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[发明] 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法 - 201310294094.3
有权

申请人:京东方科技集团股份有限公司 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 - 申请日:2013-07-12 - 主分类号:H01L27/12(2006.01)I
分类号:H01L27/12(2006.01)I H01L21/77(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I G02F1/1362(2006.01)I G02F1/1368(2006.01)I
摘要:本发明提供一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法。该阵列基板包括基板以及设置在基板上的数据线和扫描线,数据线和扫描线围成多个像素区域,像素区域内设置有薄膜晶体管,薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极和有源区,栅电极设置在有源区的上方,源电极与漏电极分设在有源区的相对两侧,像素区域内还设置有遮光金属层,遮光金属层和数据线同层设置在基板上,遮光金属层设置在有源区下方,且在正投影方向上与有源区至少部分重叠,数据线靠近源电极且在正投影方向上与有源区至少部分不重叠。本发明通过将遮光金属层和数据线在同一步骤中形成在同一层中,减少了阵列基板的构图工艺次数,提高了阵列基板及显示装置的制备效率。
同族[6]:US2015028341A1 - US2017092658A1 - US9559125B2 - US9735182B2 - WO2015003466A1 - CN103383946B  >>更多 - 什么是同族
引用[10]:US2005045881A1 - US2011284851A1 - US2011309397A1 - US6567136B1 - CN101083261A - CN101097381A ...   
被引用[50]:US10146078B2 - US10181482B2 - US10193089B2 - US10403755B2 - US10496202B2 - US2016246426A1 ...   
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[发明授权] 具有窄间距化的内引线的半导体装置 - 200310120172.4;1324701C
无权-未缴年费

申请人:夏普株式会社 - 申请日:2003-12-09 - 主分类号:H01L23/48(2006.01)
分类号:H01L23/48(2006.01) H01L23/522(2006.01) H01L21/60(2006.01)
摘要:本发明的半导体装置,在配设在离半导体芯片的边缘的距离相对较近的位置上的外周侧凸起电极间,具有2根内周内引线,其连接在配设在离上述边缘的距离相对较远的位置上的内周侧凸起电极上。该内周内引线中的至少1根,根据内周侧凸起电极的接合位置弯曲。
同族[9]:US2004108594A1 - US6867490B2 - JP2004193223A - JP4271435B2 - KR100560009B1 - KR20040050848A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[9]:US5349238A - US5442229A - US5825081A - US6603071B2 - US6744120B1 - EP0305951A1 ...   
被引用[89]:US10062313B2 - US10522494B2 - US10593253B2 - US10818628B2 - US2004035747A1 - US2005009240A1 ...   
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[发明授权] 修补结构与主动元件阵列基板 - 200610100236.8;100454556C
有权
权利转移

申请人:友达光电股份有限公司 - 申请日:2006-07-05 - 主分类号:H01L27/12(2006.01)
分类号:H01L27/12(2006.01) H01L23/522(2006.01) G02F1/133(2006.01)
摘要:本发明公开了一种修补结构与主动元件阵列基板,所述修补结构包括至少一第一导线、一第一绝缘层、至少一第二导线以及一修补连接层。其中,第一绝缘层覆盖第一导线。第二导线配置于第一绝缘层上方。第二绝缘层覆盖第二导线与第一绝缘层。修补连接层配置于第二绝缘层上。特别是,修补连接层与第一导线电性连接,且修补连接层与第二导线重叠但彼此不电性连接。依据上述,本发明提出一种可提高修补合格率的修补结构。
同族[1]:CN1877844A  >>更多 - 什么是同族
引用[6]:US2005116915A1 - US5062690A - US5303074A - US5473452A - JPH07175085A - CN1142057A   
被引用[7]:US10276603B2 - US9559054B2 - WO2014205856A1 - WO2018068298A1 - CN103247245A - CN103311220A ...   
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[发明授权] 半导体器件及其构建方法 - 200610148648.9;100511660C
有权
权利转移

申请人:松下电器产业株式会社 - 申请日:2004-01-21 - 主分类号:H01L23/485(2006.01)I
当前权利人:株式会社索思未来
分类号:H01L23/485(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L21/60(2006.01)I H01L21/28(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
摘要:本发明公开了一种半导体器件及其构建方法。在具有位于将要连接至 再布线层布线的凸点下方的最上层布线的半导体器件中,形成最上层布线, 使得覆盖最上层布线的保护膜的表面在凸点下方没有凹凸。
同族[8]:US2004159943A1 - US6940166B2 - JP2004228321A - JP3767821B2 - CN1295769C - CN1523652A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[7]:US2002111009A1 - US5473197A - US6545354B1 - US6812565B2 - JP2000031203A - JPH01120040A ...   
被引用[3]:US10714438B2 - CN107180595A - CN110010576A   
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[发明授权] 半导体芯片 - 200610071402.6;100550366C
无权-未缴年费
著录变更
权利转移

申请人:恩益禧电子股份有限公司 - 申请日:2006-03-20 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
当前权利人:瑞萨电子株式会社
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L21/314(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
摘要:半导体芯片(100)包括:未示出的半导体衬底;以及形成在半导 体衬底上的层叠膜(150),其包括诸如第一层间绝缘膜(106)的含 碳绝缘膜和诸如底层(102)和顶覆盖膜(124)的无碳绝缘膜。在此, 无碳绝缘膜的端面位于含碳绝缘膜的端面的外侧。含碳绝缘膜的碳组 分在其端部比在内部低。含碳绝缘膜的膜密度在其端部比在内部高。
同族[7]:US2006208361A1 - US7564132B2 - JP2006261514A - JP4927343B2 - CN101276803A - CN101276803B ...  >>更多 - 什么是同族
引用[16]:US2004113238A1 - US5293073A - US6429518B1 - US6537904B1 - US6614096B2 - US7227244B2 ...   
被引用[2]:US2008311742A1 - US7902068B2   
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[发明授权] 具有H型栅的射频SOI LDMOS器件 - 200810057936.2;101515588B
无权-未缴年费
权利转移

申请人:中国科学院微电子研究所 - 申请日:2008-02-21 - 主分类号:H01L27/12(2006.01)I
当前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中国科学院微电子研究所
分类号:H01L27/12(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L29/786(2006.01)I H01L21/84(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I H01L21/28(2006.01)I H01L21/265(2006.01)I
摘要:本发明涉及射频功率器件领域,公开了一种具有H型栅的射频SOILDMOS器件,包括底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、P-区、N-区、H型栅氧化层、H型多晶硅栅层、H型栅多晶硅化物层、栅电极、氮化硅侧墙、N-漂移区、漏区、漏区硅化物层、漏电极、源区、体引出区、源区硅化物层、源电极。本发明将射频LDMOS器件制作于SOI衬底之上,利用与P-区同型的重掺杂区域形成与源区短接的体引出;源/体、漏/体以及栅与各自电极间利用硅化物互联;采用多根H型栅条叉指形式并联以增大器件驱动能力。同时公开了与CMOS工艺兼容的调正、背栅注入、N-区注入以及N-漂移区注入方法,以及与CMOS工艺兼容的N-漂移区硅化物掩蔽方法。
同族[1]:CN101515588A  >>更多 - 什么是同族
被引用[2]:CN101916729A - CN101916784A   
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[发明授权] 薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板、显示面板及光电装置 - 200810125691.2;101299441B
有权

申请人:友达光电股份有限公司 - 申请日:2008-06-20 - 主分类号:H01L29/786(2006.01)I
分类号:H01L29/786(2006.01)I H01L29/417(2006.01)I H01L27/12(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L21/84(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I
摘要:本发明提供一种薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板、显示面板及光电装置。所述的薄膜晶体管,其配置于一基板上。此薄膜晶体管包括一栅极、一介电层、一半导体层、一源极以及一漏极。此外,介电层具有至少一第一介电区块以及至少一第二介电区块。栅极形成于基板上,介电层形成于基板上且覆盖栅极,半导体层则形成于部份介电层上。源极及漏极分别形成于半导体层的部份区域上,以使得位于第一介电区块上方的半导体层未被源极与漏极覆盖,而位于第二介电区块上方的半导体层被源极与漏极覆盖。因此,此薄膜晶体管具有良好的电性。
同族[1]:CN101299441A  >>更多 - 什么是同族
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[发明授权] 半导体器件及其制造方法 - 200810089862.0;101335240B
无权-未缴年费

申请人:海力士半导体有限公司 - 申请日:2008-04-03 - 主分类号:H01L21/8234(2006.01)I
分类号:H01L21/8234(2006.01)I H01L21/8242(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I H01L27/088(2006.01)I H01L27/108(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I
摘要:一种半导体器件,包括具有凹陷栅极的晶体管,其中在多个沟槽中形成接触塞,该多个沟槽通过对半导体衬底开槽而形成。而且,金属线和源极/漏极区可以通过该接触塞连接,使得导通电流可以增加得如沟道面积所增加的一样多。
同族[9]:US2009001456A1 - US2010285648A1 - US7786529B2 - US7858461B2 - KR100908522B1 - KR20090000420A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[7]:US2006270153A1 - US2006286728A1 - US5932911A - US6888182B2 - KR20050045715A - CN1794467A ...   
被引用[11]:US2011215423A1 - US2013082331A1 - US2014042554A1 - US2015295032A1 - US8754471B2 - US9000535B2 ...   
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[发明授权] 双镶嵌结构的制造方法 - 200610029908.0;100561729C
有权
权利转移

申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 - 申请日:2006-08-10 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)I
当前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
分类号:H01L23/522(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
摘要:一种双镶嵌结构的制造方法,包括:提供一表面具有第一介质层的半导 体衬底;在所述第一介质层中形成金属互连线;在所述第一介质层和所述导 电结构层表面形成覆盖层;在所述覆盖层上形成第二介质层并在所述第二介 质层中形成连接孔;在所述第二介质层上形成底部抗反射层、遮挡层和光致 抗蚀剂层;刻蚀所述底部抗反射层、遮挡层和光致抗蚀剂层,以及所述覆盖 层直至露出所述金属互连线;填充金属材料形成双镶嵌结构。本发明的方法 在第二介质层上覆盖的底部抗反射层表面淀积一层致密的遮挡层,这层遮挡 层能够阻止覆盖层中的氮离子与光致抗蚀剂接触,从而避免了光致抗蚀剂中 毒现象的发生。
同族[1]:CN101123243A  >>更多 - 什么是同族
被引用[4]:CN102201365A - CN102270601A - CN102299099A - CN104253038A   
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[发明授权] 半导体装置及其制造方法 - 200610094615.0;100461396C
有权

申请人:精工爱普生株式会社 - 申请日:2006-06-21 - 主分类号:H01L23/522(2006.01)
分类号:H01L23/522(2006.01) H01L21/768(2006.01)
摘要:提供一种可靠性高的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括:具有电极(14)的半导体基板(10);形成于半导体基板(10)上的树脂突起(20);形成为与电极(14)电连接,且到达树脂突起(20)上的配线(30)。配线(30)包括形成于树脂突起(20)的上端面的第一部分(31)、和形成于树脂突起(20)的基端部的侧方的第二部分(32)。第二部分(32)的宽度比第一部分(31)的宽度窄。
同族[12]:US2007001200A1 - US2010109144A1 - US2011011630A1 - US7671476B2 - US7825518B2 - US7936073B2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[15]:US2005139371A1 - US2005236104A1 - US2005275115A1 - US6720591B2 - US6949416B2 - JP2002237546A ...   
被引用[14]:US10206280B2 - US10825788B2 - US2009032944A1 - US2009051042A1 - US2010201001A1 - US2011018110A1 ...   
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