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[发明授权] 可调折线电阻器 - 201210218684.3;103247595B
有权

申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 - 申请日:2012-06-27 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L27/108(2006.01)I
摘要:可调折线电阻器包括多个串联电路。每个串联电路都包括:在晶体管的第一掺杂区上方形成的第一电阻器、在晶体管的第二掺杂区上方形成的第二电阻器、以及在第一电阻器和第二电阻器之间连接的连接器。采用控制电路来控制晶体管的接通和断开,以实现可调折线电阻器。
同族[9]:US2013200447A1 - US9059168B2 - DE102012105871A1 - DE102012105871B4 - KR101356329B1 - KR20130089563A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[26]:US2001019288A1 - US2002027251A1 - US2004227205A1 - US2005266651A1 - US2006231887A1 - US2006249812A1 ...   
被引用[11]:US10825508B1 - US2013314119A1 - US2014166963A1 - US2017365599A1 - US9013202B2 - US9040374B2 ...   
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[发明] 半导体结构 - 201710946975.7
无权-撤回

申请人:联发科技股份有限公司 - 申请日:2014-09-09 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L23/532(2006.01)I H01L23/66(2006.01)I H01L49/02(2006.01)I H01L23/488(2006.01)I H01L23/49(2006.01)I H01L21/60(2006.01)I
摘要:本发明公开一种半导体结构。半导体结构包括:基底;第一钝化层,设置于所述基底上;导电垫,设置于所述第一钝化层上;第二钝化层,设置于所述第一钝化层上;导电结构,设置于所述导电垫上;被动元件,设置于所述导电垫上,其中所述被动元件具有位于所述第二钝化层上的第一部分以及穿过所述第二钝化层的第二部分;可焊性保护膜,覆盖所述被动元件的所述第一部分;第一凸块下金属层,覆盖所述被动元件的所述第二部分;以及第二凸块下金属层,覆盖所述导电结构的一部分;其中,所述第一凸块下金属层与所述有机可焊性保护膜一起将所述被动元件包围起来;其中,所述第一凸块下金属层延伸至所述第二钝化层的上表面,并且所述有机可焊性保护膜不与所述第二钝化层相接触。本发明所公开的半导体结构,有机可焊性保护膜可以防止表面效应的发生,此外,能够减小电阻并具有较高的品质因数。
同族[8]:US10090375B2 - US2015115406A1 - US2017179055A1 - US9620580B2 - CN104576599A - CN104576599B ...  >>更多 - 什么是同族
引用[25]:US2006108693A1 - US2008174008A1 - US2009174071A1 - US2009236756A1 - US2011101527A1 - US2011278736A1 ...   
被引用[6]:US10090375B2 - US10199467B2 - US2016225888A1 - US2017179055A1 - TWI611514B - TWI697082B   
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[发明] 功率模块 - 201610528274.7
审中-实审

申请人:现代自动车株式会社 - 申请日:2016-07-06 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
分类号:H01L23/522(2006.01)I
摘要:本发明提供一种能够提高高温条件下的结构稳定性和可靠性的功率模块,起包括:上衬底,其具有金属层;下衬底,其与上衬底隔开,并具有面对上衬底的金属层的金属层;半导体元件,其配置成布置在上衬底和下衬底之间;以及,至少一个支脚部,其在上衬底的金属层和下衬底的金属层中的至少一者上形成,从而以预定的间隔将上衬底与下衬底彼此隔开,其中,支脚部可将半导体元件与上衬底的金属层或下衬底的金属层电连接。
同族[5]:US10062631B2 - US10622276B2 - US2017170091A1 - US2018350714A1 - KR101734712B1  >>更多 - 什么是同族
引用[22]:US2004056346A1 - US2013020694A1 - US2013265724A1 - US2014117525A1 - US2014118956A1 - US2014138075A1 ...   
被引用[1]:US10283699B2   
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[发明] 半导体器件及其制造方法 - 201410266102.8
无权-视为撤回

申请人:爱思开海力士有限公司 - 申请日:2014-06-13 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
摘要:一种半导体器件包括:穿通电极,穿通衬底使得穿通电极的第一端部从衬底的第一表面突出;钝化层,覆盖衬底的第一表面和穿通电极的第一端部的侧壁;凸块,具有穿通钝化层并且与穿通电极的第一端部耦接的下部;以及下金属层,被设置在凸块和穿通电极的第一端部之间。下金属层延伸至凸块的侧壁上并且具有凹面形状。
同族[3]:US2015179545A1 - US2016093581A1 - KR20150073473A  >>更多 - 什么是同族
引用[15]:US2005054154A1 - US2008136023A1 - US2008150161A1 - US2008179190A1 - US2010078819A1 - US2011133335A1 ...   
被引用[3]:US10297563B2 - US10418311B2 - US2018076161A1   
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[发明] 对称式差动电感结构 - 201110148749.7
有权

申请人:矽品精密工业股份有限公司 - 申请日:2011-05-27 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01F37/00(2006.01)I
摘要:一种对称式差动电感结构,包括第一螺旋导线、第二螺旋导线、第三螺旋导线及第四螺旋导线,分别对称设于一基板的四个象限区,该对称式差动电感结构还包括连接该第一螺旋导线及第四螺旋导线的第五导线以及连接该第二螺旋导线及第三螺旋的第六导线。由于第一与第二螺旋导线相互对称设置且未彼此交叠,且第三与第四螺旋导线也相互对称设置且未彼此交叠,故可达成几何学上的完全对称形态,因而无需额外形成占据较大面积的导线,进而提升产品利润与良率。
同族[5]:US2012299682A1 - US8305182B1 - CN102800645B - TW201248658A - TWI410986B  >>更多 - 什么是同族
引用[14]:US2004227608A1 - US2006220778A1 - US5376774A - US5420558A - US5572179A - US6236297B1 ...   
被引用[7]:US10153078B2 - US10497507B2 - US10580568B2 - US10593464B2 - CN109801769A - TWI632657B ...   
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[发明授权] 半导体器件 - 02105749.4;1320646C
无权-未缴年费
权利转移

申请人:卡西欧计算机株式会社 冲电气工业株式会社 - 申请日:2002-04-16 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)
当前权利人:兆装微股份有限公司 拉碧斯半导体株式会社
分类号:H01L23/522(2006.01) H01L27/00(2006.01) H01L21/60(2006.01) H01L21/768(2006.01)
摘要:一种半导体器件,包括:半导体基衬(1),其上形成电路元件和多个连接盘(2,2A,2B);第一柱状电极(6),电连接到所述多个连接盘中的至少一个第一连接盘(2)上而形成;至少一个第一导电层(5-1),连接到所述多个连接盘中的至少一个第二连接盘(2A)上而形成;封装膜(7),由树脂制成,并形成在所述半导体基衬上的至少所述第一柱状电极周围及所述第一导电层上;至少一个第二导电层(5-2,8,12),形成在封装膜上,面对所述第一导电层,并被设置为向外暴露;和至少一个无源元件,由所述第一和第二导电层形成。
同族[13]:US2002149086A1 - US6639299B2 - EP1251558A2 - EP1251558A8 - EP1359618A2 - EP1359618A3 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[13]:US4617193A - US5180445A - US5481131A - US5633785A - US5874770A - US6180445B1 ...   
被引用[196]:US10403540B2 - US10861807B2 - US2003151140A1 - US2004009629A1 - US2004056340A1 - US2004128005A1 ...   
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[发明] 半导体器件 - 02148136.9
有权

申请人:株式会社半导体能源研究所 - 申请日:2002-10-30 - 主分类号:H01L23/522
分类号:H01L23/522
摘要:在具有其中由不同材料制成的层或包括各个形成图形的层构成多个层的结构的半导体器件中,目的是为了提供一种方法,其中在不进行CMP法的抛光处理或淀积SOG膜的整平工艺的情况下,可实现平滑表面,不选择基片材料,并且整平技术很简单和容易。在其中形成多个不同层的半导体器件中,在不对形成在绝缘膜和布线(电极)或半导体层上的绝缘膜进行CMP法的抛光处理或淀积SOG膜的整平工艺的情况下,按照以下方式可实现平滑表面,其中孔部分形成在绝缘膜中,布线(电极)或半导体层形成在孔部分中。
同族[12]:US2003080436A1 - US7474002B2 - JP2003203926A - JP2009021621A - JP4719260B2 - KR100965131B1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[66]:US2001010572A1 - US2001015778A1 - US2001022365A1 - US2001030323A1 - US2002014624A1 - US2002024622A1 ...   
被引用[72]:US10453908B2 - US10497620B2 - US10608546B2 - US10818591B2 - US2003230749A1 - US2004145047A1 ...   
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[发明] 形成于重掺杂衬底上的电容器 - 201680064173.7
审中-实审

申请人:密克罗奇普技术公司 - 申请日:2016-12-07 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I H01L49/02(2006.01)I
摘要:本发明的教示可应用于电容器的制造及设计。在这些教示的一些实施例中,电容器可形成于重掺杂衬底上。例如,一种用于制造电容器的方法可包含:在重掺杂衬底的第一侧上沉积氧化物层;在所述氧化物层上沉积第一金属层;及在所述重掺杂衬底的第二侧上沉积第二金属层。
同族[5]:US10217810B2 - US2017162648A1 - WO2017100237A1 - EP3387674A1 - TW201740442A  >>更多 - 什么是同族
引用[11]:US2003030125A1 - US2008108202A1 - US2008149981A1 - US2008237790A1 - US2012012982A1 - US2012177934A1 ...   
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[发明授权] 电子封装结构及其制法 - 201510568178.0;106469712B
有权

申请人:矽品精密工业股份有限公司 - 申请日:2015-09-09 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L23/31(2006.01)I H01L21/50(2006.01)I
摘要:本申请公开了一种电子封装结构及其制法,该制法,包括:提供一具有多个导电穿孔的中介板,且该中介板中形成有位于这些导电穿孔周围的开孔,接着,设置电子元件于该中介板上,再结合盖板于该电子元件上,并形成用以包覆该电子元件的封装层,而该封装层还形成于该开孔中,以令该开孔中的封装层接触空气,故于进行后续的高温制造方法时,该封装层中的溶剂于挥发后,可经过这些开孔排出该封装层外,而不会于该封装层中形成气泡,以避免发生气爆。
同族[4]:US2017053859A1 - CN106469712A - TW201709434A - TWI614848B  >>更多 - 什么是同族
引用[10]:US2012146209A1 - US2014077387A1 - CN101188221A - CN101964311A - CN103681528A - CN1551337A ...   
被引用[7]:US10548228B2 - US2017257977A1 - CN107993937A - CN108630623A - CN108630646A - CN110676240A ...   
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[发明授权] 用于存储器装置的异构性扇出结构 - 201710468484.6;109103167B
有权

申请人:晟碟半导体(上海)有限公司 - 申请日:2017-06-20 - 主分类号:H01L23/522(20060101)
分类号:H01L23/522(20060101) H01L23/528(20060101) H01L25/065(20060101)
摘要:一种装置,可以包含扇出结构,其具有多个集成电路。集成电路可以为不同类型,比如通过以不同方式配置或配置为执行不同功能。扇出结构可以耦接到另一集成电路结构,比如裸芯堆叠体。例如,扇出结构可以耦接到集成电路结构的顶部表面或底部表面,或者可以设置在由集成电路结构限定的垂直轮廓内。水平延伸的路径和垂直延伸的路径可以设置为在组合的扇出结构和集成电路结构之间和周围,以使得两个结构的集成电路能够通信。
同族[5]:US10607955B2 - US2018366429A1 - KR102168341B1 - KR20180138117A - CN109103167A  >>更多 - 什么是同族
引用[21]:US2010270668A1 - US2012317332A1 - US2013148401A1 - US2015048500A1 - US2015303174A1 - US2016118326A1 ...   
被引用[2]:US10636779B2 - US2019043846A1   
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