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[发明授权] 可集成的高压VDMOS晶体管结构及其制备方法 - 200510096163.5;100394616C
无权-未缴年费

申请人:西安电子科技大学 - 申请日:2005-10-14 - 主分类号:H01L29/78(2006.01)
分类号:H01L29/78(2006.01) H01L29/02(2006.01) H01L27/00(2006.01) H01L21/336(2006.01) H01L21/822(2006.01)
摘要:本发明公开了一种可集成的高压VDMOS晶体管结构及其制备方法。其结构采用在N型外延层(4)与衬底(1)的界面上设有N型埋层(2),在N型外延层上设有P型体沟道区(11)和深N+扩散区(5)及P型阱(6),该P型体沟道区的四周设有P型场限环(7),该P型体沟道区的内部设有源区,源区内设有N+环(12s)和P+接触区(13),该深N+扩散区与N型埋层相连接构成漏区引出,在栅氧化层和场氧化层表面设置有多晶硅栅和场板。其制备过程是:注入埋层、生长外延层,在外延层上注入深N+扩散区、P型阱、场限环,并对外延层进行氧化、淀积、刻蚀多晶硅形成多晶硅栅极及场板,用自对准工艺制备体沟道区,在体沟道区内注入源区和在深N+扩散区内注入漏区的接触区。具有击穿电压高的优点,可用于高压功率集成电路。
同族[1]:CN1779988A  >>更多 - 什么是同族
引用[3]:US2004155257A1 - US6831346B1 - CN1527387A   
被引用[7]:WO2014012427A1 - CN100440505C - CN100466228C - CN101752316A - CN101901804A - CN102290437A ...   
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[发明] 硅纳米线、包括其的半导体器件和制造硅纳米线的方法 - 200610054949.5
无权-视为放弃

申请人:三星电子株式会社 - 申请日:2006-02-27 - 主分类号:H01L21/02(2006.01)I
分类号:H01L21/02(2006.01)I H01L29/02(2006.01)I H01L33/00(2006.01)I H01L51/00(2006.01)I
摘要:本发明提供了一种硅纳米线、一种包括硅纳米线的半导体器件以及制造该硅纳米线的方法。该方法包括:形成具有多个微腔的微型槽,该微型槽在硅衬底的表面上形成规则的图案;在硅衬底中形成掺杂第一掺杂剂的第一掺杂层,并在第一掺杂层与硅衬底的表面之间形成掺杂第二掺杂剂的第二掺杂层;通过在硅衬底上淀积起到催化剂作用以形成纳米线的材料在硅衬底上形成金属层;通过加热该金属层形成催化剂,从而使在硅衬底的表面上的微型槽内的金属层凝聚;以及利用热工艺在催化剂与硅衬底之间生长纳米线。
同族[7]:US2007020950A1 - US7625812B2 - EP1696473A2 - EP1696473A3 - JP2006239857A - KR100723418B1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[4]:JP2004319675A - JP2004359478A - KR20030031334A - KR20040000418A   
被引用[11]:US8414974B2 - US8513641B2 - US9899473B2 - KR100799570B1 - KR100822745B1 - KR100960391B1 ...   
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[发明] 功率半导体器件及其制造方法 - 200910126372.8
无权-未缴年费

申请人:开益禧有限公司 - 申请日:2009-03-05 - 主分类号:H01L29/40(2006.01)I
分类号:H01L29/40(2006.01)I H01L29/02(2006.01)I H01L29/78(2006.01)I H01L29/739(2006.01)I H01L21/28(2006.01)I H01L21/20(2006.01)I H01L21/265(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I H01L21/331(2006.01)I
优先权:2008.3.6 KR 10-2008-0021020
摘要:一种功率半导体器件及其制造方法,所述器件能够在平面上沿所有方 向传输栅极信号,显示出在栅极信号传输速度和阻抗上的偏差减小、击穿 电压的提高以及漏极-源极导通电阻(Rds(ON))的降低。为此,该功率半导 体器件包括:导电的低浓度外延层;在外延层的表面中形成至预定深度的 第一导电区域,包括彼此间隔预定距离的多个线型第一导电层以及彼此间 隔预定距离的多个线型第二导电层,其中第一导电层和第二导电层的相对 末端相对于彼此交替布置并且彼此间隔预定距离;第二导电区域,其形成 的宽度和深度比第一和第二导电层较小,以便在第一和第二导电层中形成 沟道;在外延层的表面上形成栅极氧化物层,以限定具有比第一导电层更 小宽度的第一窗口以及具有比第二导电层更小宽度的第二窗口;和在栅极 氧化物层上形成的栅极多晶硅层。
同族[5]:US2009224310A1 - US8120096B2 - KR100976646B1 - KR20090095836A - CN101527315B  >>更多 - 什么是同族
引用[5]:US2008157189A1 - JP2005079359A - KR100297705B1 - KR100873419B1 - CN101120448A   
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[发明授权] 半导体衬底的形成方法、半导体衬底以及集成电路 - 200610002745.7;100424823C
无权-未缴年费

申请人:国际商业机器公司 - 申请日:2006-01-25 - 主分类号:H01L21/20(2006.01)
分类号:H01L21/20(2006.01) H01L21/762(2006.01) H01L21/84(2006.01) H01L27/12(2006.01) H01L29/02(2006.01)
摘要:本发明提供了一种形成半导体衬底的方法,包括以下步骤:提供初始结构,具有包括第一取向材料的第一器件区域和包括第二取向材料的第二器件区域;在第一取向材料顶部形成第一浓度的晶格调整材料;在第二取向材料顶部形成第二浓度的晶格调整材料;混合第一浓度的晶格调整材料与第一取向材料以形成第一晶格尺寸表面,并混合第二浓度的晶格调整材料与第二取向材料以形成第二晶格尺寸表面;以及在第一晶格尺寸表面顶部形成第一应变半导体层,并在第二晶格尺寸表面顶部形成第二应变半导体层。
同族[4]:US2006172495A1 - US2007170507A1 - US7220626B2 - CN1828831A  >>更多 - 什么是同族
引用[98]:US2001009784A1 - US2002030203A1 - US2002074598A1 - US2002086472A1 - US2002086497A1 - US2002090791A1 ...   
被引用[32]:US10263110B2 - US10312259B2 - US10608080B2 - US2006157706A1 - US2007262361A1 - US2009108302A1 ...   
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[发明授权] 在拉伸应变绝缘体上SiGe上的应变SiMOSFET - 200510079456.2;100461446C
有权
权利转移

申请人:国际商业机器公司 - 申请日:2005-06-23 - 主分类号:H01L29/02(2006.01)
当前权利人:格芯公司
分类号:H01L29/02(2006.01) H01L27/12(2006.01) H01L21/3205(2006.01) H01L21/20(2006.01) H01L21/762(2006.01) H01L21/84(2006.01)
公开(公告)日:2009-02-11
摘要:本发明提供了一种用作形成高性能金属氧化物半导体场效应晶体管器件的模板的半导体结构,提供了一种包括绝缘体上SiGe衬底,该衬底包含位于绝缘层顶上的拉伸应变SiGe合金层;和在所述拉伸应变SiGe合金层顶上的应变Si层。还提供了一种形成所述拉伸应变SGOI衬底已经上述异质结构的相应方法。该方法通过提供直接在绝缘层顶上的拉伸应变SiGe合金层,消除了对应变Si层和下面层中Ge含量的偏好。
同族[13]:US2006001088A1 - US2007155130A1 - US2008042166A1 - US2008220588A1 - US7217949B2 - US7485518B2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[120]:US2001009784A1 - US2002072130A1 - US2002074598A1 - US2002086472A1 - US2002086497A1 - US2002090791A1 ...   
被引用[47]:US2006073674A1 - US2006205167A1 - US2006205178A1 - US2007099399A1 - US2007105256A1 - US2007105274A1 ...   
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[发明] 应变沟道晶体管及其制造方法 - 200610099507.2
无权-未缴年费

申请人:东部电子株式会社 - 申请日:2006-07-26 - 主分类号:H01L29/78(2006.01)I
分类号:H01L29/78(2006.01)I H01L29/02(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I
摘要:根据本发明的应变沟道晶体管包括:半导体基片;半导体层,具有大于所述半导体基片的晶格常数的晶格常数,并且形成在所述半导体基片上;应变沟道层,形成在所述半导体层上;以及一对外延层,形成在所述应变沟道层的两侧上以改变所述应变沟道层的晶格结构。由于沟槽区形成在所述应变沟道层中并且所述外延层形成在所述沟槽区中,所述应变沟道层的晶格距离通过来自所述外延层的应力而变宽,并最终提高通过沟道的电荷的迁移率。
同族[3]:US2007023745A1 - KR100639032B1 - CN100552973C  >>更多 - 什么是同族
引用[5]:US2004026765A1 - US2005106792A1 - US2006255330A1 - US6492216B1 - US6878592B1   
被引用[13]:US10199213B2 - US10553424B2 - US10854444B2 - US2010213239A1 - US2012248503A1 - US8927963B2 ...   
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[发明] 纳米级ULSI-Cu布线HfSiN扩散阻挡层薄膜及制备工艺 - 201010285661.5
无权-视为撤回

申请人:云南大学 - 申请日:2010-09-18 - 主分类号:H01L29/02(2006.01)I
分类号:H01L29/02(2006.01)I H01L21/31(2006.01)I H01L21/3105(2006.01)I
公开(公告)日:2011-02-09
摘要:本发明公开了一种纳米级超大规模集成电路(ULSI)Cu布线HfSiN扩散阻挡层材料及其制备工艺。本发明的材料是在Si基底上有一层由Hf靶或Si靶或HfSi合金靶溅射沉积的非晶态HfSiN薄膜,且非晶态HfSiN薄膜总厚度≤45nm,其工艺是利用射频磁控溅射工艺在高真空下,N2与Ar混合后,经射频磁控溅射沉积得到HfSiN/Cu/HfSiN/SiO2/Si多层膜。本发明所制备的HfSiN扩散阻挡层材料可有效的阻挡Cu的扩散,并且适用于亚45nm级集成电路Cu布线互连工艺的发展趋势。
被引用[1]:CN106756848A   
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[发明] IGBT用硅晶片及其制备方法 - 200610105541.6
有权

申请人:株式会社上睦可 - 申请日:2006-06-07 - 主分类号:H01L21/331(2006.01)I
分类号:H01L21/331(2006.01)I H01L21/20(2006.01)I H01L29/739(2006.01)I H01L29/02(2006.01)I C30B15/00(2006.01)I C30B33/00(2006.01)I C30B29/06(2006.01)I
摘要:一种IGBT用硅晶片的制造方法,通过直拉法形 成晶格间的氧浓度为7.0×1017 原子/cm3或以下的硅锭,对该硅 锭照射中子束掺杂磷后,切取晶片,在至少含有氧的氛围气中、 在满足指定的式子的温度下,对该晶片进行氧化氛围气退火处 理,并在前述晶片的一面侧上具有多晶硅层或应变层。
同族[12]:US2007000427A1 - US2008102287A1 - US7344689B2 - US7846252B2 - EP1732114A2 - EP1732114A3 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[91]:US2001032581A1 - US2003051656A1 - US2003051660A1 - US2003056715A1 - US2003148634A1 - US2003159650A1 ...   
被引用[70]:US10066322B2 - US10304928B2 - US10468254B2 - US10756182B2 - US2007193501A1 - US2008102287A1 ...   
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[发明] 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 - 200610011228.6
有权

申请人:中国科学院半导体研究所 - 申请日:2006-01-18 - 主分类号:H01L21/335(2006.01)I
分类号:H01L21/335(2006.01)I H01L21/20(2006.01)I H01L29/02(2006.01)I H01L29/772(2006.01)I
摘要:本发明一种碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:选择一种碳化硅衬底;采用金属有机物化学气相沉积法,在衬底上生长一层高温氮化铝成核层;改变衬底温度,在高温氮化铝成核层上生长非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层;改变生长室压力,在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层上生长非有意掺杂高迁移率氮化镓层;改变衬底温度和生长室压力,在非有意掺杂高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层;最后在氮化铝插入层上生长铝镓氮层。
同族[1]:CN100452322C  >>更多 - 什么是同族
引用[5]:US2003102482A1 - US5192987A - JP2002016009A - JP2003229439A - CN1705082A   
被引用[2]:CN102544086A - CN102945805A   
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[发明授权] 半导体装置 - 200610007380.7;1893109B
无权-未缴年费
权利转移

申请人:株式会社日立制作所 - 申请日:2006-02-13 - 主分类号:H01L29/02(2006.01)I
当前权利人:株式会社日立功率半导体
分类号:H01L29/02(2006.01)I H01L29/861(2006.01)I
公开(公告)日:2011-02-16
摘要:本发明的目的是减小在半导体基板侧面露出pn结的半导体装置的泄漏电流,提高耐压。本发明的半导体装置,装备具有结晶面是(111)面的两个主表面和多个侧面的半导体基板,侧面具有与面方位(1,-2,1)面等价的6面,具有从一方的主表面高杂质浓度的第二导电型的第二半导体区域向低杂质浓度的第一导电型的第一半导体区域内部延伸形成的、从另一方的主表面高杂质浓度的第一导电型的第三半导体区域向所述第一半导体区域内部延伸形成的、在一方的主表面上欧姆连接的第一电极、和在另一方的主表面上欧姆连接的第二电极,第二半导体区域和第一半导体区域的结合部在所述侧面上露出。
同族[3]:JP2007012952A - JP4784178B2 - CN1893109A  >>更多 - 什么是同族
被引用[3]:JP2012059859A - JP2013187494A - CN102403336A   
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