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[发明] 金属氧化物半导体型固态图像拾取器件 - 200810088761.1
有权

申请人:索尼株式会社 - 申请日:2005-07-28 - 主分类号:H01L27/146(2006.01)I
分类号:H01L27/146(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H04N5/335(2006.01)I
摘要:MOS型固态图像拾取器件,包括单位像素单元或含有数个像素的单元,所述单元包括:光电转换元件;包括用于从所述光电转换元件接收信号电荷的栅极的放大晶体管;直接或间接与所述放大晶体管的源极连接的输出线;其漏极直接或间接与所述输出线连接的注入晶体管;与所述注入晶体管的源极连接以施加第一电压的布线;重置所述放大晶体管的栅极电位的重置机构;其源极直接或间接与所述放大晶体管的漏极连接的激活晶体管;和直接或间接与所述激活晶体管的漏极连接以施加第二电压的布线。能够同时驱动大量像素并读出像素信号,并防止大电流流过,从而提高固态图像拾取器件的可靠性。此外,可以防止输出线电位波动。
同族[18]:US10586822B2 - US2006023109A1 - US2013300905A1 - US2014104471A1 - US2015155325A1 - US2018122847A1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[69]:US2001054771A1 - US2002074637A1 - US2002149919A1 - US2003008424A1 - US2003029543A1 - US2003042587A1 ...   
被引用[368]:US10021325B2 - US10021331B2 - US10026770B2 - US10075626B2 - US10075660B2 - US10115762B2 ...   
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[发明] 高压无线射频功率元件 - 200710102137.8
无权-视为撤回

申请人:联华电子股份有限公司 - 申请日:2007-04-29 - 主分类号:H01L27/088(2006.01)I
分类号:H01L27/088(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L29/78(2006.01)I
摘要:一种高压无线射频功率元件,包括多个串接的晶体管,其包括一栅极,设于一基底上;一栅极介电层,设于该栅极与该基底间;一漏极结构,设于该栅极的一侧,其包括一N+掺杂区、一浅沟渠绝缘结构以及一N-离子井,其中该浅沟渠绝缘结构包围该N+掺杂区,该N-离子井位于该N+掺杂区与该浅沟渠绝缘结构正下方;以及一N+源极掺杂区,设于该栅极的另一侧。
被引用[1]:CN103811487A   
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[发明] 半导体器件及其制造方法、光测定装置、光检测装置 - 200810090225.5
有权
著录变更
权利转移

申请人:冲电气工业株式会社 - 申请日:2008-04-01 - 主分类号:H01L27/144(2006.01)I
当前权利人:拉碧斯半导体株式会社
分类号:H01L27/144(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L21/84(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
摘要:本发明提供一种半导体器件及其制造方法、光测定装置、光检测装置,使得信号处理电路的动作不会因为未被遮光层遮挡而倾斜入射到信号处理电路的光而变得不稳定,且信号处理电路的动作不会因为由于照射到遮光层上的光产生的浮游电荷的影响而变得不稳定。在SOI基板上形成有受光元件(36)和处理从受光元件(36)输出的信号的信号处理电路(38)的光入射部(12)中,把信号处理电路(38)上的布线层中的最上层作为遮挡太阳光的遮光层(42),与遮光层(42)电连接的多个接触插头(52)沿着遮光层的端部在SOI基板的厚度方向上层叠。多个接触插头(52)形成为接地或者足够抽出产生于遮光层的浮游电荷的电位。
同族[7]:US2008258155A1 - US7791156B2 - JP2008270615A - JP5059476B2 - KR101450342B1 - KR20080095173A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[13]:US2007070230A1 - US2007080419A1 - US2007158770A1 - JP2001244495A - JP2001267544A - JP2003264281A ...   
被引用[12]:US10323979B2 - US10825847B2 - US2010038739A1 - US2012326046A1 - US8421136B2 - US8769669B2 ...   
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[发明] 一种防止封装芯片上的顶层金属层断裂的方法及测试结构 - 200710040532.8
无权-未缴年费

申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 - 申请日:2007-05-11 - 主分类号:H01L23/485(2006.01)I
分类号:H01L23/485(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L23/544(2006.01)I
摘要:一种防止封装芯片上的顶层金属层在高温下断裂的方法,通过在顶层金属线和铝焊垫之间连接处引入下层金属层,并在顶层金属层和下层金属层之间的连接处以及下层金属层和铝焊垫之间的连接处打金属插塞,避免了因金球、铝焊垫以及顶层金属相互扩散造成的顶层金属层断裂。一种防止封装芯片上的顶层金属层在高温下断裂的测试结构,至少包括:顶层金属层,下层金属层,铝焊垫和金属插塞;所述顶层金属层和所述下层金属层之间,所述下层金属层和所述铝焊垫之间皆是通过所述金属插塞来连接的。本发明提高了测试效率,节约了资源,节省了成本。
同族[1]:CN101304013B  >>更多 - 什么是同族
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[发明] 有机发光显示器 - 200810003506.2
有权
权利转移

申请人:三星SDI株式会社 - 申请日:2004-11-05 - 主分类号:H01L27/32(2006.01)I
当前权利人:三星显示有限公司
分类号:H01L27/32(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L51/50(2006.01)I
摘要:提供了一种有机发光显示器,该有机发光显示器可以如下构成:TFT衬底,该TFT衬底包括绝缘衬底和具有至少一个源电极和一个漏电极的TFT;下电极,其形成在TFT衬底上并连接到源/漏电极其中之一;绝缘层,其具有暴露一部分下电极的开口;有机薄膜层,其形成在下电极的暴露部分和绝缘层上;以及上电极,其形成在有机薄膜层上,其中绝缘层在开口的边缘具有小于40°的锥角,并且在下电极与有机薄膜层之间形成小于或等于3000埃的台阶。所述有机发光显示器可以避免器件故障。
同族[16]:US2005116631A1 - US7501756B2 - EP1536494A2 - EP1536494A3 - EP1536494B1 - EP1919007A2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[18]:US2002063515A1 - US2003038594A1 - US2003151358A1 - US2003209976A1 - US6246179B1 - US6727871B1 ...   
被引用[74]:US10038040B2 - US10103270B2 - US10140914B2 - US10164217B2 - US10199612B2 - US10217805B2 ...   
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[发明] 集成电路结构及其形成方法 - 200810090309.9
有权

申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 - 申请日:2008-03-28 - 主分类号:H01L21/768(2006.01)I
分类号:H01L21/768(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L23/532(2006.01)I
摘要:一种集成电路结构及其形成方法,包括:提供一半导体基板;形成一介电层于该半导体基板上;于该介电层内形成一开口;形成一籽晶层于该开口内;形成一铜导线于该籽晶层上,其中至少该籽晶层与该铜导线之一包括一合金化材料;以及形成一蚀刻停止层于该铜导线之上。所得到的内连结构的可靠度以及其T50值可更为增加,相较于公知铜与蚀刻停止层的结合程度,介于介面区以及蚀刻停止层间的结合程度也获得改善,且因而较少发生膜层脱附情形,虽然由于经掺杂的铜导线的电阻率增加造成所得到的内连结构的阻容延迟会稍微增加,然而上述电阻率的增加量仍处于可接受的程度。
同族[7]:US2009152722A1 - US2010059893A1 - US7642189B2 - US8264046B2 - CN101465315B - TW200929435A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[11]:US2002030282A1 - US2004108217A1 - US2006267201A1 - US2007077761A1 - US2007123034A1 - US2008206986A1 ...   
被引用[32]:US10784157B2 - US2008280151A1 - US2010038784A1 - US2010059893A1 - US2011006430A1 - US2011147940A1 ...   
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[实用新型] 双源双栅共漏功率器件 - 200620061023.4
无权-未缴年费

申请人:广州南科集成电子有限公司 - 申请日:2006-06-30 - 主分类号:H01L27/04(2006.01)I
分类号:H01L27/04(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L29/78(2006.01)I H01L29/40(2006.01)I
摘要:本实用新型公开了一种成本低、封装工艺简单、封装效率高、栅极电容小、开启速度快的双源双栅共漏功率器件。本实用新型包括硅衬底(1)、两个器件单元,每个所述器件单元的所述氧化层II(82)上表面的所述漏极金属II(2’)通过所述通孔II与所述漏极金属I(2)相连接并形成焊盘I,两个所述器件单元的所述焊盘I连接为一体,每个所述器件单元的所述氧化层II(82)上表面的所述源极金属II(3’)通过所述通孔II与所述源极金属I(3)相连接并形成一个焊盘II,每个所述器件单元的所述栅极金属II(4’)通过所述通孔II与所述栅极金属I(4)相连接并形成一个焊盘III。本实用新型可广泛应用于集成电路领域。
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[发明] 存储单元中的金属线布局 - 200710109842.0
有权
权利转移

申请人:ARM有限公司 - 申请日:2007-05-31 - 主分类号:H01L27/105(2006.01)I
当前权利人:ARM 有限公司 安谋科技(中国)有限公司
分类号:H01L27/105(2006.01)I H01L27/02(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L23/528(2006.01)I
摘要:提供存储单元,它具有延伸在第一方向的多晶硅栅2。提供一序列金属线层,它包括延伸在基本上与第一方向正交的第二方向的位线4、随后是延伸在第二方向的数据线6、然后是延伸在第一方向的 字线8的层。将数据线6预充电到在位线4用于读出存储在存储单元内的数据值时保持的值。
同族[8]:US2007279959A1 - US7606057B2 - JP2007324571A - JP2014081992A - JP5680737B2 - CN101083268B ...  >>更多 - 什么是同族
引用[22]:US5295105A - US6528896B2 - US6665203B2 - US6829186B2 - US7161823B2 - US7286379B1 ...   
被引用[6]:US2009086535A1 - US2013051128A1 - US7817466B2 - US9025356B2 - CN106356451A - CN107004438A   
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[发明] 半导体装置及其制造方法 - 200610111749.9
无权-驳回
复审程序

申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 - 申请日:2006-08-25 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
摘要:本发明提供一种半导体装置及其制造方法,该半导体装置包括:一基底;一介电层,形成于该基底上;一开口,形成于该介电层中;一第一阻障层,覆盖于该开口的侧壁;一第二阻障层,覆盖于该第一阻障层上与该开口的底部;以及一导电层,填入该开口。本发明所述的半导体装置及其制造方法,提供一包含多重沉积与再溅镀步骤的制程以及极佳的再溅镀/沉积比例,使获得的金属阻障层的厚度极薄,而能有效降低内连线结构的阻值,例如能有效降低接触区与镶嵌导线间的阻值。此外,于沟槽角落的阻障层厚度亦可被控制,以避免再溅镀后产生的微沟槽现象,增加了元件的可靠性。
同族[3]:US2007252277A1 - TW200741961A - TWI345288B  >>更多 - 什么是同族
引用[2]:US2003116427A1 - US6287977B1   
被引用[10]:US2012080791A1 - US7842605B1 - US8148257B1 - US9881809B2 - CN105051883A - CN105336576A ...   
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[发明] 像素结构与制造方法及含像素结构的光电装置与制造方法 - 200710105863.5
有权

申请人:友达光电股份有限公司 - 申请日:2007-05-31 - 主分类号:H01L27/12(2006.01)I
分类号:H01L27/12(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L21/84(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I
摘要:本发明是有关于一种像素结构及其制造方法以及包含该像素结构的光电装置及其制造方法,像素结构包含至少一栅极线、至少一数据线、至少一薄膜晶体管与至少一像素电极。该方法于一基板形成栅极线与数据线,数据线与栅极线实质上相互交错,并在栅极在线形成薄膜晶体管,薄膜晶体管耦接栅极线与数据线,且于基板形成像素电极,像素电极耦接薄膜晶体管。
同族[1]:CN100452412C  >>更多 - 什么是同族
引用[5]:US2004004221A1 - US2004191970A1 - US2004263742A1 - KR20050097004A - CN1577025A   
被引用[3]:WO2016165184A1 - CN102956646A - CN105304644A   
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