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[发明] 基板装置及其制造方法 - 201380053007.3
无权-未缴年费

申请人:夏普株式会社 - 申请日:2013-10-09 - 主分类号:H01L21/768(2006.01)I
分类号:H01L21/768(2006.01)I G02F1/1333(2006.01)I G02F1/1345(2006.01)I G02F1/1368(2006.01)I G09F9/30(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L29/786(2006.01)I
摘要:即使是在数据配线间产生了导电性膜残余物的情况下,也能可靠地切断电流泄漏路径。TFT面板(100)的层间绝缘膜(6)在与绝缘性保护膜(8)的图案边缘(81)相应的位置具备层间绝缘膜开口部(61)。
同族[4]:US2015270292A1 - US9337216B2 - WO2014061531A1 - CN104704627B  >>更多 - 什么是同族
引用[15]:US2002173155A1 - US2011169004A1 - US7612849B2 - US9057920B2 - WO2010016178A1 - WO2010016179A1 ...   
被引用[4]:US10663821B2 - US9583515B2 - WO2014174902A1 - WO2017077994A1   
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[发明] 用于从振动分子电荷捕获电能的电路 - 201680041597.1
审中-实审

申请人:B·J·格鲁恩沃德 - 申请日:2016-05-15 - 主分类号:H02N2/18(2006.01)I
分类号:H02N2/18(2006.01)I H02M7/06(2006.01)I H02M7/217(2006.01)I H01L29/786(2006.01)I
摘要:根据本发明的多种实施方式,整流器电路可以被配置为捕获由振动分子电荷引起的电流和/或电压。任意数量的这种整流器电路可以被串联或并联地制造以提供电源。实际上,本发明的多种实施方式捕获或“收获”振动分子电荷的热能并将该能量转换成电能。在本发明的某些实施方式中,整流器可以包括二极管。在本发明的某些实施方式中,整流器可以包括场效应晶体管。
同族[5]:US2016336880A1 - WO2016187079A2 - WO2016187079A3 - EP3295555A2 - EP3295555A4  >>更多 - 什么是同族
引用[6]:US2004239119A1 - US2011309409A1 - US2013134891A1 - US2013329476A1 - US4152537A - DE102010062677A1   
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[发明授权] 半导体器件 - 94109535.5;1052115C
无权-届满

申请人:株式会社半导体能源研究所 - 申请日:1994-06-10 - 主分类号:H01L29/786
分类号:H01L29/786 H01L21/336 H01L49/00 H01L21/324
摘要:一种绝缘栅场效应晶体管包括一硅沟道区。该硅用加热退火法晶化而适当的金属元素诸如镍之类协助晶化。该晶化在硅膜中横向从直接引入镍的部分发生。该TFT按这种方式设置,使TFT的源-漏方向与晶体生长的方向相一致或在所要求的方向与晶体生长方向相交叉。
同族[9]:US5932893A - US6475840B1 - JP2001007025A - JP3621331B2 - JPH06349735A - KR100297878B1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[68]:US3505572A - US4133698A - US4174217A - US4226898A - US4231809A - US4239554A ...   
被引用[229]:US10009418B2 - US10361222B2 - US10515983B2 - US10879272B2 - US2002007062A1 - US2002011983A1 ...   
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[发明] TFT基板、具备TFT基板的扫描天线以及TFT基板的制造方法 - 201780066430.5
审中-实审

申请人:夏普株式会社 - 申请日:2017-10-17 - 主分类号:H01L29/786(2006.01)I
分类号:H01L29/786(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I H01Q3/36(2006.01)I H01Q3/44(2006.01)I H01Q13/22(2006.01)I
摘要:TFT基板(105)具有:栅极金属层(3),其包含TFT(10)的栅极电极(3G)和贴片电极(3PE);栅极绝缘层(4),其形成于栅极金属层上,具有到达贴片电极的第1开口部(4a);源极金属层(7),其形成于栅极绝缘层上,包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极(7D)以及从漏极电极延伸设置的漏极延设部(7de);层间绝缘层(11),其形成于源极金属层上,具有在从电介质基板(1)的法线方向观看时与第1开口部重叠的第2开口部(11a)和到达漏极延设部的第3开口部(11b);以及导电层(19),其形成于层间绝缘层上,包含贴片漏极连接部(19a)。贴片漏极连接部在第1开口部内与贴片电极接触,在第3开口部内与漏极延设部接触。
同族[3]:US10790319B2 - US2019296057A1 - WO2018079350A1  >>更多 - 什么是同族
引用[36]:US2012092577A1 - US2012138922A1 - US2012194399A1 - US2013320334A1 - US2014286076A1 - US2015236412A1 ...   
被引用[1]:US10873128B2   
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[发明] 显示基板及其制作方法、显示装置 - 202010259736.6
审中-实审

申请人:京东方科技集团股份有限公司 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 - 申请日:2020-04-03 - 主分类号:H01L27/12(20060101)
分类号:H01L27/12(20060101) H01L21/77(20170101) H01L29/786(20060101)
摘要:本公开提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,该显示基板包括:衬底基板以及设置于所述衬底基板上的多个像素,每一所述像素包括多个子像素,每一所述子像素包括依次层叠设置的第一有源层、第一栅绝缘层、栅极、第二栅绝缘层、第二有源层、第一绝缘层、源极和漏极;所述源极通过贯穿所述第一绝缘层、所述第二栅绝缘层和所述第一栅绝缘层的过孔与所述第一有源层连接,所述源极和漏极通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与所述第二有源层连接。本公开在不改变像素尺寸及开口率的情况下,有效降低薄膜晶体管的漏电流,改善灰阶亮点和Flicker等相关不良。
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[发明] 一种薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板的制备方法 - 201710300075.5
无权-驳回

申请人:京东方科技集团股份有限公司 合肥京东方光电科技有限公司 - 申请日:2017-04-28 - 主分类号:H01L21/336(2006.01)
分类号:H01L21/336(2006.01) H01L29/786(2006.01) H01L29/49(2006.01) H01L27/12(2006.01)
摘要:本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板的制备方法。该薄膜晶体管制备方法包括在基底上形成有源层膜;还包括:采用透明导电光刻胶形成薄膜晶体管的源极和漏极。该薄膜晶体管制备方法通过采用透明导电光刻胶形成薄膜晶体管的源极和漏极,能够省去源极和漏极在制备过程中的湿法刻蚀和剥离工艺,从而避免湿法刻蚀和剥离工艺中水对金属氧化物材料形成的有源层的损伤,进而能够保护金属氧化物材料的有源层的薄膜晶体管的电学特性,同时由于源极和漏极能够透光,所以还增加了采用该薄膜晶体管的阵列基板的像素单元的开口率,从而降低了采用该薄膜晶体管的显示器的背光能耗。
同族[2]:US10199236B2 - US2018315619A1  >>更多 - 什么是同族
引用[6]:US2010210056A1 - US2016268537A1 - US5075240A - CN102629591A - CN102929101A - CN103474475A   
被引用[3]:KR20190070180A - CN108535928A - CN110989081A   
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[发明授权] 半导体装置 - 200980136174.8;102160183B
有权

申请人:夏普株式会社 - 申请日:2009-09-01 - 主分类号:H01L29/786(2006.01)I
分类号:H01L29/786(2006.01)I C23C16/24(2006.01)I G02F1/1345(2006.01)I G02F1/1368(2006.01)I
摘要:二极管(201)具备:栅极电极(2);在栅极电极(2)上形成的栅极绝缘层(5);在栅极绝缘层(5)上形成的具有第1区域(6a)、第2区域(7b)的至少1个半导体层(6、7);在第1区域(6a)上设置的与第1区域(6a)和栅极电极(2)电连接的第1电极(10);以及在第2区域(7b)上设置的与第2区域(7b)电连接的第2电极(12),至少1个半导体层(6、7)具有隔着栅极绝缘层(5)与栅极电极(2)重叠的沟道区域(6c)和与栅极电极(2)不重叠的电阻区域(7d),在二极管(201)的导通状态下,在第1电极(10)和第2电极(12)之间形成包含沟道区域(6c)和电阻区域(7d)的电流路径。
同族[4]:US2011169005A1 - US8575615B2 - WO2010032386A1 - CN102160183A  >>更多 - 什么是同族
引用[24]:US2001045996A1 - US2003201442A1 - US2005088387A1 - US2006208275A1 - US2007012926A1 - US5686349A ...   
被引用[29]:US10134777B2 - US10181465B2 - US10304965B2 - US2012187393A1 - US2013168670A1 - US2013222955A1 ...   
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[发明授权] 液晶显示器 - 200410090833.8;1617034B
有权
权利转移

申请人:三星电子株式会社 - 申请日:2004-11-12 - 主分类号:G02F1/136(2006.01)I
当前权利人:三星显示有限公司
分类号:G02F1/136(2006.01)I H01L29/786(2006.01)I G02F1/133(2006.01)I
摘要:本发明提供了一种液晶显示器,其包括栅极线;与栅极线交叉的数据线;分别与栅极线中一条和数据线中一条连接的开关元件;与开关元件连接的像素电极;与栅极线或数据线连接,具有与向数据线或栅极线提供驱动信号的驱动电路输出端连接的输出接触部的信号线。此时,信号线通过由栅极线、数据线或像素电极同一层组成的两个以上导电层形成,在输出接触部除去至少一个导电层。
同族[11]:US2005098785A1 - US2009179204A1 - US7486367B2 - US7868986B2 - JP2005148734A - JP4832749B2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[29]:US2002051110A1 - US2003128326A1 - US2003164919A1 - US2006049407A1 - US5467882A - US5742074A ...   
被引用[32]:US10304921B2 - US10553668B2 - US2006049407A1 - US2006169984A1 - US2006258061A1 - US2009033597A1 ...   
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[发明] 一种可控的热焊接法制备高性能场效应晶体管的方法 - 201810158154.1
审中-实审

申请人:青岛大学 - 申请日:2018-02-25 - 主分类号:H01L29/786(2006.01)I
分类号:H01L29/786(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I H01L29/423(2006.01)I H01L29/12(2006.01)I
摘要:本发明公开了一种可控的热焊接法制备高性能场效应晶体管的方法,采用溶液法制备ZrO2高k介质薄膜;采用静电纺丝技术制备纳米纤维网络,通过高温煅烧,利用热蒸发沉积源漏电极。本发明的有益效果是可以在大面积衬底上获得分布均匀的纳米纤维。
引用[5]:US2014158986A1 - WO2017160238A1 - CN106486541A - CN106601803A - CN107579004A   
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[发明授权] 薄膜晶体管装置、显示器及其制造方法 - 201580001765.X;105637645B
有权
著录变更

申请人:深圳市柔宇科技有限公司 - 申请日:2015-08-24 - 主分类号:H01L29/786(2006.01)I
当前权利人:深圳市柔宇科技股份有限公司
分类号:H01L29/786(2006.01)I G02F1/00(2006.01)I
摘要:一种薄膜晶体管(TFT)装置(200),显示器及薄膜晶体管装置(200)的制造方法。该TFT装置(200)包括第一导电层(204),其包括栅极(204a)及连接垫(204b)。该TFT装置还包括覆盖该栅极(204a)的第一介电层(206)。该连接垫(204b)从该第一介电层(206)暴露。该TFT装置(200)还包括设置在该第一介电层(206)上且与该栅极(204a)重叠的半导体层(208)。该TFT装置(200)还包括设置在该半导体层(208)及该第一介电层(206)上以暴露该半导体层(208)的第一部分及第二部分及该连接垫(204b)的第二介电层(210)。该TFT装置(200)还包括第二导电层(212),其包括覆盖该半导体层(208)的该第一部分的源极部(212b)、延伸至该源极部(212b)的像素电极部(212a)、覆盖该半导体层(208)的该第二部分的漏极部(212c)及设置在该连接垫(204b)上并延伸至该漏极部(212c)的互连部(212d)。
同族[8]:US2016056184A1 - US9698173B2 - WO2016029830A1 - EP3185306A1 - EP3185306A4 - KR101990712B1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[28]:US2005106770A1 - US2006091785A1 - US2007042537A1 - US2009166634A1 - US2009189155A1 - US2013020571A1 ...   
被引用[6]:US10312376B2 - US10325942B2 - US2017184890A1 - US9798208B2 - WO2017187486A1 - CN107359203A   
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