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[发明] 基于锗的量子阱器件 - 201080060555.5
无权-未缴年费

申请人:英特尔公司 - 申请日:2010-12-09 - 主分类号:H01L29/772(2006.01)I
分类号:H01L29/772(2006.01)I H01L21/335(2006.01)I
摘要:一种量子阱晶体管具有锗量子阱沟道区。含硅的蚀刻停止层提供栅电介质接近沟道的容易放置。III-V族势垒层对沟道增加应变。沟道区之上和之下的缓变硅锗层改进了性能。多种栅电介质材料允许使用高k值栅电介质。
同族[30]:US2011156005A1 - US2012193609A1 - US2014061589A1 - US2016064520A1 - US2017012116A1 - US8193523B2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[49]:US2002105015A1 - US2005279992A1 - US2006148182A1 - US2006157732A1 - US2007066023A1 - US2007138565A1 ...   
被引用[46]:US10043941B1 - US10074718B2 - US10186581B2 - US10497797B2 - US10529890B2 - US10541305B2 ...   
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[发明授权] 计算金属氧化物半导体场效应晶体管门限电压的方法 - 02141887.X;1222023C
无权-未缴年费

申请人:株式会社半导体理工学研究中心 - 申请日:2002-08-27 - 主分类号:H01L21/336
分类号:H01L21/336 H01L29/772
摘要:在空穴注入型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中提供的一种在沟道方向具有杂质浓度分布的门限电压模型。利用空穴在沟道方向渗透到基片的渗透长度以及空穴中最大杂质浓度作为物理参数,通过线性地近似沟道方向上的分布获得门限电压模型。考虑到通过利用具有不均匀分布的新门限条件经分析求解模型,可以精确地获得该门限电压。根据获得的模型,该门限电压可以预测并且可以用于电路设计。
同族[10]:US2003082839A1 - US2005086014A1 - US6909976B2 - US7096129B2 - JP2003077934A - JP3653485B2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[13]:US2003082839A1 - US2003122164A1 - US4506436A - US6304834B1 - US6581028B1 - US6594625B2 ...   
被引用[20]:US2004059559A1 - US2005015235A1 - US2005065762A1 - US2005086014A1 - US2006240579A1 - US2006279530A1 ...   
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[发明授权] 半导体器件和包括半导体器件的半导体电路 - 201480066011.8;105793997B
有权

申请人:LG伊诺特有限公司 - 申请日:2014-01-17 - 主分类号:H01L29/872(2006.01)I
分类号:H01L29/872(2006.01)I H01L29/772(2006.01)I H01L27/06(2006.01)I
摘要:公开了一种半导体器件。该半导体器件包括:衬底;以及多个器件,位于衬底上,其中该多个器件中的第一器件包括:第一氮化物半导体层,位于衬底上;第二氮化物半导体层,与第一氮化物半导体层一起在衬底与第一氮化物半导体层之间形成第一异质结界面;第三氮化物半导体层,与第二氮化物半导体层一起在衬底与第二氮化物半导体层之间形成第二异质结界面;以及第一接触件,电连接至第一异质结界面和第二异质结界面。
同族[8]:US2017005086A1 - US9825026B2 - WO2015083887A1 - EP3078061A1 - EP3078061A4 - KR102182016B1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[25]:US2002127787A1 - US2009206371A1 - US2009267078A1 - US2010019279A1 - US2010140660A1 - US2011227132A1 ...   
被引用[9]:US10319644B2 - US10643993B2 - US2018366455A1 - US9691757B2 - US9876102B2 - WO2017014031A1 ...   
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[发明] 半导体器件及其制造方法 - 201710183215.5
有权

申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 - 申请日:2017-03-24 - 主分类号:H01L29/06(2006.01)I
分类号:H01L29/06(2006.01)I H01L29/66(2006.01)I H01L29/772(2006.01)I
摘要:本发明的实施例提供了一种制造半导体器件的方法,包括:在包括栅极结构的衬底上方形成第一介电层;在第一介电层中形成第一沟槽;沿着第一沟槽的侧壁形成介电间隔件;去除介电间隔件的一部分以暴露侧壁的一部分;在介电间隔件的另一部分上方并沿着第一沟槽的侧壁的暴露部分于第一沟槽中形成第一金属部件;在第一金属部件和栅极结构上方形成第二介电层;以及在同一蚀刻工艺中,形成穿过第二介电层以暴露第一金属部件的一部分的第二沟槽和穿过第二介电层和第一介电层以暴露栅极结构的一部分的第三沟槽。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。
同族[12]:US10283403B2 - US10861740B2 - US2017278744A1 - US2018025938A1 - US2019259657A1 - US9779984B1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[45]:US2001033029A1 - US2005040448A1 - US2005064727A1 - US2005079706A1 - US2005079725A1 - US2005090117A1 ...   
被引用[7]:US10283403B2 - US10593597B2 - US10804158B2 - US10861740B2 - US10867833B2 - US2018025938A1 ...   
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[发明] 基于可聚合的自组装单分子层的有机场效晶体管及其制备方法 - 200410048438.3
无权-未缴年费
权利转移

申请人:国际商业机器公司 - 申请日:2004-06-03 - 主分类号:H01L51/20
当前权利人:格芯公司
分类号:H01L51/20 H01L51/40 H01L29/772 H01L21/335
摘要:有机场效晶体管及其制备方法包括位于一对电极之间的、作为通道材料的、双官能分子的自组装单分子层(SAM)。所述电极对和双官能分子的SAM形成在绝缘层上,其中各双官能分子在第一端含有共价连接到绝缘层上的官能团并且在第二端含有包括共轭键的封端官能团。所述双官能分子的SAM可以是聚合的SAM,以形成在电极对之间延伸的共轭聚合物线。
同族[7]:US2004245550A1 - US2006108582A1 - US2008087885A1 - US7132680B2 - US7301183B2 - US7776646B2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[13]:US4200474A - US5017975A - US5081511A - US5500537A - US6326640B1 - US6913944B2 ...   
被引用[37]:US2005014357A1 - US2005106804A1 - US2005121728A1 - US2005242345A1 - US2005285101A1 - US2007069243A1 ...   
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[发明授权] 基于钴-分子多铁材料的自旋过滤异质结器件及其制备 - 201611169168.0;108206204B
有权

申请人:同济大学 - 申请日:2016-12-16 - 主分类号:H01L29/06(20060101)
分类号:H01L29/06(20060101) H01L29/12(20060101) H01L21/335(20060101) H01L29/772(20060101)
摘要:本发明涉及一种基于钴‑分子多铁材料的自旋过滤异质结器件及其制备,所述的自旋过滤异质结器件包括分别作为源极和漏极的两个钴电极,构成两个钴电极之间的中间散射区材料薄层的分子多铁材料(NH4)3Cr2O8,以及连接分子多铁材料(NH4)3Cr2O8两边的栅极,所述的两个钴电极均为金属材料钴形成的薄层。与现有技术相比,本发明由于分子多铁材料Cs(NH4)CrO8磁性中心铬离子(Cr5+)的3d轨道之间自旋相互作用,其与Co电极表面接触形成了独特的自旋过滤效应,此外,自旋过滤效应性能良好稳定,与器件的半导体衬底的种类无关,易于实现,可以普遍应用于分子半导体电子器件当中。
同族[1]:CN108206204A  >>更多 - 什么是同族
引用[4]:US2014103471A1 - US9379232B2 - CN102246237A - CN103515426A   
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[发明] 结型场效应晶体管及其制造方法 - 201610793198.2
有权

申请人:无锡华润上华科技有限公司 - 申请日:2016-08-31 - 主分类号:H01L29/772(2006.01)I
分类号:H01L29/772(2006.01)I H01L29/10(2006.01)I H01L21/335(2006.01)I
摘要:本发明涉及一种结型场效应晶体管及其制造方法,所述结型场效应晶体管包括:阱区,为第二导电类型且形成于第一导电类型区内;源极,为第一导电类型且形成于阱区内;源极金属电极,形成于源极上且与源极接触;横向沟道区,为第一导电类型,形成于两相邻源极之间且两端与两相邻源极接触;金属栅极,形成于阱区上。本发明将传统JFET的纵向沟道固化下来,通过在器件表面添加横向沟道区,提高两部分沟道的比例中的横向沟道来调节整体的夹断电压,这种方法适用于更高的电流和电压。其结合了横向JFET可调节的优势而应用于纵向器件,加长了横向沟道的长度,可以忽略纵向沟道的影响而仅通过调节横向沟道而实现整个JFET的夹断电压精确调整。
同族[1]:CN107785416B  >>更多 - 什么是同族
引用[5]:US2011220973A1 - US2014106517A1 - US2015249082A1 - CN102184964A - CN105161539A   
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[发明授权] 一种多槽结构静电感应器件及其制备方法 - 200810000645.X;101355101B
无权-未缴年费

申请人:兰州大学 - 申请日:2008-01-11 - 主分类号:H01L29/772(2006.01)I
分类号:H01L29/772(2006.01)I H01L29/06(2006.01)I H01L21/335(2006.01)I
摘要:本发明为一种多槽结构静电感应器件及其制备方法,涉及半导体领域。现有技术中存在栅-源(阴)极电压(VGS(K))和伏-安特性(I-V特性)的统一问题,即VGS(K)过高,I-V特性不能正常显现。本发明通过使用L5、L6、L7光刻版,用分步刻槽法在硅衬底片上刻蚀出栅电极坑、台面槽和隔断槽,将VGS(K)提高到几十伏到百多伏,且I-V特性正常显现。本发明很好地解决了栅-源(阴)极电压和伏-安特性的统一问题。
同族[1]:CN101355101A  >>更多 - 什么是同族
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[发明授权] 动态随机存取存储器的存储单元及其制造方法 - 200710127163.6;101232044B
有权

申请人:旺宏电子股份有限公司 - 申请日:2007-07-04 - 主分类号:H01L29/772(2006.01)I
分类号:H01L29/772(2006.01)I H01L29/38(2006.01)I H01L27/108(2006.01)I
摘要:本发明公开了一种动态随机存取存储器的存储单元及其制造方法。存储单元包括底氧化层、第一半导体层、第二半导体层、绝缘层、栅极以及掺杂层。底氧化层设置于基板上。第一半导体层设置于底氧化层上,并且具有第一掺杂浓度。第二半导体层设置于第一半导体层上,并且具有第二掺杂浓度,第一掺杂浓度高于第二掺杂浓度。绝缘层设置于底氧化层上,且至少位于第一半导体层的两侧,此外绝缘层的高度大于第一半导体层的高度。栅极设置于第二半导体层上。掺杂层设置于对应栅极的两侧处,且掺杂层实质上接触于第二半导体层及绝缘层。
同族[5]:US2008173896A1 - US7893475B2 - CN101232044A - TW200832681A - TWI373125B  >>更多 - 什么是同族
引用[9]:US2004124488A1 - US5019882A - US6004137A - US6246077B1 - US6744104B1 - US6917096B2 ...   
被引用[5]:US2010140709A1 - US2012313143A1 - US8330170B2 - US8835900B2 - US8878191B2   
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[发明] 功率结场效应晶体管结构及其制法 - 200510072893.1
无权-视为撤回
权利转移

申请人:达晶控股有限公司 - 申请日:2005-05-17 - 主分类号:H01L21/335(2006.01)I
当前权利人:奥尼组科电子有限公司
分类号:H01L21/335(2006.01)I H01L21/337(2006.01)I H01L29/80(2006.01)I H01L29/772(2006.01)I
摘要:一种功率结场效应晶体管结构及其制法,该功率结场效应晶体管包括:衬底;外延层,形成于衬底上,其中外延层还具栅极凹槽及栅极总线凹槽;栅极,形成于外延层的栅极凹槽底部;栅极总线,形成于部分外延层的栅极总线凹槽底部,并连接至栅极;源极层,形成于外延层表面;介电质层,形成于栅极凹槽、栅极总线凹槽及源极层之上;以及栅极总线金属层及源极金属层,形成于介电质层上,分别与栅极总线及源极层连接,其主要通过形成具深埋式栅极的结场效应晶体管结构,使其电流在该深埋式栅极间,由下方的漏极区向上方的源极垂直流动,而其电流量则可由栅极与源极的压差来做调变,使该结场效应晶体管器件得以处理大电流及高电压,进行一功率处理应用。
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