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[发明] 半导体器件 - 201510750308.2
有权

申请人:三星电子株式会社 - 申请日:2015-11-06 - 主分类号:H01L23/64(2006.01)I
分类号:H01L23/64(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I
摘要:本公开提供了半导体器件。半导体器件包括:在基板上的层间绝缘层;第一电容器结构,在层间绝缘层中;以及导电层,包括在层间绝缘层上的端子焊盘。第一电容器结构包括至少一个第一叠层,该至少一个第一叠层包括顺序地在基板上的第一下电极、第一电容器绝缘层和第一上电极。端子焊盘不与第一电容器结构交叠。
同族[4]:US10515911B2 - US2016133688A1 - KR20160054886A - CN105590924B  >>更多 - 什么是同族
引用[21]:US2010118468A1 - US2010129978A1 - US2014252547A1 - US2015108607A1 - US6794262B2 - US7405921B2 ...   
被引用[3]:US10662107B2 - US10726191B2 - WO2020210932A1   
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[发明授权] 铜蚀刻集成方法 - 201310047513.3;103811414B
有权

申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 - 申请日:2013-02-06 - 主分类号:H01L21/768(2006.01)I
分类号:H01L21/768(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I
摘要:本发明涉及一种制造互连结构的方法,其中在半导体衬底上方形成牺牲层,然后通过蚀刻牺牲层以形成第一部件。图案化和蚀刻金属层以形成第二部件,然后沉积低k介电材料。该方法允许形成互连结构而不遭遇由多孔低k介电损伤引起的各种问题。
同族[11]:US10020259B2 - US10354954B2 - US2014131872A1 - US2014197538A1 - US2016254225A1 - US2017194258A1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[5]:US2003060036A1 - US2003134495A1 - US2008124917A1 - US7612453B2 - CN1832132A   
被引用[9]:US10020259B2 - US10121660B2 - US10354954B2 - US10366940B2 - US10867923B2 - US2017213786A1 ...   
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[发明] 集成电路设备和形成集成电路设备的方法 - 201510833292.1
无权-视为撤回

申请人:联发科技股份有限公司 - 申请日:2015-11-25 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L21/02(2006.01)I
摘要:本发明实施例公开了集成电路设备及形成集成电路设备的方法,其中,所述设备可包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底中的绝缘结构;以及位于所述半导体衬底上的第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极耦接至不同的电压源,其中,所述第一电极与所述第二电极平行。本发明实施例可使得所述第一电极、所述第二电极与半导体衬底之间的泄漏电流被消除或减轻。
同族[1]:US2016197071A1  >>更多 - 什么是同族
引用[6]:US2008017906A1 - US2010123177A1 - US2011210384A1 - US2014252543A1 - US2014264751A1 - US6303432B1   
被引用[5]:US10128187B2 - US10515947B2 - US10629532B2 - CN107134477A - TWI648818B   
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[发明授权] 配线构造、显示装置和半导体装置 - 201180016158.2;102822945B
有权

申请人:株式会社神户制钢所 - 申请日:2011-03-30 - 主分类号:H01L21/28(2006.01)I
分类号:H01L21/28(2006.01)I G09F9/30(2006.01)I H01L21/3205(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I H01L23/52(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L29/417(2006.01)I H01L29/78(2006.01)I H01L29/786(2006.01)I
摘要:本发明提供一种配线构造,其即使省略通常设于Cu系合金配线膜和半导体层之间的阻挡金属层,也能够发挥出优异的低接触电阻,此外密接性也优异。本发明涉及基板之上,从基板侧按顺序具备半导体层和Cu合金层的配线构造,其中,在所述半导体层与所述Cu合金层之间,从基板侧按顺序含有如下的层叠结构:含有从氮、碳、氟和氧所构成的群中选择的至少一种元素的(N、C、F、O)层;含有Cu和Si的Cu-Si扩散层,构成所述(N、C、F、O)层的氮、碳、氟和氧任一种元素与所述半导体层的Si结合,所述Cu合金层是含有Cu-X合金层(第一层)和第二层的层叠结构。
同族[8]:US2013026470A1 - US8598580B2 - WO2011125802A1 - JP2011222567A - KR20120134137A - CN102822945A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[19]:US2004125257A1 - US2006091792A1 - US2007040172A1 - US2007295963A1 - US2011121297A1 - US6033542A ...   
被引用[6]:US10424605B2 - US10658516B2 - US10804366B2 - US2017345943A1 - US2018076237A1 - US9024322B2   
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[发明授权] 运用多导体硅通孔的三维螺线管式电感与变压器结构 - 201410617853.X;104409441B
有权
权利转移

申请人:杭州电子科技大学 - 申请日:2014-11-05 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
当前权利人:杭州泛利科技有限公司
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L23/48(2006.01)I H01F17/00(2006.01)I H01F19/04(2006.01)I
摘要:本发明公开运用多导体硅通孔的三维螺母管式电感与变压器结构。运用多导体硅通孔构造的一种片上螺线管式电感元件,其特征在于金属线通过多导体硅通孔穿过基底,从而缠绕基底实现螺线管结构。类似地,本发明还提出了运用多导体硅通孔构造的螺线管式变压器元件。本发明运用虚设多导体硅通孔构造电感或变压器元件,减小芯片面积,同时相较于传感硅通孔,多导体硅通孔可在同一通孔中实现四根垂直互连,减小了硅通孔间距限制条件的影响,从而进一步减小占用面积;通过本发明所提出的螺线管式结构,可在多导体硅通孔中实现同向电流,并利用基底隔离顶部金属层和底部重新布局层间的异向电流,最大程度地提高互感值,从而提高整体性能。
同族[1]:CN104409441A  >>更多 - 什么是同族
引用[4]:US2011084765A1 - US2013005109A1 - US2014183691A1 - CN103824840A   
被引用[1]:CN107046023A   
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[发明] 半导体元件 - 201510392655.2
有权

申请人:旺宏电子股份有限公司 - 申请日:2015-07-07 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L23/528(2006.01)I
摘要:一种半导体元件,该半导体元件包括基底、介电层、多个第一阻挡层、多个第二阻挡层和多个导体层;其中,介电层位于基底上;第一阻挡层位于介电层中;第二阻挡层位于介电层中,且位于第一阻挡层上;导体层位于介电层中,导体层与第一阻挡层和第二阻挡层连接,且相邻两个导体层之间具有空气间隙,空气间隙的顶端至少高于导体层高度的三分之二。
同族[1]:CN106340504B  >>更多 - 什么是同族
引用[4]:US2006088975A1 - US6376330B1 - CN103117245A - CN103871964A   
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[发明授权] 沟槽电容器和形成该沟槽电容器的方法 - 201310056713.5;103296000B
有权

申请人:英飞凌科技股份有限公司 - 申请日:2013-02-22 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L21/02(2006.01)I
摘要:本发明涉及沟槽电容器和形成该沟槽电容器的方法。一种形成半导体器件的方法包括:在衬底中形成具有侧壁的开口;以及在所述开口中形成第一外延层。所述第一外延层是在所述侧壁的第一部分中形成的,而不是在所述侧壁的第二部分中生长。在形成所述第一外延层之后,在所述开口中形成第二外延层。所述第二外延层是在所述侧壁的第二部分中形成的。在形成所述第二外延层之后,移除所述第一外延层。
同族[7]:US2013221483A1 - US2015263083A1 - US9111781B2 - US9508790B2 - DE102013101733A1 - DE102013101733B4 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[20]:US2002163842A1 - US2002167045A1 - US2005048715A1 - US2007200178A1 - US2007235801A1 - US2007272963A1 ...   
被引用[6]:US10672862B2 - US10777690B2 - US2017043339A1 - US9536939B1 - US9782773B2 - WO2020154950A1   
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[发明授权] 半导体元件及其制造方法 - 201310218889.6;104218036B
有权

申请人:华邦电子股份有限公司 - 申请日:2013-06-04 - 主分类号:H01L27/10(2006.01)I
分类号:H01L27/10(2006.01)I H01L27/108(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L21/8239(2006.01)I
摘要:本发明公开了一种半导体元件,包括基底、绝缘层、DRAM电容器与RRAM存储单元。基底包括DRAM晶胞区与RRAM晶胞区。绝缘层位于基底上,在DRAM晶胞区上具有第一开口,且在RRAM晶胞区上具有第二开口。DRAM电容器位于绝缘层的第一开口中。RRAM存储单元位于绝缘层的第二开口中。DRAM电容器的第一电极的尺寸大于RRAM存储单元的第二电极的尺寸。RRAM与DRAM可以制作在同一个芯片上,且在芯片上的高度大致相同,不需要通过后续的金属内连线工艺再额外形成RRAM。
同族[1]:CN104218036A  >>更多 - 什么是同族
引用[2]:US2010001331A1 - KR20090020391A   
被引用[1]:CN109742064A   
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[发明] 顶层金属连接层及其制作方法、焊盘结构和半导体器件 - 201810482591.9
审中-实审

申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司 - 申请日:2018-05-18 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L23/528(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
摘要:本发明提供一种顶层金属连接层及其制作方法、焊盘结构和半导体器件,该焊盘结构包括阵列分布、彼此独立的绝缘柱,以及形成在所述绝缘柱之间一体结构的导电焊盘形成的顶层金属连接层。本发明能够提高半导体器件的可靠性和电学性能。
引用[3]:US2007200242A1 - US6313537B1 - TWM510015U   
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[发明授权] 针对意外翻转而硬化的存储器装置 - 201510126257.6;104934425B
有权

申请人:意法半导体(鲁塞)公司 - 申请日:2015-03-20 - 主分类号:H01L27/11(2006.01)I
分类号:H01L27/11(2006.01)I H01L27/11521(2017.01)I H01L29/423(2006.01)I H01L29/788(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I G11C11/412(2006.01)I G11C16/04(2006.01)I H01L29/08(2006.01)I G11C11/41(2006.01)I G11C14/00(2006.01)I H01L29/51(2006.01)I
摘要:SRAM基本存储器单元(CELSR)的pMOS晶体管(P1、P2)具有电容器(C1、C2),其第一电极(ELC1)由对应晶体管的栅极形成,其第二电极(ELC2)例如连接至对应反相器的输出端。
同族[10]:US10304524B2 - US2015269989A1 - US2017294225A1 - US9728248B2 - EP2922062A1 - EP2922062B1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[47]:US2005248977A1 - US2006023503A1 - US2008273389A1 - US2009190402A1 - US2009213664A1 - US2011044109A1 ...   
被引用[8]:US10304524B2 - US10614879B2 - US10706928B2 - US10848327B2 - US2016321997A1 - US2020035303A1 ...   
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