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[发明] 一种实现AVS视频标准时域分级的编解码方法 - 200910061894.4
有权

申请人:武汉大学 - 申请日:2009-04-30 - 主分类号:H04N7/26(2006.01)I
发明人:胡瑞敏;王啟军;王中元;夏洋;陈皓
摘要:本发明属于图像处理技术领域,特别涉及一种实现AVS视频标准时域分级的方法,其特征在于:在P帧的图像头添加长度为1比特的语法元素NON_REFERENCE_FLAG,设定当NON_REFERENCE_FLAG的值为0时,该P帧被允许作为后续帧编解码的参考帧,即为可参考P帧;当NON_REFERENCE_FLAG的值为1,该P帧不被允许作为后续帧编解码的参考帧,既为非参考P帧。本发明可以在现有AVS视频标准基础上实现时域分级功能,保证AVS视频码流具有至少两个帧率,并且与原编码标准相比,不会带来编码效率的明显降低。
同族[1]:CN101621688B  >>更多 - 什么是同族
被引用[4]:WO2012094975A1 - CN102196253A - CN104754345A - CN112291569A   
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[外观] 热型原子层沉积设备机柜(TALD) - 201130395448.5
无权-届满

申请人:嘉兴科民电子设备技术有限公司 - 申请日:2011-11-01 - 主分类号:15-99
发明人:吕树玲;夏洋;陈波;李超波;万军;饶志鹏;马舒;石莎莉;李勇滔
摘要:1.本外观设计产品的名称:热型原子层沉积设备机柜(TALD)。2.本外观设计产品的用途:用于原子层薄膜沉积。3.本外观设计的设计要点:外部形状。4.最能表明设计要点的图片或者照片:立体图。
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[发明] 一种异质结太阳能电池及其制备方法 - 201110263401.2
有权

申请人:中国科学院微电子研究所 - 申请日:2011-09-07 - 主分类号:H01L31/0216(2006.01)I
发明人:夏洋;刘邦武;沈泽南;李超波;刘杰;李勇滔
摘要:本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池制备技术领域。所述太阳能电池包括金属栅电极、导电薄膜、非晶硅薄膜、黑硅层、晶硅和金属背电极;金属背电极位于晶硅的背面,黑硅层位于晶硅上,非晶硅薄膜位于黑硅层上,导电薄膜位于非晶硅薄膜上,金属栅电极位于导电薄膜上。本发明还提供了一种异质结太阳能电池的制备方法。本发明通过在黑硅结构上制备非晶硅薄膜,形成异质结太阳能电池,提高了太阳能电池的开路电压和短路电流,进而大大提高了太阳能电池的转化效率。
同族[1]:CN102270668B  >>更多 - 什么是同族
引用[5]:US2010147383A1 - US7057256B2 - CN101916787A - CN101950779A - CN102280513A   
被引用[4]:CN102534505A - CN102820348A - CN106409959A - CN106505109A   
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[实用新型] 一种辅助刻蚀工艺的自动硅片装片机 - 201120398027.2
无权-避重放弃

申请人:嘉兴科民电子设备技术有限公司 - 申请日:2011-10-19 - 主分类号:H01L21/677(2006.01)I
发明人:夏洋
摘要:一种辅助刻蚀工艺的自动硅片装片机,包括机架,所述机架的操作平台上安装有带空腔的底座,所述底座上连接有可旋转的带空腔的上盖,所述底座内从下往上依次安装有抽气平台、装片PSS盘、硅片定位盘,所述硅片定位盘由固定盘定位固定安装;所述底座上开有腔体第一出口、腔体第二出口、腔体第三出口,所述腔体第一出口与抽气平台连通,所述腔体第二出口和腔体第三出口均设在抽气平台的外侧,所述腔体第一出口、腔体第二出口与对腔体抽真空的真空泵连接,所述真空泵安装在机架底部平台上,所述腔体第三出口与输送氮气进入腔体的装置连接。本实用新型的优点:自动化程度高,操作方便,节省劳动力,降低了装片时的破损率,提高了刻蚀工艺的工作进程。
被引用[1]:CN102403252A   
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[实用新型] 一种太阳能车棚 - 201320162510.X
有权

申请人:嘉兴科民电子设备技术有限公司 - 申请日:2013-04-02 - 主分类号:E04H6/00(2006.01)I
发明人:夏洋;刘邦武;贾泓超
摘要:本实用新型涉及太阳能技术领域,特别涉及一种太阳能车棚,包括反射元件、至少两个太阳能电池组件、棚体及与太阳能电池组件相同数量的支撑部分。所有的支撑部分沿直线方向固定在棚体的顶端。每个电池组件的底端与棚体的顶端固定,每个电池组件的顶端与一个支撑部分的顶端固定。每两个太阳能电池组件之间设置有一个反射元件,且反射元件的两端分别与两侧的太阳能电池组件连接。本实用新型提供的太阳能车棚,能充分的利用太阳能电池组件周围的阳光,提高了太阳能电池组件的工作效率。
被引用[1]:CN105464421A   
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[发明] 一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法 - 201010561021.2
有权

申请人:中国科学院微电子研究所 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 - 申请日:2010-11-26 - 主分类号:C23C16/36(2006.01)I
发明人:刘键;饶志鹏;夏洋;石莎莉
摘要:本发明涉及氮化碳的制备技术,具体涉及一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法,包括如下步骤:将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中;向所述原子层沉积设备反应腔中通入重氮甲烷,所述重氮甲烷在硅衬底表面进行化学吸附;所述的重氮甲烷与通入的气态碘单质发生卤代反应,形成不稳定的碳碘键;所述卤代反应停止后,再通入氨气继续进行胺化反应,所述碳碘键中的碘原子被氨气中的氮原子取代;所述胺化反应结束后,硅衬底表面所形成的物质即为单晶立方型氮化碳薄膜。本发明利用原子层沉积技术制备单晶立方型氮化碳薄膜,该制备方法操作简单,转化率高,能耗小,更加有利于碳、氮原子的沉积和氮化碳薄膜的生长,且制得的氮化碳薄膜结构完整。
同族[1]:CN102115878B  >>更多 - 什么是同族
引用[4]:US6090358A - WO2010024037A1 - CN101205608A - CN1462818A   
被引用[2]:CN103205805A - CN103205806A   
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[发明] 一种气体分配器及原子层沉积设备 - 201210001944.1
有权

申请人:中国科学院微电子研究所 - 申请日:2012-01-05 - 主分类号:C23C16/455(2006.01)I
发明人:张艳清;夏洋;李超波;万军;吕树玲;陈波;石莎莉;李楠
摘要:本发明涉及原子层沉积设备技术领域,具体涉及一种气体分配器及包括该气体分配器的原子层沉积设备。所述气体分配器,包括进气管道、过渡管道和配气盘,所述配气盘固定设置在所述过渡管道的出气口,所述过渡管道的进气口与所述进气管道连接,所述配气盘上有出气孔,所述配气盘的外表面设有倾斜设置的气体导流板。本发明能够实现前躯体完整地覆盖样品表面,而且由于气体具有水平方向的分速度,使覆盖整个基片变得更为快速,很好地提高薄膜均匀性,有效地降低了成本。
同族[1]:CN103194736B  >>更多 - 什么是同族
引用[3]:KR20090055435A - CN101824607A - CN101842880A   
被引用[3]:CN104046960A - CN108385079A - CN110468390A   
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[发明] 电感耦合等离子体线圈及等离子体注入装置 - 201110421748.5
有权

申请人:中国科学院微电子研究所 - 申请日:2011-12-15 - 主分类号:H01J37/32(2006.01)I
发明人:窦伟;李楠;李超波;夏洋
摘要:公开了一种电感耦合等离子体线圈,包括:若干组处于同一平面内的射频线圈;每组所述射频线圈由两组U型回折矩形线圈耦合而成;每组所述U型回折矩形线圈包括两个长直线段,一个短直线段。还公开了一种设置有上述等离子体线圈的电感耦合等离子体注入装置。本发明提供的电感耦合等离子体线圈及注入装置,一方面能够减少线圈中的驻波效应,增加等离子体的均匀性。另一方面能够更好地实现阻抗匹配,增加等离子体的耦合效率,降低由于过高的电压导致石英窗溅射从而造成样片污染的可能性,还能够在大面积反应腔室中产生大面积,均匀的高密度等离子体,以满足微电子领域的实验室以及工业上的需求。
同族[1]:CN103165383B  >>更多 - 什么是同族
引用[8]:US2005199186A1 - US2009173445A1 - US6646385B2 - JP2000345351A - KR100748392B1 - CN101409126A ...   
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[发明] 一种晶圆级阳极键合方法 - 201110395020.X
有权

申请人:中国科学院微电子研究所 - 申请日:2011-12-02 - 主分类号:B81C3/00(2006.01)I
发明人:罗巍;解婧;张阳;李超波;夏洋
摘要:本发明涉及一种晶圆级阳极键合方法。所述晶圆级阳极键合方法,包括如下步骤:将待键合的硅或金属样片和玻璃样片浸泡到清洗液中清洗;将清洗后的硅或金属样片和玻璃样片吹干,放入键合装置中,一边加热,一边抽真空,到达预设工作温度和真空度后,加电压到单点阴极,使贴合后的硅和玻璃发生第一次阳极键合;将第一次阳极键合后的样片,放入键合装置中,一边加热,一边抽真空,到达预设工作温度和真空度后,加电压和压力到平板阴极,使第一次键合后的样片中未键合部分全部完成键合。本发明使用两步键合的方法,能够实现大面积、键合界面无气泡的高质量、高效率的阳极键合,工艺过程简单,可控性强。
同族[1]:CN103130180B  >>更多 - 什么是同族
引用[13]:US2007177360A1 - US5141148A - US5820648A - DE10206832B4 - JP2007059564A - JP2008013385A ...   
被引用[4]:CN103523746A - CN105460888A - CN105865669A - CN111393041A   
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[发明] 真空隔离阀装置 - 201210011850.2
无权-视为撤回

申请人:中国科学院微电子研究所 北京泰龙电子技术有限公司 - 申请日:2012-01-16 - 主分类号:F16K3/02(2006.01)I
发明人:胡冬冬;周宗义;刘训春;夏洋
摘要:公开了一种真空隔离阀装置,包括:设置有方孔结构的阀体、密封部件、连接过渡部件及活动阀板;所述密封部件设置在所述阀体上端中央位置,用于半导体真空腔室之间连通时的密封;所述连接过渡部件通过所述密封部件与所述活动阀板连接,通过外力作用控制所述活动阀板的升降。本发明提供的一种真空隔离阀装置,能缩小硅片传输距离或使传输距离可调整,便于装配、维修;结构简单,节约材料及生产加工成本,可实现同不同腔体连接,机构简单、成本经济、稳定性高、便于维护。
引用[6]:JP2003097736A - CN1527914A - CN1749609A - CN1790617A - CN201475395U - TW455661B   
被引用[3]:US10473231B2 - EP3239574B1 - CN106848497A   
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