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[发明] 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 - 200610148642.1
有权
权利转移

申请人:三星电子株式会社 - 申请日:2006-11-20 - 主分类号:H01L27/28(2006.01)I
当前权利人:三星显示有限公司
分类号:H01L27/28(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L21/84(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
摘要:本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法,该薄膜晶体管阵列面板包括:基底;数据线,形成在基底上;栅极线,与数据线交叉并包括栅电极;源电极,连接到数据线;漏电极,与源电极相对;有机半导体,与源电极和漏电极部分接触;栅极绝缘构件,位于栅电极和有机半导体之间;绝缘存储体,具有开口,有机半导体和栅极绝缘构件位于该开口中,该开口形成为十字形,在该十字形中水平部分和垂直部分交叉。
同族[11]:US2007284585A1 - US7781774B2 - EP1865558A2 - EP1865558A3 - EP2690663A2 - EP2690663A3 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[15]:US2004195205A1 - US2005045885A1 - US2005153468A1 - US2006022581A1 - US2007040171A1 - US7274039B2 ...   
被引用[20]:US10134782B2 - US10147355B2 - US10586492B2 - US2010006832A1 - US2010176485A1 - US2015060826A1 ...   
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[发明] 金属导线及其制造方法 - 200710087532.3
有权

申请人:友达光电股份有限公司 - 申请日:2007-03-16 - 主分类号:H01L21/28(2006.01)I
分类号:H01L21/28(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I H01L29/423(2006.01)I H01L29/786(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I G02F1/1333(2006.01)I
摘要:本发明公开了一种金属导线及其制造方法,包括下列步骤:形成一第一膜层于一基板上。形成一第二膜层于第一膜层上。形成一导线开口于第一与第二膜层,并曝露出部分基板上表面。对第一膜层的开口侧壁进行蚀刻,使其侧壁向内回缩,而于第二膜层与基板间形成一侧向缺口。形成一晶种层于导线开口曝露的基板上表面及第二膜层上表面。进行一电镀工序,形成一金属材料于晶种层表面,并填充于导线开口与侧向缺口中,而形成一金属层。去除第二膜层,并剥离层叠于第二膜层之上的晶种层及金属材料。
同族[1]:CN100437915C  >>更多 - 什么是同族
引用[5]:US2004185683A1 - US6887776B2 - US7011981B2 - JP2004071942A - CN1825560A   
被引用[5]:WO2020082494A1 - CN102263060A - CN103730190A - CN103839887A - CN105185787A   
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[发明] 半导体装置及其制作方法 - 200810081784.X
有权

申请人:世界先进积体电路股份有限公司 - 申请日:2008-03-13 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L23/482(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I H01L21/60(2006.01)I
摘要:本发明提供一种半导体装置及其制造方法,所述的半导体装置包括一基底;一埋层,形成于所述的基底内,其中所述的埋层包含一绝缘区及一导体区;以及一深沟渠接触结构,形成所述的基底内,其中所述的深沟渠接触结构包含一导电材料,且所述的导电材料与所述的导体区电性连接。本发明能够大幅提升单一晶圆内所能配置的元件数且提高元件密度,当选择掺杂的多晶硅作为深沟渠接触结构内的导电材料时,能够缓冲包含氧化物的衬垫层与磊晶层之间由于晶格差异所造成的应力,以提升元件的稳定度及其功效。
同族[1]:CN101533826B  >>更多 - 什么是同族
被引用[2]:CN102142392A - CN102646621A   
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[发明] 与气隙结合的金属-氧化物-金属电容器 - 200810192971.5
有权

申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 - 申请日:2008-12-31 - 主分类号:H01L27/04(2006.01)I
分类号:H01L27/04(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I
摘要:一种结合气隙和金属-氧化物-金属(MOM)电容器的集成电路结构被揭示。集成电路结构包括:半导体衬底;覆盖在半导体衬底之上的第一金属化层;在第一金属化层中的第一金属结构;覆盖在第一金属化层之上的第二金属化层;在第二金属化层中的第二金属结构,其中,第一和第二金属结构为非电容器结构;MOM电容器,它在第一和第二金属化层中的至少一个中具有一个区域;和,在第一金属化层中的、在第一金属结构之间的一个气隙。
同族[3]:US2009224359A1 - US8053865B2 - CN101533838B  >>更多 - 什么是同族
引用[4]:US5208725A - US5445985A - US6110791A - US6117747A   
被引用[27]:US10060817B2 - US10090240B2 - US10229967B2 - US10283586B2 - US10566414B2 - US10833149B2 ...   
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[发明] 制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物、使用其的抛光方法及通过其制造的半导体器件 - 200910215848.5
有权

申请人:第一毛织株式会社 - 申请日:2009-12-30 - 主分类号:C09G1/02(2006.01)I
分类号:C09G1/02(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L21/304(2006.01)I
摘要:本发明提供了一种用于制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物、使用该组合物的抛光方法以及包括通过该方法制造的铜互连的半导体器件。该组合物包括磨料颗粒、铜表面保护剂、铜缓蚀剂、氧化剂和pH调节剂,其中,磨料颗粒是具有约0.6或更小的平均一次粒径与平均二次粒径的比率的非球形胶体氧化硅,而所述铜表面保护剂是羧基官能化的水溶性聚合物。
同族[6]:US2010164106A1 - KR101279971B1 - KR20100080329A - CN101768412B - TW201035300A - TWI471413B  >>更多 - 什么是同族
引用[10]:US2001018270A1 - US2006124593A1 - US2007090094A1 - US2008003829A1 - US2008038995A1 - US2008220610A1 ...   
被引用[18]:US10093833B2 - US10262866B2 - US2011318929A1 - US2014295738A1 - US2014342562A1 - US8980122B2 ...   
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[发明] 图像传感器及其制造方法 - 200910221297.3
无权-视为撤回

申请人:东部高科股份有限公司 - 申请日:2009-11-11 - 主分类号:H01L27/146(2006.01)I
分类号:H01L27/146(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
摘要:一种图像传感器及其制造方法。图像传感器可包括包含第一金属布线的第一层间介电层、和/或位于第一层间介电层之上和/或上方且包含杂质区的键合硅。图像传感器可包括位于键合硅之上和/或上方的第二层间介电层、和/或连接至第一金属布线的第一接触插塞,并可包括位于第二层间介电层之上和/或上方的第三层间介电层、连接至第一杂质区的第二接触插塞、和/或位于第二层间介电层之上和/或上方的第二金属布线,还可包括滤色镜层和/或微透镜。介电层可介于第一接触插塞与第一杂质区之间,且可位于第二层间介电层之上和/或上方。本发明可实现第一杂质区之间最大化的隔离,并对第二杂质区实现精细加工,故能将光路最小化而将光灵敏度最大化。
同族[5]:US2010117180A1 - US8258593B2 - JP2010118661A - KR101038807B1 - KR20100052616A  >>更多 - 什么是同族
引用[7]:US2006019426A1 - US2010025800A1 - KR100731060B1 - KR100868636B1 - CN101211815A - CN1702837A ...   
被引用[5]:US2010117179A1 - US2015056750A1 - US8258595B2 - US9111823B2 - US9818849B2   
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[发明] 硅晶圆结构及多晶粒的堆栈结构 - 201010213323.0
无权-视为撤回

申请人:南茂科技股份有限公司 - 申请日:2010-06-17 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L23/485(2006.01)I H01L25/00(2006.01)I
摘要:一种硅晶圆结构,包括第一表面及相对第一表面的第二表面,第一表面上形成有多个晶粒区,每一晶粒区形成有多个硅贯通孔,而硅贯通孔连通第一表面及第二表面,于硅贯通孔中形成一硅贯通孔电极结构,其中每一硅贯通孔电极结构包括:一介电层,形成于硅贯通孔的内壁上;一阻障层,形成于介电层的内壁上,并界定出一填充空间;一充填金属层,填充于填充空间中,充填金属层的第一端低于第一表面而形成一凹槽;一柔性金属凸块,连接并覆盖充填金属层的第一端,其中部份柔性金属凸块形成于凹槽中。通过此柔性金属凸块的应用,可提高多晶粒堆栈封装结构的可靠度。
引用[5]:US2007243706A1 - US6852621B2 - US6856023B2 - US7287323B1 - CN101626015A   
被引用[2]:CN103377305A - TWI475623B   
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[发明] 具有减小的电阻的埋置位线 - 200710123255.7
无权-视为撤回

申请人:奇梦达股份公司 - 申请日:2007-07-02 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L23/532(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
摘要:一种存储单元阵列,包括多个存储单元。每一个存储单元均包括由半导体衬底内的对应的位线所限定的源极区和漏极区。每一条位线均具有掺杂半导体区以及与掺杂半导体区直接电接触的导电区。
同族[4]:US2008002466A1 - US7678654B2 - DE102006032958A1 - DE102006032958B4  >>更多 - 什么是同族
引用[23]:US2002182829A1 - US2003119314A1 - US2006198189A1 - US2006202252A1 - US2006202261A1 - US2006281255A1 ...   
被引用[4]:US2011220977A1 - US2013113043A1 - US8373214B2 - US9006827B2   
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[发明] 半导体器件及其制造方法 - 200710148559.9
无权-驳回

申请人:东部高科股份有限公司 - 申请日:2007-08-29 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I H01L21/31(2006.01)I
摘要:本发明公开一种半导体器件,其包括:下层,其在顶表面上具有不平坦区域;介质阻挡层,其设置在下层上,并具有平坦的顶表面;以及层间介质层,其设置在该介质阻挡层上,并具有平坦的顶表面。
同族[2]:US2008054480A1 - KR100744420B1  >>更多 - 什么是同族
引用[8]:US2002012552A1 - US2004015076A1 - US6278174B1 - KR100403063B1 - KR20030087653A - KR20040058950A ...   
被引用[3]:US2013134590A1 - US8754520B2 - CN109768054A   
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[发明] 半导体装置及其制造方法 - 200710101040.5
有权

申请人:三洋电机株式会社 三洋半导体株式会社 - 申请日:2007-04-23 - 主分类号:H01L21/28(2006.01)I
分类号:H01L21/28(2006.01)I H01L21/60(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I H01L23/485(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I
摘要:本发明涉及一种具有通路孔的半导体装置及其制造方法,其目的在于,能够同时实现防止通路孔内的阻挡层覆盖不足和控制通路电阻这两种功能。准备其表面上具有焊盘电极(3)的半导体衬底(1)。然后从半导体衬底(1)的背面向表面方向进行蚀刻,形成使焊盘电极(3)露出的通路孔(8)。接着,用溅射法或者PVD法以及反向溅射法(蚀刻)在通路孔(8)内形成第一阻挡层(11)。通过进行该反向溅射,除去通路孔(8)底部的阻挡层,使焊盘电极(3)露出。然后,在通路孔内露出的焊盘电极(3)上形成第二阻挡层(12)。通过只调节第二阻挡层(12)的膜厚来控制通路电阻。
同族[9]:US2007249163A1 - US8169054B2 - EP1848031A1 - JP2007311771A - KR100886305B1 - KR20070104285A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[29]:US2002170173A1 - US2004094838A1 - US2004137714A1 - US2005006783A1 - US2005048767A1 - US2005118796A1 ...   
被引用[37]:US10147642B1 - US10269748B2 - US10510549B2 - US10643941B2 - US10679924B2 - US10714409B2 ...   
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