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[发明] 半导体集成电路装置 - 200610106387.4
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申请人:恩益禧电子股份有限公司 - 申请日:2006-07-14 - 主分类号:H01L27/00(2006.01)I
当前权利人:瑞萨电子株式会社
分类号:H01L27/00(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I
摘要:一种半导体集成电路装置,具有能确保布线间的绝缘性的配置布线。在同一布线层内,包括被供给给定的电压的第1布线(11)、成为给定的电压及以上的电压的第2布线(12)和成为给定的电压及以下的电压的第3布线(13)。或者,包括被供给给定的电压的第1布线(11)、成为给定的电压及以下的电压的第2布线(12)和成为给定的电压及以上的电压的第3布线(13)。并且,使得第1布线(11)介于第2布线(12)和第3布线(13)之间而对各个布线以布线间隔D来配置布线。预先知道电位差小的布线(11)常与布线(12)邻接而被布线。因此,与布线(12)的电位差有变大的可能性的布线(13)不与布线(12)直接邻接。这样的布线配置的结果,就做成能充分地确保布线间的绝缘性的布线。
同族[4]:US2007013391A1 - US7667254B2 - JP2007027314A - CN1897275B  >>更多 - 什么是同族
引用[11]:US2003018949A1 - US5539223A - US6340825B1 - JP2001332625A - JP2003031664A - JP2005150338A ...   
被引用[1]:JP2009140999A   
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[发明] 半导体装置及其制造方法、电路基板和电子设备 - 200610151703.X
无权-未缴年费

申请人:精工爱普生株式会社 - 申请日:1997-12-04 - 主分类号:H01L21/60(2006.01)I
分类号:H01L21/60(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I H01L23/485(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I
摘要:封装尺寸为接近芯片尺寸,除所谓应力缓冲层之外,能有效地吸收热应力的半导体装置。半导体装置(150)具有:有电极(158)的半导体芯片、设置于半导体芯片的上边用作应力缓冲层的树脂层(152)、从电极(158)直到树脂层(152)的上边所形成的布线(154)以及在树脂层(152)的上方在布线(154)上形成的焊料球(157),还形成树脂层(152)使得在表面上具有凹部(152A),并且经过凹部(152A)形成布线(154)。
同族[70]:US2003096449A1 - US2003213981A1 - US2004180486A1 - US2006097369A1 - US2006131705A1 - US2006249843A1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[3]:EP0734059A2 - JPS641257A - CN1123468A   
被引用[2]:CN104471680A - CN105977231A   
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[发明] 快闪存储器及其制作方法 - 200710039564.6
有权
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申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 - 申请日:2007-04-17 - 主分类号:H01L21/8247(2006.01)I
当前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
分类号:H01L21/8247(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I H01L27/115(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I
摘要:一种快闪存储器的制作方法,包括:沿字线方向依次蚀刻所述第二多晶硅层和第二蚀刻阻挡层,直至暴露出介电层,形成字线,保留字线以外区域的三层堆叠结构;在字线两侧形成侧墙;去除第二蚀刻阻挡层,并且在第二多晶硅层和介质层上形成过渡金属,通过退火与字线反应形成硅化物层;去除多余未反应的过渡金属,形成SONOS快闪存储器。本发明在制作SONOS快闪存储器中,通过在字线以外区域保留SONOS快闪存储器的介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构以及在字线两侧形成侧墙,充分对字线与字线之间、字线与位线之间以及字线与半导体衬底之间进行了隔离,防止形成短路通道,造成漏电流。
同族[1]:CN100539082C  >>更多 - 什么是同族
被引用[3]:CN102054820A - CN104538363A - CN105977208A   
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[发明] 固态图像拾取装置及其制造方法以及图像拾取装置 - 200810211485.3
无权-未缴年费

申请人:索尼株式会社 - 申请日:2008-09-26 - 主分类号:H01L27/148(2006.01)I
分类号:H01L27/148(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L21/822(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
摘要:本发明中公开了固态图像拾取装置、固态图像拾取装置的制造方法以及图像拾取装置,其中,该固态图像拾取装置包括:多个光接收单元、转移沟道、第一转移电极、第二转移电极、第一配线、以及第二配线。通过本发明,可以减少水平方向上从倾斜角度入射至光接收单元上的光的遮挡,从而能够改善光接收单元的灵敏度。
同族[8]:US2009085070A1 - US8053815B2 - JP2009081402A - JP5176453B2 - KR20090033007A - CN101399282B ...  >>更多 - 什么是同族
引用[8]:US2006007338A1 - JP2003060819A - JP2006041369A - JP2006086350A - JP2007035950A - JP2007221560A ...   
被引用[7]:US10418398B2 - US2008102555A1 - US7723149B2 - US9136403B2 - JP2014053553A - CN103037174A ...   
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[发明] 半导体器件及其制造方法 - 200810132222.3
无权-未缴年费

申请人:东部高科股份有限公司 - 申请日:2008-07-18 - 主分类号:H01L27/02(2006.01)I
分类号:H01L27/02(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L29/78(2006.01)I H01L21/8234(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I
摘要:一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括:形成在半导体衬底上的栅极图案,形成在位于栅极图案一侧的半导体衬底中的第一掺杂区域和形成在位于栅极图案另一侧的半导体衬底中的第二掺杂区域,部分覆盖第一掺杂区域或第二掺杂区域的自对准多晶硅化物屏蔽膜图案,形成在半导体衬底上的绝缘膜,该绝缘膜包括暴露自对准多晶硅化物屏蔽膜图案的第一孔和部分地暴露没有被自对准多晶硅化物屏蔽膜图案覆盖的第一掺杂区域或第二掺杂区域的第二孔,以及穿过第一孔与自对准多晶硅化物屏蔽膜图案接触的第一线。
同族[5]:US2009020804A1 - KR100900867B1 - KR20090008857A - CN101350349B - TW200905811A  >>更多 - 什么是同族
引用[6]:US2008258197A1 - US6160282A - US7223647B2 - KR20050022592A - KR20050064464A - KR20060102190A   
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[发明] 场效应晶体管 - 200780002181.X
无权-未缴年费

申请人:株式会社东芝 - 申请日:2007-07-12 - 主分类号:H01L21/338(2006.01)I
分类号:H01L21/338(2006.01)I H01L21/28(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L29/41(2006.01)I H01L29/812(2006.01)I
摘要:一种场效应晶体管,具有:工作区域(12),形成在化合物半导体衬底(11)上;栅极电极(13),形成在工作区域(12)上;源极电极(14)及漏极电极(15),夹着栅极电极(13)而交替形成在工作区域(12)上;接合焊盘(18、19),用于与外部电路连接;电极连接部(20A),与源极电极(14)或漏极电极(15)连接;空中桥(20),具有与接合焊盘(18、19)连接的焊盘连接部(20B)、及将电极连接部(20A)及焊盘连接部(20B)之间连接的空中布线部(20C),在各个空中桥(20)的宽度方向的剖面,电极连接部20A的剖面面积小于等于空中布线部(20C)的剖面面积,及/或电极连接部的宽度设置得比空中布线部的宽度窄。
同族[10]:US2008277698A1 - US7755112B2 - WO2008007467A1 - DE112007000175B4 - DE112007000175B9 - DE112007000175T5 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[11]:US2004188758A1 - US5821154A - US6020613A - US6424006B1 - US6713793B1 - DE19522364C1 ...   
被引用[3]:CN102479768A - CN104425585A - CN106252310A   
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[发明] 垂直式非易失性存储器及其制造方法 - 200710142520.6
有权

申请人:旺宏电子股份有限公司 - 申请日:2007-08-15 - 主分类号:H01L27/115(2006.01)I
分类号:H01L27/115(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L21/8247(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
摘要:一种垂直式非易失性存储器的制造方法,是先于一个衬底上依序形成第一半导体层、第一阻挡物、第二半导体层、第二阻挡物和第三半导体层,其中第一和第三半导体层具第一导电态,第二半导体层具第二导电态。之后,去除衬底上部分的第三半导体层、第二阻挡物、第二半导体层、第一阻挡物与第一半导体层,以形成数条主动迭层结构,再于衬底上形成储存结构。接着,于衬底上形成覆盖储存结构并填满主动迭层结构之间的空间的导电层,再去除部分的导电层,以形成数条横跨主动迭层结构的字线。
同族[1]:CN101369582B  >>更多 - 什么是同族
被引用[3]:CN104282694A - CN105990365A - CN107134457A   
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[实用新型] 阵列基板 - 200720074598.4
无权-避重放弃

申请人:上海广电光电子有限公司 - 申请日:2007-09-12 - 主分类号:H01L27/12(2006.01)I
分类号:H01L27/12(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I G02F1/1362(2006.01)I
摘要:本实用新型公开了一种阵列基板,该阵列基板包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线;多条沿第二方向延伸的数据线,栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域;设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极;其中所述数据线与栅极扫描线形成在同一层上,且所述数据线被栅极扫描线分隔开为多段或所述栅极扫描线被数据线分隔开为多段,分隔开的数据线或栅极扫描线通过其两端的接触孔与形成在像素电极层的接触电极进行电气连接。
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[发明] 半导体器件 - 200510116125.1
无权-未缴年费
著录变更
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申请人:恩益禧电子股份有限公司 - 申请日:2005-10-26 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
当前权利人:瑞萨电子株式会社
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L27/00(2006.01)I
摘要:本发明的实施例提供了一种具有包括第一电极、第二电极和绝缘体的电容器的半导体器件。半导体器件包括交替层叠的多个第一层和多个第二层。第一层每层都包括交替设置且在第一方向上延伸的第一电极的线和第二电极的线。第二层每层都包括交替设置且在第二方向上延伸的第一电极的线和第二电极的线。第一通孔连接每个第一层中的第一电极的线和每个第二层中的第一电极的线。第二通孔连接每个第一层中的第二电极的线和每个第二层中的第二电极的线。
同族[5]:US2006086965A1 - US7348624B2 - JP2006128164A - JP4343085B2 - CN100463161C  >>更多 - 什么是同族
引用[8]:US2004174655A1 - US2005208728A1 - US5583359A - US6819542B2 - WO03090280A1 - JP2003530699A ...   
被引用[87]:US10237507B2 - US10269691B2 - US10283443B2 - US10424440B2 - US10574926B2 - US10707162B2 ...   
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[发明] 半导体器件以及其制造方法 - 200610004851.9
无权-未缴年费
著录变更
权利转移

申请人:恩益禧电子股份有限公司 - 申请日:2006-01-16 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
当前权利人:瑞萨电子株式会社
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I H01L21/3205(2006.01)I
摘要:在一种半导体器件中,在半导体衬底上方设置有绝缘中间层,并且在绝缘中间层中形成有多个第一布线层和多个第二布线层。第一布线层基本上由铜构成,并且以大间距平行排列。第二布线层基本上由铜构成,并且以小间距平行排列。在每个第一布线层上形成有第一金属帽层,并且在每个第二布线层上形成有第二金属帽层。第二金属帽层具有比第一金属帽层的厚度小的厚度。
同族[7]:US2006157854A1 - US2009081870A1 - US7479700B2 - US7741214B2 - JP2006196744A - JP4963349B2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[23]:US2003089928A1 - US2005029662A1 - US2005110149A1 - US2005151264A1 - US2006001170A1 - US5451551A ...   
被引用[54]:US10170416B2 - US10461006B1 - US10714586B2 - US10811277B2 - US2007072754A1 - US2007241329A1 ...   
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