中国专利搜索 世界专利搜索 专利分类查询 专利引用检索 专利族检索
登陆 | |
专利服务机构展示
韦恩国际专利商标事务所
名飞扬知识产权
山东重诺律师事务所
三邦知识产权
展示投放可联系:soopat@soopat.com
【小贴士】当检索词为连续5个字或以上,为避免用户误操作而发生漏检,我们会进行适当拆分,比如输入 航天航空动力 ,会自动转换成 航天 AND 航空 AND 动力 来搜索。
因为不这么拆分,就意味着航天航空动力这6个字在专利文献里必须是连续存在的。那么类似《用于航空航天飞行器的动力推进装置》这样的专利就检索不到了。
但是拆分可能会带来一些你不需要的检索结果。如不需要自动拆分,只需在查询词上加英文单引号 ',比如输入 '航天航空动力',就不会再拆分开了。
当然,用户应尽量把检索词精简成最小单元,词与词空格隔开,避免检索词为连续5个字以上(除非是确有必要)。

[发明] 一种薄膜晶体管、阵列基板及相关制备方法 - 201910399400.7
审中-实审

申请人:京东方科技集团股份有限公司 - 申请日:2019-05-14 - 主分类号:H01L29/06(20060101)
分类号:H01L29/06(20060101) H01L29/41(20060101) H01L21/336(20060101) H01L29/786(20060101)
摘要:本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及相关制备方法,包括在衬底基板上形成栅电极的图形、有源层的图形、源电极和漏电极的图形。在形成有源层的图形之前还形成导向结构和催化剂颗粒,利用催化剂颗粒与硅具有较低的共熔点、以非晶硅的吉布斯自由能大于结晶硅的吉布斯自由能为驱动力、通过熔融的催化剂颗粒吸收非晶硅形成过饱和硅共熔体,使硅成核生长成为硅基纳米线。并且在生长过程中,非晶硅薄膜在催化剂颗粒的作用下沿着导向结构线性生长,从而获得高密度、高均一性的硅基纳米线。另外,通过对催化剂颗粒的尺寸以及非晶硅薄膜的厚度进行控制还可以实现对硅基纳米线的宽度进行控制。从而实现尺度均一可控的硅基纳米线薄膜晶体管的制备。
  扉页 - 阅读 - 下载 - 法律状态 - 信息查询 - 同类专利

[发明] 高电子迁移率晶体管及其形成方法 - 201210421462.1
有权

申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 - 申请日:2012-10-29 - 主分类号:H01L29/778(2006.01)I
分类号:H01L29/778(2006.01)I H01L29/06(2006.01)I H01L21/335(2006.01)I
摘要:本发明公开了一种高电子载流子迁移率晶体管(HEMT)包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上并且在成分上与第一III-V化合物层不同。载流子沟道设置在第一III-V化合物层和第二III-V化合物层之间。硅化物源极部件和硅化物漏极部件通过第二III-V化合物层与第一III-V化合物层接触。栅电极设置在第二III-V化合物层位于硅化物源极部件和硅化物漏极部件之间的部分的上方。本发明还公开了形成高电子迁移率晶体管的方法。
同族[11]:US10276682B2 - US10790375B2 - US2013256679A1 - US2015349087A1 - US2017077255A1 - US2018277646A1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[15]:US10290614B2 - US2006189109A1 - US2006197107A1 - US2008157208A1 - US2008296622A1 - US2011147798A1 ...   
被引用[24]:US10276682B2 - US10418459B2 - US10522631B2 - US10573647B2 - US10665708B2 - US10756183B2 ...   
  扉页 - 阅读 - 下载 - 法律状态 - 信息查询 - 同类专利

[发明] 半导体装置 - 201810193710.9
审中-实审

申请人:丰田合成株式会社 - 申请日:2018-03-09 - 主分类号:H01L29/06(2006.01)I
分类号:H01L29/06(2006.01)I H01L29/78(2006.01)I
摘要:本发明提供提高半导体装置的耐压并抑制漏极‑源极间的电容变高的技术。具有沟槽栅极结构的半导体装置具备第一n型半导体层、p型半导体层、沟槽、绝缘膜、栅极电极、源极电极以及漏极电极,第一n型半导体层具备含有p型杂质比含有n型杂质多的p型杂质含有区域,p型杂质含有区域与p型半导体层接触,在从n型半导体层与p型半导体层的层叠方向观察时,p型杂质含有区域位于不与源极电极的至少一部分重叠的位置且位于与沟槽的底面外周重叠的位置。
同族[4]:US10177234B2 - US2018261673A1 - JP2018152455A - JP6717242B2  >>更多 - 什么是同族
引用[13]:US2004135178A1 - US2008230787A1 - US2010006929A1 - US2013164895A1 - US2017263757A1 - US2018097061A1 ...   
  扉页 - 阅读 - 下载 - 法律状态 - 信息查询 - 同类专利

[发明] 纳米材料-掺杂剂组合物复合体制造方法、纳米材料-掺杂剂组合物复合体及掺杂剂组合物 - 201580022883.9
有权

申请人:国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学 积水化学工业株式会社 - 申请日:2015-06-19 - 主分类号:H01L35/22(2006.01)I
分类号:H01L35/22(2006.01)I B82Y30/00(2006.01)I B82Y40/00(2006.01)I C01B31/02(2006.01)I H01L29/06(2006.01)I H01L35/34(2006.01)I H01L51/00(2006.01)I H01L51/30(2006.01)I H01L51/40(2006.01)I
公开(公告)号:106463603A
优先权:2014.06.26 JP 2014-131909
摘要:本发明提供一种可以简便且有效地使纳米材料的塞贝克系数的值变化的纳米材料‑掺杂剂组合物复合体的制造方法。本发明的制造方法包含使掺杂剂组合物在溶剂中与纳米材料接触的接触工序,所述掺杂剂组合物含有阴离子、阳离子和捕捉剂。
同族[11]:US10355190B2 - US2017197836A1 - WO2015198980A1 - EP3163639A1 - EP3163639A4 - JP2018133573A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[23]:US2008031802A1 - US2009022650A1 - US2009044848A1 - US2009221130A1 - US2010140561A1 - US2010166624A1 ...   
被引用[6]:WO2018147126A1 - KR20190123284A - KR20200040696A - CN108928812A - CN109786542A - CN109994623A   
  扉页 - 阅读 - 下载 - 法律状态 - 信息查询 - 同类专利

[发明] 一种制造沟槽MOSFET的方法 - 201710942472.2
审中-实审

申请人:矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 - 申请日:2017-10-11 - 主分类号:H01L29/78(2006.01)I
分类号:H01L29/78(2006.01)I H01L29/06(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I
摘要:公开了一种制造沟槽MOSFET的方法。包括:在半导体衬底上形成外延半导体层;在外延半导体层中形成从第一表面延伸至其内部的沟槽;在沟槽的下部形成第一绝缘层和屏蔽导体;形成体区、源区以及漏极电极,其中,在形成第二绝缘层的步骤中,采用至少部分地填充所述沟槽的上部的硬掩模对第二绝缘层进行图案化。形成第二绝缘层的步骤包括:在沟槽的上部形成共形的第二绝缘层,第二绝缘层覆盖沟槽的上部侧壁和屏蔽导体的顶部;在沟槽的上部填充多晶硅层;采用多晶硅层作为硬掩模,刻蚀去除第二绝缘层位于沟槽的上部侧壁上的部分;以及去除所述多晶硅层。本发明简化现有技术中形成沟槽MOSFET的工艺步骤,从而降低生产成本。
同族[2]:US10686058B2 - US2019109216A1  >>更多 - 什么是同族
引用[24]:US2001012655A1 - US2003148559A1 - US2006289929A1 - US2007075363A1 - US2007114600A1 - US2008026590A1 ...   
被引用[1]:TWI704606B   
  扉页 - 阅读 - 下载 - 法律状态 - 信息查询 - 同类专利

[发明] 一种硅纳米线的制作方法 - 201611076495.1
无权-驳回

申请人:东莞市广信知识产权服务有限公司 东莞华南设计创新院 - 申请日:2016-11-30 - 主分类号:H01L21/336(2006.01)I
分类号:H01L21/336(2006.01)I H01L29/06(2006.01)I H01L29/10(2006.01)I H01L29/16(2006.01)I B82Y30/00(2011.01)I B82Y40/00(2011.01)I
公开(公告)号:106783618A
摘要:本发明公布了一种硅纳米线的制作方法,其主要步骤为:一硅半导体材料衬底;一硅锗半导体牺牲层;一硅沟道层;一硅锗欧姆接触层;在该外延晶圆片上生长SiO2保护层;利用电子束光刻的方法制作50纳米宽度的纳米线结构;采用干法刻蚀的方法刻蚀深度直到硅衬底的鳍状结构;采用选择性腐蚀溶液腐蚀掉鳍状部分中硅锗牺牲层和硅锗欧姆接触层;采用数字腐蚀的方法细化硅纳米线。
引用[3]:US2014264253A1 - CN102623384A - CN103238208A   
被引用[1]:CN107871780A   
  扉页 - 阅读 - 下载 - 法律状态 - 信息查询 - 同类专利

[发明授权] 平面晶闸管、用于制造平面晶闸管的芯片及制作方法 - 201310211580.4;103296076B
有权
著录变更

申请人:江苏捷捷微电子股份有限公司 - 申请日:2013-05-30 - 主分类号:H01L29/74(2006.01)I
分类号:H01L29/74(2006.01)I H01L29/06(2006.01)I H01L21/332(2006.01)I
摘要:本发明涉及一种平面晶闸管,用于制造该平面晶闸管的芯片及其制作方法,晶闸管包含外壳、芯片、框架三部分,其中的芯片包含N型长基区N1,P型短基区P1、P2,隔离墙,扩磷区域N2(或扩磷区域N2、N3、N4),场限环等。尤其所述的隔离墙是由蒸发金属铝扩散而成,对于平面工艺的单向晶闸管芯片、双向晶闸管芯片都适用:一种优选方案中,硅片表面喷砂后蒸发金属铝,经反刻、真空合金,对通隔离扩散后形成隔离墙。另一种优选方案中,硅片经氧化、光刻隔离窗口后,沉积多晶硅薄膜,蒸发宽度与隔离窗口宽度一致的金属铝,进行对通隔离扩散后形成隔离墙。以此方法生产的平面晶闸管性能优越、稳定可靠。
同族[1]:CN103296076A  >>更多 - 什么是同族
引用[6]:US2010298897A1 - JPH01253274A - CN102986011A - CN1783511A - CN202167493U - CN202736911U   
被引用[2]:CN104362081A - CN108598011A   
  扉页 - 阅读 - 下载 - 法律状态 - 信息查询 - 同类专利

[发明] 半导体装置 - 201910120155.1
审中-公开

申请人:三星电子株式会社 - 申请日:2019-02-18 - 主分类号:H01L27/088(20060101)
分类号:H01L27/088(20060101) H01L29/06(20060101) H01L21/8234(20060101)
摘要:提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括:有源图案,位于基底上;栅极结构,与有源图案交叉;源极/漏极图案,在栅极结构一侧处位于有源图案上;接触插塞,位于源极/漏极图案上;以及导电图案,位于源极/漏极图案与接触插塞之间,其中,源极/漏极图案包括与导电图案相邻的阻挡层,其中,阻挡层包括氧原子。
同族[2]:US2019295886A1 - KR20190110845A  >>更多 - 什么是同族
引用[29]:US10079210B2 - US10141225B2 - US10347720B2 - US10396034B2 - US2007262295A1 - US2010224936A1 ...   
  扉页 - 阅读 - 下载 - 法律状态 - 信息查询 - 同类专利

[发明] 半导体器件及其制造方法 - 201911380209.4
审中-实审

申请人:英诺赛科(珠海)科技有限公司 - 申请日:2019-12-27 - 主分类号:H01L29/06(20060101)
分类号:H01L29/06(20060101) H01L29/778(20060101) H01L21/335(20060101)
摘要:本发明提供一种高电子迁移率晶体管,所述高电子迁移率晶体管包含:衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、源极、漏极和栅极,所述衬底、所述缓冲层、所述沟道层、所述势垒层和所述源极、漏极和栅极沿所述高电子迁移率晶体管的厚度方向依次层叠设置,其中,所述沟道层包含经掺杂半导体结构。本发明还提供一种高电子迁移率晶体管的制造方法。所述高电子迁移率晶体管性能良好,具有低的漏极电场强度,高的击穿电压,高的稳定性,低成本等特征。
  扉页 - 阅读 - 下载 - 法律状态 - 信息查询 - 同类专利

[发明] 薄膜晶体管及其制造方法以及包括薄膜晶体管的显示装置 - 201911205364.2
审中-实审

申请人:乐金显示有限公司 - 申请日:2019-11-29 - 主分类号:H01L29/786(20060101)
分类号:H01L29/786(20060101) H01L29/06(20060101) H01L21/331(20060101) H01L27/12(20060101)
公开(公告)日:2020-06-26
专利代理机构:11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司
摘要:提供了一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括薄膜晶体管的显示装置。薄膜晶体管包括:基础基板;在基础基板上的半导体层,该半导体层包括第一氧化物半导体层和在第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层,第二氧化物半导体层的霍尔迁移率小于第一氧化物半导体层的霍尔迁移率;及栅极,与半导体层间隔开并与半导体层部分地交叠,其中,第二氧化物半导体层中的镓(Ga)的浓度高于第一氧化物半导体层中的镓(Ga)的浓度。
同族[2]:US2020203534A1 - KR20200076343A  >>更多 - 什么是同族
  扉页 - 阅读 - 下载 - 法律状态 - 信息查询 - 同类专利
1 2 3 4 5 6 7 8 9 ...