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[发明] 芯片及键合垫的形成方法 - 201810559212.1
无权-视为撤回

申请人:武汉新芯集成电路制造有限公司 - 申请日:2018-06-01 - 主分类号:H01L23/485(2006.01)I
分类号:H01L23/485(2006.01)I H01L21/60(2006.01)I
摘要:本发明提供了一种芯片及键合垫的形成方法,所述键合垫的形成方法包括:形成一内层金属层于一衬底上;形成一图案化的第一钝化层于所述内层金属层上,所述图案化的第一钝化层暴露出所述内层金属层的部分;形成一键合垫于所述图案化的第一钝化层上,所述键合垫与暴露出的所述内层金属层连接。在本发明提供的芯片及键合垫的形成方法中,探针接触键合垫进行测试时,即使穿入键合垫也不会使内层金属暴露,最终提高了芯片的可靠性,并且减少了芯片报废的几率。
引用[3]:US2003102475A1 - CN1399334A - CN1554116A   
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[发明授权] 功率半导体封装 - 200580029989.8;100444371C
有权
著录变更
权利转移

申请人:国际整流器公司 - 申请日:2005-09-13 - 主分类号:H01L23/48(2006.01)
当前权利人:英飞凌科技美洲公司
分类号:H01L23/48(2006.01) H01L23/34(2006.01) H01L23/52(2006.01)
摘要:一种功率半导体封装,包括:具有至少两个功率电极的半导体晶片,以及电气地并且机械地连接到各个功率电极的导电夹。
同族[11]:US2006131760A1 - US2009008804A1 - US2015262960A1 - US7466012B2 - US9048196B2 - US9620471B2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[51]:US2001020700A1 - US2001033022A1 - US2001042906A1 - US2002011651A1 - US2002180005A1 - US2003107053A1 ...   
被引用[46]:US10074597B2 - US10515910B2 - US10692801B2 - US2006202320A1 - US2007096270A1 - US2008203430A1 ...   
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[发明] 功率半导体封装 - 200580029989.8
有权
著录变更
权利转移

申请人:国际整流器公司 - 申请日:2005-09-13 - 主分类号:H01L23/48(2006.01)I
当前权利人:英飞凌科技美洲公司
分类号:H01L23/48(2006.01)I H01L23/34(2006.01)I H01L23/52(2006.01)I
摘要:一种功率半导体封装,包括:具有至少两个功率电极的半导体晶片,以及电气地并且机械地连接到各个功率电极的导电夹。
同族[11]:US2006131760A1 - US2009008804A1 - US2015262960A1 - US7466012B2 - US9048196B2 - US9620471B2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[51]:US2001020700A1 - US2001033022A1 - US2001042906A1 - US2002011651A1 - US2002180005A1 - US2003107053A1 ...   
被引用[46]:US10074597B2 - US10515910B2 - US10692801B2 - US2006202320A1 - US2007096270A1 - US2008203430A1 ...   
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[发明] 半导体构造及形成半导体构造的方法 - 201810310482.9
审中-实审

申请人:美光科技公司 - 申请日:2013-04-25 - 主分类号:H01L23/488(2006.01)I
分类号:H01L23/488(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I H01L23/31(2006.01)I
摘要:本发明涉及半导体构造及形成半导体构造的方法。一些实施例包含半导体构造。所述构造具有延伸穿过半导体裸片的导电柱。所述柱具有高于所述裸片的背侧表面的上部表面,且具有在所述背侧表面与所述上部表面之间延伸的侧壁表面。光敏材料在所述背侧表面上方且沿着所述侧壁表面。导电材料直接抵靠所述柱的所述上部表面。所述导电材料被配置为所述柱上方的帽。所述帽具有横向向外延伸超出所述柱且环绕所述柱的边缘。所述边缘的整体在所述光敏材料正上方。一些实施例包含形成半导体构造的方法,所述半导体构造具有邻近穿晶片互连件的光敏材料,且具有在所述互连件的上部表面上方且直接抵靠所述上部表面并且直接抵靠所述光敏材料的上部表面的导电材料帽。
同族[13]:US2013313710A1 - WO2013176824A1 - EP2852971A1 - EP2852971A4 - EP2852971B1 - JP2015523718A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[23]:US2007045836A1 - US2007059846A1 - US2008054444A1 - US2009032960A1 - US2010032808A1 - US2010096738A1 ...   
被引用[1]:US9477148B1   
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[发明] 焊球凸块结构及其形成方法 - 201310308953.X
无权-未缴年费

申请人:乐金股份有限公司 - 申请日:2013-07-22 - 主分类号:H01L23/488(2006.01)I
分类号:H01L23/488(2006.01)I H01L21/60(2006.01)I
摘要:本发明实施例提供一种焊球凸块结构及其形成方法。焊球凸块结构包括基板;以及第一银合金焊球凸块,设置于该基板上,其中第一银合金焊球凸块中银:金:钯的重量比=60~99.98:0.01~30:0.01~10。本发明的焊球凸块结构具有极高的可靠度。
同族[10]:US2014124920A1 - US9490147B2 - DE102013107065A1 - JP2014096571A - JP6088950B2 - KR101528030B1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[20]:US2002149118A1 - US2007114663A1 - US2007222085A1 - US2010126763A1 - US5550407A - US5949654A ...   
被引用[13]:US10170429B2 - US10347602B1 - US10388627B1 - US10600755B2 - US10643931B2 - US2015035147A1 ...   
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[发明] 电子部件 - 200810154792.2
无权-未缴年费

申请人:精工爱普生株式会社 - 申请日:2008-11-03 - 主分类号:H01L23/48(2006.01)I
分类号:H01L23/48(2006.01)I
公开(公告)号:101483160A
摘要:本发明提供一种能小型化和提高电特性的电子部件。本发明的电子部件(121)是在具有多个外部连接端子(16)的有源面上设置多个凸块电极(12)。凸块电极(12)以有源面上所形成的内部树脂(13)为芯,在该内部树脂(13)的表面上设置有导电膜(14)。内部树脂(13)与有源面垂直的横截面为大致半圆形状、大致半椭圆形状、或大致梯形状,并形成为与该横截面垂直延伸的大致半圆柱状。外部连接端子(16)的至少其中之一与多个导电膜(14)导通。
同族[5]:US2009115054A1 - US8178968B2 - JP2009117475A - JP4645635B2 - CN101483160B  >>更多 - 什么是同族
引用[22]:US2001013651A1 - US2005230773A1 - US2007057370A1 - US2007109759A1 - US2008023830A1 - US2009219069A1 ...   
被引用[6]:US10327334B1 - US10709010B1 - US2011059606A1 - US2018033755A1 - JP2012195358A - CN102713418A   
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[发明] 晶片级封装及其制造方法以及由其制造半导体器件的方法 - 99127780.5
无权-未缴年费
著录变更
权利转移

申请人:富士通株式会社 - 申请日:1999-12-28 - 主分类号:H01L23/48
当前权利人:株式会社索思未来
分类号:H01L23/48 H01L21/66 H01L21/78 H01L21/60
优先权:1998.12.28 JP 374804/1998
摘要:晶片级封装,电路形成区域包括提供有测试芯片端子和非测试芯片端子的半导体芯片;至少一个外部连接端子,至少一个再分布导电条;至少一个测试构件,以及绝缘材料。再分布导电条)的第一端连接到一个测试芯片端子,第二端延伸到与其中一个芯片端子偏移的位置。测试构件提供在电路形成区域的外部区域中,再分布导电条的第二端连接到至少一个测试构件。
同族[21]:US2001042901A1 - US2004206954A1 - US2006202201A1 - US2008251788A1 - US6228684B1 - US6762431B2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[46]:US158326A - US2001024118A1 - US2002158326A1 - US24118A - US4961053A - US5059899A ...   
被引用[226]:US10015916B1 - US10180456B2 - US10281522B2 - US10665610B2 - US10679957B2 - US10690717B2 ...   
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[发明] 一种传感芯片的封装结构及其封装方法 - 201711365542.9
审中-实审

申请人:华天科技(西安)有限公司 - 申请日:2017-12-18 - 主分类号:H01L23/48(2006.01)I
分类号:H01L23/48(2006.01)I H01L23/10(2006.01)I H01L21/50(2006.01)I H01L21/52(2006.01)I
摘要:本发明公开了一种传感芯片的封装结构及其封装方法,包括传感芯片,传感芯片包括感应面和正极区和负极区,其中正极区和负极区与感应面垂直;感应面朝上设置,正极区和负极区分别固定连接一个夹板,且正极区和负极区与夹板电性连接;两个夹板的下方固定连接有基板,夹板与基板电性连接;基板通过围坝胶粘接透明盖板,其中围坝胶、透明盖板和基板的内部形成密封空间,两个夹板及传感芯片位于该密封空间内,且透明盖板与感应面之间具有间隙。能够实现对现有新型结构的创那芯片进行封装。
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[发明] 半导体组件、半导体元件及其制法 - 201010213358.4
有权

申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 - 申请日:2010-06-22 - 主分类号:H01L23/485(2006.01)I
分类号:H01L23/485(2006.01)I H01L21/60(2006.01)I
公开(公告)号:102148211A
摘要:本发明提供一种半导体元件、半导体组件及半导体元件的形成方法,半导体元件包括一半导体基材;一焊盘区域,位于该半导体基材上;以及一凸块结构,位于该焊盘区域之上且电性连接该焊盘区域。凸块结构包括铜层与位于铜层上的无铅焊料层。无铅焊料层为锡银合金层,且于锡银合金层中的银含量小于1.6重量百分比。当无铅凸块中的银含量较低时,凸块硬度会随之降低。较软的凸块可以消除由于热应力所引起的裂缝问题。
同族[7]:US2011193219A1 - US2014070409A1 - US8610270B2 - US8952534B2 - CN102148211B - TW201128750A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[159]:US2001000321A1 - US2002014705A1 - US2002033531A1 - US2003156969A1 - US2003216025A1 - US2004166661A1 ...   
被引用[56]:US10109618B2 - US10115716B2 - US10163843B2 - US10290600B2 - US10734347B2 - US2011193227A1 ...   
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[实用新型] 一种布线结构及具有该布线结构的晶圆 - 201720994180.9
有权

申请人:华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 - 申请日:2017-08-09 - 主分类号:H01L23/485(2006.01)I
分类号:H01L23/485(2006.01)I
摘要:本实用新型公开了一种布线结构及具有该布线结构的晶圆,涉及半导体技术领域,其中所述布线结构包括:第一绝缘层,覆盖晶圆表面;所述第一绝缘层开设有第一开口,露出所述第一绝缘层底部的金属焊盘;再布线层,设置于所述第一绝缘层表面,通过所述第一开口与所述金属焊盘连接;第二绝缘层,套设于所述再布线层表面,并且当再布线层的相邻导线之间的距离大于预设值时,套设于相邻导线上的第二绝缘层间设置有间距。本实用新型实施例所提供的布线结构,第二绝缘层套设于再布线层表面,依附于再布线层的导线分布,使得晶圆表面的再布线层各导线的应力能够去耦合,从而降低晶圆翘曲度。
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