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[发明] 一种异质外延生长大尺寸单晶金刚石的衬底及其制备方法 - 201410794743.0
无权-视为撤回

申请人:哈尔滨工业大学 - 申请日:2014-12-20 - 主分类号:C30B29/04(2006.01)I
发明人:王杨;代兵;朱嘉琦;舒国阳
摘要:本发明公开了一种异质外延生长大尺寸单晶金刚石的衬底及其制备方法。所述衬底自下而上依次为Si衬底、TiN单晶籽晶层、金属氧化物单晶薄膜层、铱单晶薄膜层。本发明设计并制备了一种可异质外延生长大尺寸单晶金刚石的叠层,特别地,在其中插入了TiN单晶籽晶层作为外延模板和过渡缓冲层,提高了氧化物及整个衬底外延层的晶向的取向一致度及生长质量,从而为生长高质量大尺寸单晶金刚石提供了可能;本发明由于使用了TiN缓冲层,整个外延叠层结构可以基于Si衬底进行,使得外延成本大大地降低,同时基于Si衬底生长金刚石,可以更好地与电子信息工业相匹配。
引用[6]:US2007084398A1 - US6872988B1 - JPH09309794A - CN101892521A - CN102031561A - CN102296362A   
被引用[3]:CN107268076A - CN108707965A - CN109355702A   
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[发明授权] 一种同质外延生长单晶金刚石时控制表面温度的方法 - 201510199722.9;104775154B
有权

申请人:哈尔滨工业大学 - 申请日:2015-04-25 - 主分类号:C30B25/16(2006.01)I
发明人:舒国阳;代兵;朱嘉琦;王杨;杨磊;韩杰才
摘要:一种同质外延生长单晶金刚石时控制表面温度的方法,属于晶体生长技术领域。针对现有的MWCVD生长系统中籽晶表面温度难以有效调控的问题,本发明所述方法包括步骤如下:金刚石籽晶清洗→焊接→选择隔热丝→制作隔热丝→放置样品→生长前准备工作→金刚石生长。本发明通过制备隔热用隔热丝,确保了金刚石样品表面温度不会因为导热过快而过低,且根据不同工艺参数选择不同规格的隔热丝,实现金刚石样品表面温度可控,使金刚石在所需的温度等工艺参数下进行生长。由于隔热丝的特殊形态,保证了金刚石样片表面水平,与等离子体球均匀接触,保证了温度场及碳源密度的均匀性,使得生长效果更好。
同族[1]:CN104775154A  >>更多 - 什么是同族
引用[6]:US2013266742A1 - WO2014090664A1 - CN102666944A - CN103403837A - CN104220635A - CN1441860A   
被引用[9]:CN104972189A - CN104988578A - CN105177533A - CN105525344A - CN106012003A - CN106048719A ...   
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[发明授权] 一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法 - 201510546952.8;105063565B
有权

申请人:哈尔滨工业大学 - 申请日:2015-08-31 - 主分类号:C23C14/35(2006.01)I
发明人:杨磊;朱嘉琦;郭帅;代兵;杨振怀;舒国阳
摘要:一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法,它涉及红外透明导电氧化物薄膜的制备方法,尤其涉及一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法。本发明要解决现有的被动式红外探测系统中红外透明导电薄膜不能同时兼顾屏蔽干扰电磁波信号和保持中、远红外波段高透过性的问题。本发明按以下步骤进行:一、焊接;二、清洗;三、镀膜前准备工作;四、在氧气氛中溅射镀膜;五、关机。本发明解决了红外透明导电薄膜不能同时兼顾屏蔽干扰电磁波信号和保持中、远红外波段高透过性的问题。本发明适用于红外透明导电氧化物薄膜的制备领域。
同族[1]:CN105063565A  >>更多 - 什么是同族
引用[4]:JPH01203258A - CN101295560A - CN102242339A - CN1254191A   
被引用[2]:CN108677155A - CN109659396A   
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[发明] 一种同质外延生长单晶金刚石时控制表面温度的方法 - 201510199722.9
有权

申请人:哈尔滨工业大学 - 申请日:2015-04-25 - 主分类号:C30B25/16(2006.01)I
发明人:舒国阳;代兵;朱嘉琦;王杨;杨磊;韩杰才
摘要:一种同质外延生长单晶金刚石时控制表面温度的方法,属于晶体生长技术领域。针对现有的MWCVD生长系统中籽晶表面温度难以有效调控的问题,本发明所述方法包括步骤如下:金刚石籽晶清洗→焊接→选择隔热丝→制作隔热丝→放置样品→生长前准备工作→金刚石生长。本发明通过制备隔热用隔热丝,确保了金刚石样品表面温度不会因为导热过快而过低,且根据不同工艺参数选择不同规格的隔热丝,实现金刚石样品表面温度可控,使金刚石在所需的温度等工艺参数下进行生长。由于隔热丝的特殊形态,保证了金刚石样片表面水平,与等离子体球均匀接触,保证了温度场及碳源密度的均匀性,使得生长效果更好。
同族[1]:CN104775154B  >>更多 - 什么是同族
引用[6]:US2013266742A1 - WO2014090664A1 - CN102666944A - CN103403837A - CN104220635A - CN1441860A   
被引用[9]:CN104972189A - CN104988578A - CN105177533A - CN105525344A - CN106012003A - CN106048719A ...   
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[发明] 一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法 - 201510394176.4
有权

申请人:哈尔滨工业大学 - 申请日:2015-07-07 - 主分类号:C23C16/27(2006.01)I
发明人:朱嘉琦;陈亚男;代兵;舒国阳;王强;王杨;孙明琪;高鸽
摘要:一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法,它涉及一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法。本发明的目的是要解决目前金刚石微米棒阵列膜制备工艺复杂,制备成本较高,不能精确控制孔洞长径比的问题,本发明步骤为:硅片模板的制备、涂覆金刚石悬浮液、放置样品、金刚石微米棒阵列膜的生长、硅片模板的剥离,即完成。本发明利用多孔硅片模板代替AAO模板制备金刚石微米棒阵列膜,降低了薄膜的制备成本,简化了制备的工艺过程,通过调整硅片上孔洞的直径以及深度可以制备具有不同长径比的微米棒阵列,从而研究不同微米棒长径比对材料性能的影响。本发明应用于薄膜生长技术领域。
同族[1]:CN104947069B  >>更多 - 什么是同族
引用[5]:JP2007273524A - CN102244051A - CN1275635A - CN1616708A - CN1772947A   
被引用[1]:CN107267954A   
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[发明] 利用氢等离子体多次刻蚀/退火循环工艺提高金刚石籽晶质量的方法 - 201510304702.3
有权

申请人:哈尔滨工业大学 - 申请日:2015-06-04 - 主分类号:C30B25/18(2006.01)I
发明人:朱嘉琦;陈亚男;代兵;舒国阳;王强;赵继文;刘康
摘要:利用氢等离子体多次刻蚀/退火循环工艺提高金刚石籽晶质量的方法,它涉及一种提高金刚石籽晶质量的方法。本发明是为了解决现有提高金刚石籽晶质量的方法过程耗时较长、操作相对复杂,并且容易导致籽晶表面质量劣化的问题,方法为:一、金刚石籽晶清洗;二、焊接;三、放置籽晶;四、氢等离子体刻蚀/退火,即完成。本发明氢等离子体刻蚀/退火处理能够在同一仪器中同时去除金刚石籽晶表面上由机械抛光引起的晶体缺陷、表面及亚表面损伤以及金刚石籽晶内部应力和缺陷,提高结晶度,从而获得高质量的籽晶,并极大简化了操作,节约了时间和成本。本发明应用于晶体生长技术领域。
同族[1]:CN104975343B  >>更多 - 什么是同族
引用[7]:WO2014090664A1 - JP2012235136A - CN101037793A - CN102666944A - CN102791629A - CN1559892A ...   
被引用[3]:CN105328291A - CN108682662A - CN109371463A   
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[发明] 一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法 - 201510546952.8
有权

申请人:哈尔滨工业大学 - 申请日:2015-08-31 - 主分类号:C23C14/35(2006.01)I
发明人:杨磊;朱嘉琦;郭帅;代兵;杨振怀;舒国阳
摘要:一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法,它涉及红外透明导电氧化物薄膜的制备方法,尤其涉及一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法。本发明要解决现有的被动式红外探测系统中红外透明导电薄膜不能同时兼顾屏蔽干扰电磁波信号和保持中、远红外波段高透过性的问题。本发明按以下步骤进行:一、焊接;二、清洗;三、镀膜前准备工作;四、在氧气氛中溅射镀膜;五、关机。本发明解决了红外透明导电薄膜不能同时兼顾屏蔽干扰电磁波信号和保持中、远红外波段高透过性的问题。本发明适用于红外透明导电氧化物薄膜的制备领域。
同族[1]:CN105063565B  >>更多 - 什么是同族
引用[4]:JPH01203258A - CN101295560A - CN102242339A - CN1254191A   
被引用[2]:CN108677155A - CN109659396A   
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[发明] 基于应力和结合强度演变机制的涂层寿命预测方法 - 201510657869.8
有权

申请人:哈尔滨工业大学 - 申请日:2015-10-13 - 主分类号:G01N17/00(2006.01)I
发明人:朱嘉琦;高鸽;代兵;王杨;舒国阳;陈亚楠;刘康;赵继文
摘要:基于应力和结合强度演变机制的涂层寿命预测方法,涉及一种涂层寿命的预测方法。本发明为了解决目前还没有一种全面客观的涂层寿命预测方法的问题。本发明首先建立残余应力—时间变化关系和氧化层应力—时间变化关系;并建立涂层应力演变物理模型;然后进行热循环加速试样老化实验,根据涂层应力演变物理模型与试样应力值—时间关系得到人工加速老化的试样的加速倍数;再采用划痕仪对人工加速老化的试样进行结合强度测试,拟合出结合强度—老化时间的关系并绘制成变化曲线将变化曲线与时间轴的交点所对应的时间作为人工加速老化的试样寿命l;以L=试样寿命l*最终加速倍数k作为的预测寿命。本发明适用于涂层寿命的预测领域。
同族[1]:CN105223125B  >>更多 - 什么是同族
引用[4]:CN102593921A - CN103558144A - CN103792250A - CN1975394A   
被引用[2]:CN106706252A - CN109764995A   
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[发明] 微波增强等离子体化学气相沉积中功率-气压-温度耦合方法 - 201510786301.6
有权

申请人:哈尔滨工业大学 - 申请日:2015-11-16 - 主分类号:C23C16/52(2006.01)I
发明人:朱嘉琦;高鸽;代兵;舒国阳;刘康;陈亚楠;赵继文
摘要:微波增强等离子体化学气相沉积中功率-气压-温度耦合方法,它涉及微波增强等离子体化学气相沉积技术的改进方法。本发明要解决现有的MPCVD技术制备金刚石薄膜过程中,由于基体温度、功率密度和沉积气压对于制备出的金刚石薄膜质量影响大的问题。本发明方法为:步骤一、实验数据采集步骤;二、检测试样质量;步骤三、制备工艺参数关系拟合。本发明的方法可以提高单晶金刚石的生长质量。
同族[1]:CN105296966B  >>更多 - 什么是同族
引用[4]:WO9713892A1 - CN103411940A - CN104034744A - CN104451607A   
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[发明] 一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法 - 201611130191.9
有权
权利转移

申请人:哈尔滨工业大学 - 申请日:2016-12-09 - 主分类号:C01B32/26(2017.01)I
发明人:朱嘉琦;姚凯丽;代兵;杨磊;赵继文;舒国阳;刘康;韩杰才
摘要:一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法,本发明涉及金刚石微粉生长技术领域。本发明要解决现有制备人造金刚石成本较高、质量较低、不易分散、工艺不可控、衬底选择受限的问题。方法:一、石墨片的表面处理;二、利用等离子体刻蚀法在石墨上制备金刚石;三、分散金刚石颗粒,即完成等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法。本发明用于一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法。
同族[1]:CN106744931B  >>更多 - 什么是同族
引用[5]:US5527559A - CN103482623A - CN105624642A - CN1084489A - CN1559892A   
被引用[2]:CN107557858A - CN108505018A   
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