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[发明授权] 半导体集成电路 - 200810149484.0;101393910B
有权

申请人:索尼株式会社 - 申请日:2008-09-18 - 主分类号:H01L27/02(2006.01)I
分类号:H01L27/02(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H03K17/687(2006.01)N
摘要:一种半导体集成电路包括:具有内部电压线的电路块;环形轨道线,在电路块周围形成封闭环形线并提供有电源电压和参考电压之一;和多个开关块,在电路块周围沿着环形轨道线配置,该多个开关块的每个都包括:电压线段,形成部分环形轨道线;和开关,用于控制电压线段和内部电压线间的连接和断开。
同族[21]:US10263617B2 - US2009072888A1 - US2011102076A1 - US2012256683A1 - US2014232448A1 - US2015194955A1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[38]:US2005169042A1 - US2005200383A1 - US2006093129A1 - US2007164806A1 - US2007168899A1 - US2007241779A1 ...   
被引用[27]:US10263617B2 - US10346574B2 - US10352977B2 - US10417371B2 - US10452803B2 - US10474783B2 ...   
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[发明授权] 一种铜-气体介质大马士革结构及其制造方法 - 200510003373.5;1996588B
有权
权利转移

申请人:上海集成电路研发中心有限公司 上海华虹(集团)有限公司 上海华虹NEC电子有限公司 - 申请日:2005-12-31 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
当前权利人:上海集成电路研发中心有限公司 上海华虹(集团)有限公司 上海华虹(集团)有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
摘要:本发明的铜-气体介质大马士革结构,在刻蚀阻挡层之间先淀积挥发性有机材料层,在该有机材料层上刻蚀并淀积氧化膜,再在该氧化膜上进行大马士革铜工艺制造,最后除去该挥发性有机材料层,填入氦气并封口,完成铜-气体介质大马士革结构的制造。通过使用可挥发性有机材料来形成铜-气体介质大马士革结构。此方法容易大规模生产,并且产出的铜-气体介质大马士革芯片结构稳定,有均一的介电常数K≈1,导热性能好。
同族[1]:CN1996588A  >>更多 - 什么是同族
被引用[1]:CN102446842A   
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[发明授权] α-钽层的形成方法、MIM电容及其形成方法 - 200810146359.4;101425453B
有权

申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 - 申请日:2008-08-25 - 主分类号:H01L21/02(2006.01)I
分类号:H01L21/02(2006.01)I H01L29/92(2006.01)I H01L27/04(2006.01)I H01L27/06(2006.01)I H01L27/08(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I
摘要:本发明揭示一种MIM电容、形成α-钽层的方法、以及形成MIM电容的方法。形成MIM电容的方法包括形成含氮层于半导体基底上。以轰击元素轰击含氮层以形成α-钽晶种层。之后,在N2流量实质上为零的条件下溅镀Ta以形成α-钽的第一极板表层。之后,形成介电层于第一极板上,并形成第二极板于介电层上,以完成MIM电容的制作。本发明可降低电极板的电阻,可降低电容的厚度,其他优点还包括以较低的成本制作出低电阻、低厚度的MIM电容。
同族[3]:US2009116169A1 - US7969708B2 - CN101425453A  >>更多 - 什么是同族
引用[16]:US4364099A - US5783282A - US6100545A - US6426512B1 - US6812051B1 - US6812051B2 ...   
被引用[3]:US10276431B2 - US2016111327A1 - US9892963B2   
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[发明授权] 像素结构 - 200710187534.X;101162340B
有权

申请人:友达光电股份有限公司 - 申请日:2007-11-21 - 主分类号:G02F1/1362(2006.01)I
分类号:G02F1/1362(2006.01)I G02F1/133(2006.01)I G09G3/36(2006.01)I H01L27/12(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I
摘要:本发明公开了一种像素结构,适于与一扫描线以及一数据线电性连接,像素结构包括一主动元件、一第一像素电极、一平均电位平衡电路以及一第二像素电极。主动元件与扫描线以及数据线电性连接。第一像素电极与主动元件电性连接。平均电位平衡电路与扫描线以及数据线电性连接。第二像素电极与平均电位平衡电路电性连接,其中第二像素电极与第一像素电极电性绝缘。
同族[1]:CN101162340A  >>更多 - 什么是同族
被引用[1]:CN102130136A   
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[发明授权] 输入/输出垫结构 - 200910002060.6;101582412B
有权

申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 - 申请日:2009-01-12 - 主分类号:H01L23/538(2006.01)I
分类号:H01L23/538(2006.01)I H01L23/488(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I
摘要:本发明公开一种集成电路的输入/输出垫结构,包括:一第一垂直区域于集成电路中,包括一顶金属层与一个或多个半导体元件于顶金属层下方,第一垂直区域的顶金属层作为一第一焊垫,半导体元件电性连接至第一焊垫;一第二垂直区域于集成电路中,包括顶金属层与一个或多个硅通孔于顶金属层下方,第二垂直区域的顶金属层作为一第二焊垫,且第二焊垫下方没有形成半导体元件,硅通孔电性连接至第二焊垫,其中第一焊垫与第二焊垫经由至少一金属层电性连接。本发明可将传统输入/输出垫结构用在三维集成电路的技术,而不需重新设计,具有应用灵活方便,并且成本较低的优点。
同族[3]:US2009278251A1 - US8816486B2 - CN101582412A  >>更多 - 什么是同族
引用[11]:US2006063371A1 - US2007290300A1 - US2008073747A1 - US4939568A - US7221034B2 - US7224052B2 ...   
被引用[33]:US10074641B2 - US10090265B2 - US10290671B2 - US10340203B2 - US10643986B2 - US10651140B2 ...   
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[发明授权] 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 - 200610051490.3;100449737C
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申请人:友达光电股份有限公司 - 申请日:2006-02-28 - 主分类号:H01L21/84(2006.01)
分类号:H01L21/84(2006.01) H01L21/768(2006.01) H01L27/12(2006.01) H01L23/522(2006.01) G02F1/1362(2006.01)
摘要:本发明关于一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法,该制造方法包含下列步骤:形成薄膜晶体管于基板的有源区域之上与接触垫于基板的外围区域之上。依序形成无机绝缘层与有机绝缘层覆盖薄膜晶体管与接触垫。图案化有机绝缘层。再以六氟化硫/氧气蚀刻未被有机绝缘层覆盖的无机绝缘层,以形成具有第一倾斜侧壁的第一接触窗于外围区域上及具有第二倾斜侧壁的第二接触窗于有源区域上,并残留部分的有机绝缘层于外围区域之上。其中该六氟化硫/氧气的流量比大致上介于0.33~0.42之间。形成图案化导体保护层于接触窗上。
同族[1]:CN1832149A  >>更多 - 什么是同族
引用[5]:US2002084475A1 - US6650380B2 - EP0919850A2 - JPH05226654A - CN1531077A   
被引用[3]:US10444579B2 - CN103151304A - CN106876411A   
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[发明授权] 快闪存储器及其制作方法 - 200710039564.6;100539082C
有权
权利转移

申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 - 申请日:2007-04-17 - 主分类号:H01L21/8247(2006.01)I
当前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
分类号:H01L21/8247(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I H01L27/115(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I
摘要:一种快闪存储器的制作方法,包括:沿字线方向依次蚀刻所述第二多晶 硅层和第二蚀刻阻挡层,直至暴露出介电层,形成字线,保留字线以外区域 的三层堆叠结构;在字线两侧形成侧墙;去除第二蚀刻阻挡层,并且在第二 多晶硅层和介质层上形成过渡金属,通过退火与字线反应形成硅化物层;去 除多余未反应的过渡金属,形成SONOS快闪存储器。本发明在制作SONOS 快闪存储器中,通过在字线以外区域保留SONOS快闪存储器的介质层-捕获 电荷层-介质层的三层堆叠结构以及在字线两侧形成侧墙,充分对字线与字 线之间、字线与位线之间以及字线与半导体衬底之间进行了隔离,防止形成 短路通道,造成漏电流。
同族[1]:CN101290911A  >>更多 - 什么是同族
被引用[3]:CN102054820A - CN104538363A - CN105977208A   
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[发明授权] 半导体装置及其制造方法 - 200610004202.9;100524725C
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申请人:三洋电机株式会社 - 申请日:2006-01-28 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L23/485(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I H01L21/60(2006.01)I
摘要:一种半导体装置的制造方法,抑止半导体装置的腐蚀。本发明的半导体 装置的制造方法具有如下工序,相对隔着第一绝缘膜(2)形成于半导体衬 底(1)上的第一配线3,从上述半导体衬底背面蚀刻该半导体衬底(1),形 成使上述绝缘膜(2)露出的第一开口部(7)。其次,在对从上述第一开口 (7)露出的上述绝缘膜(2)进行蚀刻而形成使上述第一配线(3)露出的 第二开口(8)后,对上述半导体衬底(1)进行蚀刻,形成具有比上述第一 开口(7)的开口直径宽的开口直径的第三开口(9)。然后,在介由上述第 二及第三开口(8、9)在包含上述第一配线(3)的半导体衬底背面形成第 二绝缘膜(10)后,对包覆上述第一配线(3)的第二绝缘膜(10)进行蚀 刻。
同族[11]:US2006180933A1 - US8035215B2 - EP1686622A2 - EP1686622A3 - JP2006237594A - JP4775007B2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[21]:US2003119308A1 - US2004155354A1 - US2004212086A1 - US4051550A - US5899740A - US6052287A ...   
被引用[30]:US10043743B2 - US10050074B2 - US10580732B2 - US2008217791A1 - US2015115412A1 - US2015221690A1 ...   
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[发明授权] 具有单元金氧半组件的集成电路的布局方法 - 200710195381.3;101315928B
有权

申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 - 申请日:2007-12-17 - 主分类号:H01L27/02(2006.01)I
分类号:H01L27/02(2006.01)I H01L27/092(2006.01)I H01L27/088(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I
摘要:本发明涉及一种半导体结构,其包含排列为多个列及多个行的单元金氧半(MOS)组件的一数组。每一单元MOS组件包含安排于一列方向的一主动区域以及安排于一行方向的一栅极电极。半导体结构还包含在数组中的一第一单元MOS组件以及在数组中的一第二单元MOS组件,其中第一及第二单元MOS组件的主动区域具有不同的导电型式。
同族[7]:US2008296691A1 - US2012286368A1 - US8237201B2 - US8803202B2 - CN101315928A - TW200847396A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[42]:US2003145299A1 - US2004119100A1 - US2005023633A1 - US2005111247A1 - US2005136582A1 - US2005140028A1 ...   
被引用[20]:US2008157208A1 - US2008258228A1 - US2008263492A1 - US2009253238A1 - US2011133259A1 - US7898037B2 ...   
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[发明授权] 主动组件阵列基板、液晶显示面板及其驱动方法 - 200810201153.7;101728381B
有权

申请人:华映视讯(吴江)有限公司 中华映管股份有限公司 - 申请日:2008-10-14 - 主分类号:H01L27/02(2006.01)I
分类号:H01L27/02(2006.01)I H01L27/12(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I G02F1/1362(2006.01)I
摘要:一种主动组件阵列基板,包括多条扫描线、多条与扫描线的数据线以及多个像素区。各像素区包括多个沿数据线方向排列的像素组,且各像素组具有多个沿资料线方向相邻排列的像素,各像素组中的像素电性连接至同一条数据线,扫描线间隔地配置在像素之间,且各像素区所对应的数据线彼此相邻地配置在各像素区的同一侧。
同族[1]:CN101728381A  >>更多 - 什么是同族
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