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[发明] 晶圆级芯片级封装及其形成方法 - 201611091100.5
无权-视为撤回

申请人:联发科技股份有限公司 - 申请日:2016-12-01 - 主分类号:H01L23/485(2006.01)I
分类号:H01L23/485(2006.01)I H01L23/488(2006.01)I H01L21/48(2006.01)I
摘要:本发明公开了晶圆级芯片级封装及其形成方法,其中,所述晶圆级芯片级封装包括:半导体结构;在所述半导体结构上形成的第一焊盘;在所述半导体结构和所述第一焊盘上形成的保护层,其中,所述保护层暴露所述第一焊盘的多个部分;在所述保护层和所述第一焊盘被所述保护层所暴露的部分上形成的导电再分布层;在所述保护层和所述导电再分布层上形成的平面层,所述平面层暴露所述导电再分布层的一部分;在所述平面层和所述导电再分布层被所述平面层所暴露的部分上形成的凸块下金属层;以及在所述凸块下金属层上形成的导电凸块。本发明提供的晶圆级芯片级封装具有较小的尺寸。
同族[5]:US2017162540A1 - US9953954B2 - EP3176819A2 - EP3176819A3 - TW201731043A  >>更多 - 什么是同族
引用[20]:US2002117756A1 - US2005064624A1 - US2007020906A1 - US2008012129A1 - US2015228594A1 - US2015279776A1 ...   
被引用[7]:US10083926B1 - US10141275B2 - US10553527B2 - US2018114763A1 - US2019080993A1 - WO2019074511A1 ...   
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[发明授权] 增加对电迁移的阻力的结构 - 201310204126.6;103681555B
有权

申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 - 申请日:2013-05-28 - 主分类号:H01L23/485(2006.01)I
分类号:H01L23/485(2006.01)I H01L21/60(2006.01)I
摘要:一种半导体器件包括在相邻两根金属线之间聚合物层中以及钝化层上方的凹槽或者在重分配金属线上的抗电迁移层以增加对电迁移的阻力。本发明还公开了增加对电迁移的阻力的结构。
同族[5]:US2014061923A1 - US8754508B2 - CN103681555A - TW201409647A - TWI491006B  >>更多 - 什么是同族
引用[22]:US2001045651A1 - US2003214040A1 - US2004021227A1 - US2005087837A1 - US2008160652A1 - US2008194102A1 ...   
被引用[35]:US10037959B2 - US10068868B2 - US10109607B2 - US10115686B2 - US10157874B2 - US10163851B2 ...   
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[发明] 半导体器件 - 200610095646.8
有权
权利转移

申请人:松下电器产业株式会社 - 申请日:2006-06-22 - 主分类号:H01L23/485(2006.01)I
当前权利人:松下半导体解决方案株式会社
分类号:H01L23/485(2006.01)I
摘要:本发明揭示一种半导体器件,用沿着探针的前进方向平行并排的多个细金属层,形成焊盘金属(22)的至少探针区域(23)的正下方部分,从而不会导致工艺和芯片尺寸增大,能够提高焊盘金属(22)的表面平整度,防止半导体器件的特性恶化。
同族[7]:US2007052085A1 - US2011215481A1 - US7944059B2 - JP2007048853A - JP4761880B2 - CN100517672C ...  >>更多 - 什么是同族
引用[22]:US2006097396A1 - US5751065A - US5986343A - US6166442A - US6198170B1 - US6313537B1 ...   
被引用[20]:US10026663B2 - US10037939B2 - US10109581B2 - US10192797B2 - US10228412B2 - US2010301333A1 ...   
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[发明] 半导体器件及包括该半导体器件的封装 - 200710307612.5
有权

申请人:三星电子株式会社 - 申请日:2007-12-29 - 主分类号:H01L23/485(2006.01)I
分类号:H01L23/485(2006.01)I H01L23/488(2006.01)I
摘要:本发明提供一种半导体器件及包括该半导体器件的封装。该半导体器件包括第一凸块列,在该半导体器件的有源表面上且包括与该半导体器件的边缘间隔开第一距离的多个第一凸块,第二凸块列,在该有源表面上且包括与该半导体器件的边缘间隔开比该第一距离大的第二距离的多个第二凸块,以及第三凸块列,在该有源表面上且包括与该半导体器件的边缘间隔开比该第二距离大的第三距离的多个第三凸块。该第二凸块和该第三凸块在该第一凸块之间顺序交替至少两次。
同族[5]:US2008169560A1 - US7626263B2 - JP2008172228A - KR100834441B1 - CN101295689B  >>更多 - 什么是同族
引用[11]:US2007080432A1 - US6472727B2 - US6638869B2 - US6650014B2 - US6770963B1 - US6867490B2 ...   
被引用[13]:US2008265346A1 - US2011233765A1 - US2013075897A1 - US2014117536A1 - US2014369009A1 - US7838951B2 ...   
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[发明授权] 具有垫缘强化结构的接线垫 - 01116687.8;1175489C
无权-未缴年费

申请人:华邦电子股份有限公司 - 申请日:2001-04-20 - 主分类号:H01L23/485
分类号:H01L23/485 H01L21/768
摘要:一种半导体组件封装接线用的接线垫包括:一金属接线垫,形成于一介电层的边缘部分所围绕的一开放窗口区域中且部份形成于介电层的边缘部份之上;及至少一个树枝状子结构,形成于介电层的至少部分边缘上,它由金属材料形成并自金属接线垫下方侧向延伸出。由于在金属接线垫层及位于树枝状子结构中的介电层之间形成垂直延伸接触表面,因此扩大了接触面积而增强附着力;树枝状子结构在介电层的边缘部分不连续可有效截断而防止形成裂缝。
同族[1]:CN1381887A  >>更多 - 什么是同族
被引用[3]:US7312530B2 - US7741207B2 - CN102956613A   
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[发明授权] 具有强化的晶片接合的集成电路堆叠 - 201610090300.2;106067454B
有权
著录变更
权利转移

申请人:豪威科技股份有限公司 - 申请日:2016-02-18 - 主分类号:H01L23/485(2006.01)I
分类号:H01L23/485(2006.01)I H01L27/146(2006.01)I
摘要:本申请案涉及具有强化的晶片接合的集成电路堆叠。一种集成电路系统包含第一装置晶片及第二装置晶片。晶片接合区域安置在所述第一装置晶片的第一电介质层的前侧与所述第二装置晶片的第二电介质层的前侧的界面处,使得晶片接合区域将所述第一装置晶片接合到所述第二装置晶片。所述晶片接合区域包含具有比所述第一装置晶片及所述第二装置晶片的所述第一电介质层及所述第二电介质层的电介质材料高的硅浓度的电介质材料。导电路径将所述第一装置晶片的第一导体耦合到所述第二装置晶片的第二导体。所述导电路径形成于在所述第一导体与所述第二导体之间穿过所述晶片接合区域蚀刻出的腔中。
同族[5]:US9343499B1 - CN106067454A - HK1225857B - TW201703241A - TWI573259B  >>更多 - 什么是同族
引用[9]:US2003119279A1 - US2009081850A1 - US2009142888A1 - US2013119236A1 - US5640013A - US6500694B1 ...   
被引用[1]:US10468400B2   
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[发明授权] 单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆工艺 - 200810144966.7;101656240B
有权

申请人:佳邦科技股份有限公司 - 申请日:2008-08-18 - 主分类号:H01L23/485(2006.01)I
分类号:H01L23/485(2006.01)I H01L21/60(2006.01)I
摘要:一种单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆结构及其工艺,包括:单一晶粒尺寸半导体元件,该单一晶粒尺寸半导体元件具有前侧面、后侧面、左侧面、右侧面、底面、及上表面,该单一晶粒尺寸半导体元件的该上表面具有两个金属垫;以及绝缘被覆层,该绝缘被覆层覆盖于该单一晶粒尺寸半导体元件的该前侧面、该后侧面、该左侧面、该右侧面、及该底面。本发明还提供一种单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆工艺。本发明可以得到相同的可靠度,但是尺寸较小的单一晶粒尺寸半导体元件,保护该元件不受环境影响,并节省了费用,降低工艺的难度。
同族[1]:CN101656240A  >>更多 - 什么是同族
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[发明] 半导体装置及制造方法、电路基板、电光学装置、电子机器 - 200510114180.7
无权-未缴年费

申请人:精工爱普生株式会社 - 申请日:2005-10-26 - 主分类号:H01L23/485(2006.01)I
分类号:H01L23/485(2006.01)I H01L21/28(2006.01)I
摘要:一种半导体装置,具备:半导体元件,在所述半导体元件上形成的电极焊盘,与所述电极焊盘导电连接的凸块电极;所述凸块电极,具备在所述半导体元件的有源面上形成的树脂突起,和从所述电极焊盘到所述树脂突起的表面配置的导电膜;所述导电膜和所述树脂突起,被非贴紧地配置的半导体装置。
同族[11]:US2006091539A1 - US7375427B2 - EP1653503A2 - EP1653503A3 - JP2006128364A - JP4165495B2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[12]:US2002127768A1 - US5477087A - US5877556A - US6281111B1 - US7098127B2 - EP1427007A2 ...   
被引用[24]:US10825788B2 - US2008017873A1 - US2008211092A1 - US2009026611A1 - US2009218685A1 - US2011059606A1 ...   
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[发明] 带有增强内连接金属化部的引线接合的半导体元件 - 200480036901.0
无权-视为撤回
权利转移

申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司 - 申请日:2004-12-01 - 主分类号:H01L23/485(2006.01)I
当前权利人:NXP股份有限公司
分类号:H01L23/485(2006.01)I H01L21/60(2006.01)I
摘要:半导体元件包括由掺杂硅衬底制成的半导体芯片(2),所述芯片掺入半导体器件中并且进行构造,并且包括位于接触窗口中的内连接金属化部(7),并且所述半导体芯片的所述内连接金属化部通过引线接合连接(9)连接到相应外连接金属化部上,其特征在于,内连接金属化部包括具有位于掺杂硅衬底上的开放栅格结构的增强系统(8)。
同族[6]:US2008230920A1 - US8013452B2 - WO2005057654A2 - WO2005057654A3 - EP1695384A2 - JP2007514312A  >>更多 - 什么是同族
引用[8]:US2002187634A1 - US2003178644A1 - US5723822A - US6143396A - US6359326B1 - US6680545B2 ...   
被引用[11]:US10732745B2 - US2015084932A1 - US8759153B2 - US8901671B2 - US9070615B2 - US9471181B2 ...   
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[发明] 集成电路结构 - 201010108476.9
有权

申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 - 申请日:2010-02-01 - 主分类号:H01L23/485(2006.01)I
分类号:H01L23/485(2006.01)I H01L21/60(2006.01)I
摘要:本发明提供一种集成电路结构,该集成电路结构包含:一半导体基材,一半导体穿孔(through-semiconductor?via;TSV)开口,延伸进入此半导体基材:以及一半导体穿孔内衬(TSV?liner),位于此半导体穿孔开口(TSV?opening)中。此半导体穿孔内衬包含一侧壁部分于此半导体穿孔开口的侧壁上及一底部部分于此半导体穿孔开口的底部上。此半导体穿孔内衬的底部部分具有一底部高度,且其较此半导体穿孔内衬的侧壁部分的中间厚度大。本发明的集成电路结构具有如下优点:当使用旋转涂布时,所形成的半导体穿孔内衬具有较佳的顺应性。底部及侧壁覆盖优于以化学气相沉积形成。此工艺所需时间少且成本低廉。此外,半导体穿孔内衬的介电常数是可调整的。
同族[5]:US2011006428A1 - US2012289062A1 - US8264066B2 - US8629066B2 - CN101950738B  >>更多 - 什么是同族
引用[40]:US2005215012A1 - US2007196997A1 - US2010171223A1 - US5391917A - US5510298A - US5767001A ...   
被引用[28]:US10128168B2 - US10153252B2 - US10283321B2 - US10504776B2 - US10777487B2 - US2011221748A1 ...   
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