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[发明授权] 用离子注入实现半导体器件互联的方法 - 92109138.9;1027778C
无权-未缴年费

申请人:北京师范大学 - 申请日:1992-08-07 - 主分类号:H01L21/74
发明人:韩德俊;李国辉;朱恩钧;王琦
摘要:一种半导体器件互连的制造方法在半绝缘半导体材料中实现半绝缘-低电阻率导电层-半绝缘衬底结构以及器件之间的内部互连。用MeVSi+埋层注入及选择注入,然后低剂量O+注入,在半绝缘GaAs半导体中得到了SI/n+埋层结构以及n+埋层与制作在表面的器件之间的内部互连。本发明在一种新型GaAsMESFET的制作中得到实施。
同族[1]:CN1082769A  >>更多 - 什么是同族
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[发明] 用高能离子注入实现SI/n+埋层结构及元件内部互联 - 92109138.9
无权-未缴年费

申请人:北京师范大学 - 申请日:1992-08-07 - 主分类号:H01L21/74
发明人:韩德俊;李国辉;朱恩钧;王琦
摘要:一种利用高能离子注入的方法在半绝缘衬底中 实现SI/n+(高浓度n型衬底上的半绝缘层)埋层结 构和单片电路中元件之间的内部互连。用高能Si+和低剂量O+注入相结合的技术在半 绝缘GaAs材料中得到了SI/n+埋层结构。用n+选 择注入将n+埋层与制作在SI层上的元件连通,从而 实现了集成电路中元件之间的内部互连。
同族[1]:CN1027778C  >>更多 - 什么是同族
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