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[发明] 一种均匀的高熵氧化物陶瓷亚微米级球形粉体及其制备方法 - 201911103057.3
审中-实审

申请人:西安交通大学 - 申请日:2019-11-12 - 主分类号:C04B35/624(20060101)
发明人:王红洁;徐亮;苏磊;彭康
摘要:本发明公开了一种均匀的高熵氧化物陶瓷纳米粉体及其制备方法,属于高熵陶瓷的制备技术领域。该方法将等摩尔含量的CoO、CuO、MgO、NiO、ZnO固溶形成的多组元单相固溶体,其晶体结构为岩盐型面心立方结构,颗粒粒径在0.6μm~1.2μm之间。该方法制备的均匀的高熵氧化物(Co0.2Cu0.2Mg0.2Ni0.2Zn0.2)O陶瓷纳米粉体颗粒分布均匀,为纳米尺度,适合用作锂离子电池正极活性材料、高温热障涂层、热防护材料、新能源等领域。该方法具有工艺简单,安全可靠,同时对设备要求低,所制备的产物较为纯净,没有任何杂峰,产物颗粒的粒径均匀,属于纳米级别。而且节能环保,产量大适合大规模生产。
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[发明] 一种低金属离子残留的多孔氮化硅陶瓷的制备方法 - 201410108149.1
无权-未缴年费

申请人:西安交通大学 - 申请日:2014-03-21 - 主分类号:C04B35/584(2006.01)I
发明人:王红洁;樊磊;史忠旗;王继平;夏鸿雁
摘要:本发明公开了一种低金属离子残留的多孔氮化硅陶瓷的制备方法,解决现有液相烧结制备多孔氮化硅陶瓷时,因大量烧结助剂的加入,而使得大量玻璃相和金属离子残留在晶界中导致材料的高温性能和电性能下降等问题;该方法包括:采用氮化硅粉为原料,以高温具有强烈挥发性的金属氧化物Li2O,配合少量的稀土氧化物作为烧结助剂,在氮气氛下无压烧结,烧结温度为1600℃,并利用高温Li离子及含Li液相的挥发,在1500℃的真空热处理或1800℃高温热处理中将Li离子和含Li液相去除;本发明可以制备出气孔率介于50-60%之间,抗弯强度为65-150MPa,其中Li含量低于0.03%, 稀土离子含量低于0.3%的低金属离子残留的高性能多孔氮化硅陶瓷。
同族[1]:CN103922749B  >>更多 - 什么是同族
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[发明] 一种在多孔陶瓷基体表面制备陶瓷涂层的方法 - 201110380582.7
无权-驳回

申请人:西安交通大学 - 申请日:2011-11-25 - 主分类号:C04B41/87(2006.01)I
发明人:王红洁;王超;陈纪伟;乔冠军;杨建锋
摘要:本发明公开了一种在多孔陶瓷基体表面制备陶瓷涂层的方法,首先选取多孔陶瓷基体并进行细磨,然后对细磨后的多孔陶瓷基体进行超声清洗,随后对清洗后的多孔陶瓷基体进行烘干,最后选取喷涂原料进行超音速等离子喷涂;该制备方法可以在高气孔率陶瓷基体表面制备陶瓷涂层,且涂层中的颗粒能有效、充分的钉扎在基体中,涂层和基体之间的结合比较牢固,不需要制备打底层或过渡层,具有简单、灵活、高效且易于工业化应用的特点。
引用[2]:US6638575B1 - CN1793056A   
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[发明] 一种利用热致相分离技术制备多孔陶瓷的方法 - 201210451675.9
无权-未缴年费

申请人:西安交通大学 - 申请日:2012-11-12 - 主分类号:C04B38/06(2006.01)I
发明人:王红洁;岳建设;董斌超;乔冠军;史忠旗
摘要:本发明公开了一种利用热致相分离技术制备多孔陶瓷的方法,该方法使用易挥发的苯甲酸BA作为造孔剂,将其溶于无水乙醇中,然后通过热致相分离技术控制造孔剂数量和形貌,采用传统的注浆成型方法制备陶瓷素坯;该发明能够通过控制相分离温度,降温速度以及溶液粘度来控制分离相造孔剂的数量、尺寸和形状;从而控制多孔陶瓷的气孔率大小和孔形状;具有对气孔形貌和气孔大小可控且能够低温造孔的优点。
同族[1]:CN102951924B  >>更多 - 什么是同族
引用[3]:CN102260092A - CN102718411A - CN1356410A   
被引用[2]:CN105819883A - CN106823564A   
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[发明授权] 电子封装用定向多孔SiC-Cu复合材料及制备方法 - 201410285915.1;104046877B
无权-未缴年费

申请人:西安交通大学 - 申请日:2014-06-23 - 主分类号:C22C29/06(2006.01)I
发明人:史忠旗;张阔;夏鸿雁;王继平;乔冠军;王红洁;杨建锋
摘要:本发明公开了一种电子封装用定向多孔SiC-Cu复合材料及制备方法,该复合材料按体积分数计,由55~70%的SiC增强相和30~45%的Cu基质相组成,基质相和增强相是相互连续的;其制备方法采用真空溶胶-凝胶浸渍工艺结合氢气还原法在定向多孔SiC陶瓷内表面涂覆均匀连续的金属钨层,解决了SiC与Cu之间的润湿性问题,不仅使自发熔渗易于进行,而且能充分发挥Cu的高导热优势,明显改善复合材料的热物理性能。本发明工艺简单、成本低、能制备各种复杂形状的复合材料。
同族[1]:CN104046877A  >>更多 - 什么是同族
引用[2]:CN102962434A - CN103382534A   
被引用[3]:CN104962771A - CN108796262A - CN108796267A   
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[发明] 硅碳复合材料及其制备方法和应用 - 201810798628.9
审中-实审

申请人:西安交通大学苏州研究院 - 申请日:2018-07-19 - 主分类号:H01M4/36(2006.01)I
发明人:王小兰;徐慧;金宏;王红洁;吴世超;陈睿;张亚文
摘要:本发明涉及一种硅碳复合材料的制备方法:将具有多孔结构的生物质材料在镍盐水溶液中浸泡,烘干;将烘干的生物质材料在400‑600℃下进行碳化处理,反应结束后浸入酸的水溶液中,再分离出碳化后的生物碳材料并清洗至中性;将经处理过的碳化后的生物碳材料与硅纳米粒子在水中混合,冷冻干燥后得到硅碳复合材料。本发明还提供了一种采用上述方法所制备的硅碳复合材料,包括生物碳材料以及与生物碳材料连接的硅纳米粒子,生物碳材料的表面及内部分布有若干三维多级孔,上述硅碳复合材料作为电极材料的应用。以生物碳材料作为骨架,与SiNPs复合,所制备的复合材料作为电极时具有稳定的电极结构,电导性、循环性能得到提高。
引用[3]:CN102509781A - CN106058207A - CN107244664A   
被引用[1]:CN110071281A   
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[发明授权] 一种低金属离子残留的多孔氮化硅陶瓷的制备方法 - 201410108149.1;103922749B
无权-未缴年费

申请人:西安交通大学 - 申请日:2014-03-21 - 主分类号:C04B35/584(2006.01)I
发明人:王红洁;樊磊;史忠旗;王继平;夏鸿雁
摘要:本发明公开了一种低金属离子残留的多孔氮化硅陶瓷的制备方法,解决现有液相烧结制备多孔氮化硅陶瓷时,因大量烧结助剂的加入,而使得大量玻璃相和金属离子残留在晶界中导致材料的高温性能和电性能下降等问题;该方法包括:采用氮化硅粉为原料,以高温具有强烈挥发性的金属氧化物Li2O,配合少量的稀土氧化物作为烧结助剂,在氮气氛下无压烧结,烧结温度为1600℃,并利用高温Li离子及含Li液相的挥发,在1500℃的真空热处理或1800℃高温热处理中将Li离子和含Li液相去除;本发明可以制备出气孔率介于50-60%之间,抗弯强度为65-150MPa,其中Li含量低于0.03%, 稀土离子含量低于0.3%的低金属离子残留的高性能多孔氮化硅陶瓷。
同族[1]:CN103922749A  >>更多 - 什么是同族
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[发明授权] 一种制备氧化铝基连续纤维的方法 - 200910023686.5;101634056B
无权-未缴年费

申请人:西安交通大学 - 申请日:2009-08-25 - 主分类号:D01F9/08(2006.01)I
发明人:杨建锋;张亚彬;王波;谭宏斌;丁亚平;王红洁;乔冠军
摘要:本发明公开了一种制备氧化铝基连续纤维的方法,利用聚丙烯熔融后的粘度,通过加入石蜡降低熔点,加入硬脂酸改善融体的表面活性和润滑性,在聚丙烯的融体中加入氧化铝和氧化硅粉体,再经过干法纺丝、干燥、脱脂排除高聚物,最后通过高温烧成得到直径为10~100μm的氧化铝基连续纤维。制备所得到的氧化铝基连续纤维具有很好的韧性,并且能够缠绕在导向辊上,纤维断面致密,可以满足特殊的使用要求,例如复合材料的纤维预制体或其他结构材料。
同族[1]:CN101634056A  >>更多 - 什么是同族
被引用[2]:CN102358697A - CN108570725A   
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[发明授权] 一种高强高密各向同性炭滑板的制备方法 - 200910219517.9;101747039B
无权-未缴年费

申请人:西安交通大学 - 申请日:2009-12-16 - 主分类号:C04B35/52(2006.01)I
发明人:乔冠军;夏鸿雁;王继平;史忠旗;杨建峰;王红洁
摘要:本发明公开了一种高强高密各向同性炭滑板的制备方法,采用纳米碳化硅和中间相炭微球为原料,其中纳米碳化硅占原料的2~10wt.%,经过无水乙醇湿混、干燥后,在室温下50~400MPa压力成型,再在氮气氛下900~1500℃高温焙烧,即可得到一种高强高密各向同性炭材料。本发明制备的高强高密各向同性炭密度≥1.75g/cm3,三点弯曲强度≥85MPa,电阻率≤35μΩ·m。与此同时,该制备方法简单易控,成本低,且制品表面具有层片结构,适用于作为高速列车等的滑板材料使用。
同族[1]:CN101747039A  >>更多 - 什么是同族
被引用[7]:CN104891996A - CN105884357A - CN107857591A - CN108409326A - CN108774065A - CN109928755A ...   
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[发明授权] 多孔氮化物陶瓷基体表面制备致密O’-sialon/α-Si3N4复相陶瓷涂层的方法 - 201310603630.3;103664235B
无权-未缴年费

申请人:西安交通大学 - 申请日:2013-11-22 - 主分类号:C04B41/87(2006.01)I
发明人:王红洁;王超;范星宇;牛敏;史忠旗;王继平
摘要:多孔氮化物陶瓷基体表面制备致密O’-sialon/α-Si3N4复相陶瓷涂层的方法,步骤如下:1、基体处理,2、钇铝硅陶瓷粉末的制备,3、料浆制备,4、料浆喷涂,5、试样干燥、6、试样烧结;所制备的O’-sialon/α-Si3N4复相陶瓷涂层厚度均匀可控,结构致密,无微观裂纹,该方法可以在高气孔率的复杂形状的氮化物陶瓷基体表面制备O’-sialon/α-Si3N4复相陶瓷涂层,并且通过控制喷涂次数和烧结温度来控制涂层中O’-sialon相含量;该方法具有简单、灵活、高效且易于工业化应用的特点。
同族[1]:CN103664235A  >>更多 - 什么是同族
引用[1]:CN102942385A   
被引用[2]:CN105130505A - CN107244944A   
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