - 申请日:2017-03-26 - 主分类号:H01L27/12(2006.01)I
分类号:H01L27/12(2006.01)I
摘要:本发明公开了一种多埋层大功率高压器件结构,器件结构如图1所示,该结构的埋层包含三层氧化层,两个窗不与埋层平行或者第一埋层与第二埋层不在同一平面上,第一层与第三层通过二氧化硅相连。第一层第二层埋氧层与第三层埋氧层之间填充多晶硅。该方法通过增强第三层埋氧层的电场,同时第一第二埋氧层的硅窗口可以调制漂移区电场来提高纵向击穿电压。
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[发明] 低温多晶硅TFT基板及其制作方法 - 201510936669.6
有权

申请人:武汉华星光电技术有限公司 - 申请日:2015-12-14 - 主分类号:H01L27/12(2006.01)I
分类号:H01L27/12(2006.01)I H01L21/77(2006.01)I
摘要:本发明提供一种低温多晶硅TFT基板及其制作方法。本发明的低温多晶硅TFT基板,沟道区上方设有金属层,可将所述金属层、及源极与漏极作为光罩,在多晶硅层上形成轻掺杂漏区,减少形成轻掺杂漏区所单独需要的光罩;同时由于增加了一层与多晶硅层沟道区相连的金属层,可以有效降低沟道区的电阻,提高TFT的开态电流。本发明的低温多晶硅TFT基板的制作方法,通过在形成源极与漏极的同时,在沟道区上方形成金属层,并将金属层、及源极与漏极作为光罩,在多晶硅层上形成轻掺杂漏区,减少了形成轻掺杂漏区所单独需要的光罩,从而节省了生产成本,提高了产能。
同族[6]:US10749037B2 - US2017256651A1 - US2018090625A1 - US9876120B2 - WO2017101203A1 - CN105390510B  >>更多 - 什么是同族
引用[8]:US2001030323A1 - US2009096024A1 - US2014159067A1 - US6104040A - WO2011004624A1 - CN102931137A ...   
被引用[1]:CN106847866A   
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[发明] 一种基板、其制作方法及显示装置 - 201610136488.X
无权-驳回

申请人:京东方科技集团股份有限公司 - 申请日:2016-03-10 - 主分类号:H01L27/12(2006.01)I
分类号:H01L27/12(2006.01)I H01L21/77(2006.01)I
专利代理机构:北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291
摘要:本发明公开了一种基板、其制作方法及显示装置,该基板包括:衬底,以及依次设置在衬底上的铜电极层和第一阻挡层;还包括:位于第一阻挡层上的连接层;该连接层用于在对基板进行构图工艺时,连接涂覆在连接层上的光刻胶与第一阻挡层。由于本发明在第一阻挡层上设置了连接层,这样可以增强第一阻挡层与光刻胶的粘附力,解决在对基板上的膜层进行构图工艺时图形不均的问题,起到改善图形化效果的作用。
同族[1]:US2017263645A1  >>更多 - 什么是同族
引用[20]:US2002177321A1 - US2008020565A1 - US2008096015A1 - US2008191311A1 - US2009183992A1 - US2011073867A1 ...   
被引用[5]:US10607854B2 - WO2018223879A1 - CN106887468A - CN107316815A - CN108666325A   
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[发明] 显示面板 - 201810414461.1
有权

申请人:友达光电股份有限公司 - 申请日:2018-05-03 - 主分类号:H01L27/12(2006.01)I
分类号:H01L27/12(2006.01)I G02F1/1368(2006.01)I G02F1/1362(2006.01)I
摘要:一种显示面板,包括沿方向延伸的扫描线、沿该方向相邻设置的第一及第二像素结构。第一像素结构包括第一半导体图案层、第一栅极、第一绝缘图案及第一漏极。第一栅极与第一半导体图案层重叠。第一绝缘图案具有第一接触窗开口。第一漏极经第一接触窗开口与第一半导体图案层电连接。第二像素结构包括第二半导体图案层、第二栅极、第二绝缘图案及第二漏极。第二栅极与第二半导体图案层重叠。第二绝缘图案具有与第一接触窗开口沿与该方向相交的方向分别在扫描线两侧的第二接触窗开口。第二漏极经第二接触窗开口与第二半导体图案层电连接。
同族[3]:CN108565269B - TW201939119A - TWI671568B  >>更多 - 什么是同族
引用[8]:US2016232868A1 - WO2016187903A1 - CN104064679A - CN104701266A - CN105068348A - CN105140246A ...   
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[发明] 阵列基板及其制作方法、显示装置 - 201510101319.8
有权

申请人:京东方科技集团股份有限公司 成都京东方光电科技有限公司 - 申请日:2015-03-06 - 主分类号:H01L27/12(2006.01)I
分类号:H01L27/12(2006.01)I H01L21/77(2006.01)I G06F3/041(2006.01)I G06F3/044(2006.01)I
摘要:一种阵列基板及其制作方法、显示装置,该制作方法包括在衬底基板上形成多个触控电极、用于将所述多个触控电极的信号引出的多条触控电极引线和包括多个导电结构的阵列结构,使所述触控电极引线的至少一部分与所述多个导电结构中的至少一个同层设置且材料相同。该制作方法可以减少制作阵列基板的过程中所使用的掩模板的数量。
同族[6]:US10254876B2 - US2017045984A1 - WO2016141709A1 - EP3267482A1 - EP3267482A4 - CN104716144B  >>更多 - 什么是同族
引用[18]:US2014232955A1 - US2014253473A1 - US2015084912A1 - US2016004346A1 - US2016041666A1 - US2016139706A1 ...   
被引用[57]:US10025130B2 - US10043912B2 - US10254876B2 - US10289243B2 - US10290659B2 - US10310680B2 ...   
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