中国专利搜索 世界专利搜索 专利分类查询 专利引用检索 专利族检索
登陆 | |
专利服务机构展示
韦恩国际专利商标事务所
名飞扬知识产权
山东重诺律师事务所
三邦知识产权
展示投放可联系:soopat@soopat.com
【小贴士】当检索词为连续5个字或以上,为避免用户误操作而发生漏检,我们会进行适当拆分,比如输入 航天航空动力 ,会自动转换成 航天 AND 航空 AND 动力 来搜索。
因为不这么拆分,就意味着航天航空动力这6个字在专利文献里必须是连续存在的。那么类似《用于航空航天飞行器的动力推进装置》这样的专利就检索不到了。
但是拆分可能会带来一些你不需要的检索结果。如不需要自动拆分,只需在查询词上加英文单引号 ',比如输入 '航天航空动力',就不会再拆分开了。
当然,用户应尽量把检索词精简成最小单元,词与词空格隔开,避免检索词为连续5个字以上(除非是确有必要)。

[发明] 具有立体电感的承载器制作方法及其结构 - 201110134743.4
有权

申请人:颀邦科技股份有限公司 - 申请日:2011-05-16 - 主分类号:H05K1/16(2006.01)I
分类号:H05K1/16(2006.01)I H05K3/00(2006.01)I H01L21/02(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L23/64(2006.01)I
摘要:本发明是一种具有立体电感的承载器制作方法及其结构。该具立体电感的承载器制作方法包括:提供一基板;形成一第一光阻层;图案化第一光阻层;形成一第一金属层并使第一金属层具有多个具有第一高度的第一电感部;移除第一光阻层;形成一第一介电层;形成一第二光阻层;图案化第二光阻层;形成一第二金属层并使第二金属层具有一具有第二高度的第二电感部、多个具有第三高度的第三电感部及多个具有第四高度的第四电感部;移除第二光阻层;形成一第二介电层;形成一第三光阻层;图案化第三光阻层并使第三金属层具有一具有第五高度的第五电感部及多个具有第六高度的第六电感部,其中第二高度、第三高度及第四高度大于第一高度、第五高度及第六高度。
同族[1]:CN102791075B  >>更多 - 什么是同族
引用[5]:US2007090912A1 - US2007236319A1 - US6008102A - US6037649A - CN101116172A   
被引用[3]:CN103325765A - CN107403789A - CN108879083A   
  扉页 - 阅读 - 下载 - 法律状态 - 信息查询 - 同类专利

[发明授权] 高密度电容器及其电极引出方法 - 201210002933.5;102569250B
有权
权利转移

申请人:无锡纳能科技有限公司 - 申请日:2012-01-06 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
当前权利人:无锡中微晶园电子有限公司
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I H01L21/60(2006.01)I
摘要:本发明涉及一种高密度电容器及其电极引出方法,其包括衬底;衬底上生长若干局部电极层,局部电极层包括偶数局部电极层及与所述偶数局部电极层相匹配的奇数局部电极层,奇数局部电极层与偶数局部电极层间设有高介电常数介质层,衬底的上方设有互连电极层,互连电极层包括偶数互连电极及奇数互连电极,奇数互连电极与偶数互连电极间绝缘隔离。本发明电容器具有电容量大、等效串联电感小、等效串联电阻可调,等效串联电阻可根据电路的要求调整以达到最佳匹配;产品高精度、高可靠、体积小、寿命长、环保,可广泛应用于高频电路去耦、降噪使用,也可用在普通储能电路中,容易集成,可集成在IC芯片上或与IC封装在同一封装内。
同族[1]:CN102569250A  >>更多 - 什么是同族
引用[3]:US2010087042A1 - CN101930846A - CN1979849A   
被引用[9]:WO2020102078A1 - WO2020186460A1 - CN102683318A - CN104409442A - CN104851895A - CN106997878A ...   
  扉页 - 阅读 - 下载 - 法律状态 - 信息查询 - 同类专利

[发明] 一种带分压环结构的片上高压电阻 - 201410388258.3
有权

申请人:无锡市晶源微电子有限公司 - 申请日:2014-08-08 - 主分类号:H01L29/06(2006.01)I
分类号:H01L29/06(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I
摘要:本发明公开了一种带分压环结构的片上高压电阻,包括P衬底、低掺杂N型深阱区、PW环以及P+环;在所述P衬底、低掺杂N型深阱区、PW环的上表面还生长有场氧;在低掺杂N型深阱区上表面场氧的上方中部设置有第一Poly和第二Poly,第一Poly和第二Poly不贴合,在所述P衬底上还扩散有第一NW环和第二NW环,所述第一、第二NW环设置于场氧的下方,具体位置为低掺杂N型深阱区的外围、PW环之内,并且,第一NW环和低掺杂N型深阱区不贴合,第二NW环和PW环不贴合,第一NW环和第二NW环不贴合;第二Poly通过电阻内部连接端与第一Poly相连。本发明能够针对性的满足在高压环境下工作的AC-DC电路的需求。
同族[1]:CN104167435B  >>更多 - 什么是同族
引用[8]:US2004251499A1 - US2008203496A1 - CN102842577A - CN102867856A - CN102983077A - CN103633083A ...   
被引用[1]:CN107369684A   
  扉页 - 阅读 - 下载 - 法律状态 - 信息查询 - 同类专利

[发明授权] 导电结构和集成电路器件 - 201010529467.7;102082138B
有权

申请人:三星电子株式会社 - 申请日:2010-10-29 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L23/528(2006.01)I
摘要:本发明提供一种导电结构和集成电路器件。该导电结构包括延伸穿过衬底上的绝缘层的接触插塞,以及在该绝缘层上彼此并排延伸的第一导电线和第二导电线。该第一导电线延伸在该接触插塞上。在该绝缘层上的连接线延伸于该第一导电线和该第二导电线之间且电连接该第一导电线和该第二导电线。还公开了相关的集成电路器件和制造方法。
同族[5]:US2011100693A1 - US8736058B2 - KR101585491B1 - KR20110046921A - CN102082138A  >>更多 - 什么是同族
引用[8]:US2003219967A1 - US2005191844A1 - US2008157381A1 - US2009146313A1 - US2009242955A1 - JP2006229212A ...   
被引用[2]:KR101881861B1 - KR20120123889A   
  扉页 - 阅读 - 下载 - 法律状态 - 信息查询 - 同类专利

[发明] 半导体集成电路 - 201310331225.0
有权

申请人:稳懋半导体股份有限公司 - 申请日:2013-08-01 - 主分类号:H01L27/02(2006.01)I
分类号:H01L27/02(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I
摘要:一种化合物半导体集成电路,其具有表面以及/或背面金属层,可用于连接至外部电路。该化合物半导体集成电路晶片(第一晶片)包含一基板、一电子元件层、以及一介电层。一第一金属层形成于该介电层的表面,一第三金属层则形成于基板背面。该第一金属层与第三金属层主要由铜所构成,且用于连接至其他外部的电子电路。第一晶片上的第一或第三金属层以三维的方式分布于第一晶片的电子元件上方或下方,一第二晶片可以设置堆叠于第一晶片的表面或背面,并通过第一或第三金属层电连接两个晶片上分隔的连接节点。
同族[10]:US10096583B2 - US2014209926A1 - US2015206870A1 - US2017084592A1 - US9673186B2 - JP2014146780A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[19]:US2007290326A1 - US2010125761A1 - US2011062579A1 - US2011316147A1 - US2012193785A1 - US2013026631A1 ...   
被引用[14]:US10062683B1 - US10075132B2 - US10340186B2 - US10630246B2 - US2016020146A1 - US9899352B2 ...   
  扉页 - 阅读 - 下载 - 法律状态 - 信息查询 - 同类专利

[发明] 一种MOM电容器 - 201310398737.9
有权

申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 - 申请日:2013-09-04 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
分类号:H01L23/522(2006.01)I
摘要:本发明提供一种MOM电容器。包括在半导体衬底上设置的多个排列成阵列的正电容片和多个负电容片,其中,行方向的正电容片和负电容片间隔排列,列方向的正电容片和负电容片间隔排列,相邻的正电容片和负电容片通过隔离层电隔离。上述技术方案中,一个正电容片(或负电容片)可同时沿行方向和列方向,与其相邻的负电容片(或正电容片)产生电容,从而提高电容密度。
同族[1]:CN104425441B  >>更多 - 什么是同族
引用[3]:US2011254132A1 - CN102983117A - CN1459123A   
被引用[2]:WO2019127489A1 - CN104934410A   
  扉页 - 阅读 - 下载 - 法律状态 - 信息查询 - 同类专利

[发明] 一种差分电感器 - 201410035674.5
有权

申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 - 申请日:2014-01-24 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01F17/00(2006.01)I H01F27/28(2006.01)I
摘要:本发明提供一种差分电感器,至少包括:第一端口、第二端口及底层线圈;所述底层线圈的内外圈金属线圈之间通过若干第一斜线连接件以交叉方式连接;所述底层线圈的最外圈金属线圈正上方形成有一圈顶层金属线圈;所述顶层金属线圈通过所述第一端口、第二端口、及若干触点与所述底层线圈以并联方式连接;所述顶层金属线圈与所述底层线圈之间仅最外圈金属线圈堆叠并共用所述底层线圈中除最外圈金属线圈以外的所有的金属线圈。本发明的电感器中顶层线圈与底层线圈之间并联且仅最外层金属线圈堆叠,减少了耦合电容;同时连接处厚度增加,提高了线圈通电能力并降低损耗;二者共同作用,可以整体提升电感器Q值超过15%。
同族[1]:CN104810349B  >>更多 - 什么是同族
引用[9]:US2010073118A1 - US2012056297A1 - US2013249660A1 - US7463112B1 - CN101488729A - CN102087908A ...   
被引用[2]:CN106856121A - CN106856142A   
  扉页 - 阅读 - 下载 - 法律状态 - 信息查询 - 同类专利

[发明] 具有应力降低结构的互连装置及其制造方法 - 201410333805.8
有权

申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 - 申请日:2014-07-14 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
摘要:本发明提供了半导体器件结构的实施例及其制造方法。半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上方的第一层。半导体器件结构还包括形成在第一层中的应力降低结构,并且应力降低结构围绕第一层的一部分。半导体器件结构还包括形成在由应力降低结构围绕的第一层的部分中的导电部件。本发明还提供了具有应力降低结构的互连装置及其制造方法。
同族[15]:US10204843B2 - US2015206845A1 - US2016118350A1 - US2017033030A1 - US2018076109A1 - US9252047B2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[9]:US2006278989A1 - US2010273319A1 - US2011057297A1 - US2012199984A1 - US2012248581A1 - US2013270712A1 ...   
被引用[5]:US2015371939A1 - US2016079110A1 - US9564363B1 - US9716035B2 - JP2016207945A   
  扉页 - 阅读 - 下载 - 法律状态 - 信息查询 - 同类专利

[发明授权] 包括金属网结构的半导体集成电路及其制造方法 - 201210025733.1;102543947B
无权-未缴年费
权利转移

申请人:NXP股份有限公司 - 申请日:2005-05-13 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
当前权利人:意法爱立信有限公司(清算中)
分类号:H01L23/522(2006.01)I
摘要:描述了一种包括金属网结构的半导体集成电路及其制造方法。在一个实施例中,半导体集成电路包含多个设备,所述半导体集成电路包括第一区域;第二区域;以及多个金属层,每一个金属层为第二区域下方的第一区域中的设备提供互连,至少第一个金属层插入在第一和第二区域之间并包括由多个孔形成的至少一个金属网区域,所述金属网区域在第一区域和第二区域之间提供屏蔽,其中所述至少一个金属网层设置在设备上方。
同族[8]:US2005253223A1 - US7741696B2 - WO2005114732A1 - EP1745508A1 - JP2007537604A - CN101023525A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[27]:US2001020713A1 - US2003015772A1 - US2003052352A1 - US2003205746A1 - US2005101116A1 - US5151769A ...   
被引用[8]:US2010006989A1 - US2011127654A1 - US8129266B2 - US8841771B2 - US9245083B2 - JP2011100989A ...   
  扉页 - 阅读 - 下载 - 法律状态 - 信息查询 - 同类专利

[发明授权] 互连结构的制造方法 - 201110407271.5;103165518B
有权

申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 - 申请日:2011-12-08 - 主分类号:H01L21/768(2006.01)I
分类号:H01L21/768(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I
摘要:一种互连结构的制造方法,通过在金属层两侧沉积遮挡层将金属层顶部由金属层围成的开口缩小,然后再对开口进行封口,以在金属层之间形成较大空气隙,有效降低RC延迟,提高了包括所述互连结构的半导体器件的电学特性。
同族[1]:CN103165518A  >>更多 - 什么是同族
引用[2]:CN101079408A - CN101140903A   
被引用[1]:CN104979271A   
  扉页 - 阅读 - 下载 - 法律状态 - 信息查询 - 同类专利
上一页 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ...