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[发明] 高频模块以及通信装置 - 201880036706.X
审中-实审

申请人:株式会社村田制作所 - 申请日:2018-05-18 - 主分类号:H04B1/50(20060101)
分类号:H04B1/50(20060101) H01L23/00(20060101) H01L23/12(20060101) H01L23/28(20060101) H05K1/02(20060101) H05K9/00(20060101)
公开(公告)日:2020-01-17
摘要:高频模块(100)具备:多层基板(110),其包括多个绝缘体层和至少一个接地导体层(113);发送电路(120)和天线电路(130),该发送电路是第一电路,设置于多层基板(110)的第一区域,该天线电路是第二电路,设置于与第一区域不同的第二区域;屏蔽导体膜(151~156),其设置于多层基板(110)的侧面,与接地导体层(113)局部接触,在多层基板(110)的侧面的与第一区域及第二区域这两方最接近的部分处,接地导体层(113)未与屏蔽导体膜(151~156)接触。
同族[2]:US2020044683A1 - WO2018221273A1  >>更多 - 什么是同族
引用[4]:JP2004297456A - JP2008219453A - JP2012019091A - JPH0563388A   
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[发明授权] 各向异性导电膜及其制备方法 - 201580007303.9;105940561B
有权

申请人:迪睿合株式会社 - 申请日:2015-02-03 - 主分类号:H01B5/14(2006.01)I
分类号:H01B5/14(2006.01)I B32B27/08(2006.01)I B32B27/14(2006.01)I B32B27/16(2006.01)I B32B27/20(2006.01)I B32B27/30(2006.01)I B32B27/38(2006.01)I B32B37/02(2006.01)I B32B37/24(2006.01)I C09J4/00(2006.01)I C09J7/10(2018.01)I C09J9/02(2006.01)I C09J11/00(2006.01)I C09J163/00(2006.01)I C09J201/00(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I H05K3/32(2006.01)I
专利代理机构:中国专利代理(香港)有限公司 72001
摘要:各向异性导电膜具有第1连接层和在其一面形成的第2连接层。第1连接层为光聚合树脂层,第2连接层为热或光阳离子、阴离子或自由基聚合性树脂层。在第1连接层的第2连接层一侧表面,各向异性导电连接用的导电粒子以相对于第1连接层的埋入率为80%以上或1%以上且20%以下的方式排列。
同族[10]:US2017077056A1 - WO2015119098A1 - JP2015149125A - JP2015149131A - JP6233069B2 - JP6409281B2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[18]:US2001052778A1 - US2003178221A1 - US2006280912A1 - US2009009054A1 - US2009090545A1 - JP2001052778A ...   
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[发明] 一种半导体器件及半导体器件的制造方法 - 201611048635.4
审中-实审

申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 - 申请日:2016-11-24 - 主分类号:H01L23/00(2006.01)I
分类号:H01L23/00(2006.01)I
摘要:本发明提供一种半导体器件及半导体器件的制造方法。所述方法包括:提供包含核心电路的衬底,在所述衬底上形成有梳状顶部金属层,所述梳状顶部金属层与核心电路导电连接;在所述梳状顶部金属层上形成钝化层,在所述钝化层中形成露出部分所述顶部金属层的开口;在所述钝化层的开口区域涂覆含有导电颗粒的涂层。根据本发明的方法获得的器件具备稳定的物理不可克隆功能,可提高半导体器件的防攻击能力。
引用[5]:US2014203448A1 - CN102104480A - CN103426778A - CN104538393A - CN104541369A   
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[发明] 用于将微电子芯片结合到导线元件的工艺 - 201880024863.9
审中-实审

申请人:普里莫1D公司 - 申请日:2018-04-16 - 主分类号:H01L23/00(20060101)
分类号:H01L23/00(20060101) G06K19/02(20060101) H01L21/60(20060101) H01L21/58(20060101) H01L23/488(20060101) H01L23/49(20060101) H01L23/48(20060101) H01L21/50(20060101) H01L23/58(20060101) H01L25/00(20060101)
摘要:本发明涉及一种用于将微电子芯片(1)接合到至少一个导线元件(7a,7b)的方法。所述接合方法包括:将覆盖件(5)施加到所述微电子芯片(1)的第一面的第一步骤,所述覆盖件(5)被构造为与所述第一面(11)一起形成至少一个临时侧凹槽;将所述导线元件(7a,7b)插入到所述临时凹槽中的步骤;将所述导线元件(7a,7b)附接到所述微电子芯片(1)的步骤;从所述微电子芯片(1)移除所述覆盖件(5)的步骤。
同族[4]:WO2018193198A1 - EP3613074A1 - FR3065578A1 - FR3065578B1  >>更多 - 什么是同族
引用[14]:US2015230336A1 - US2015318409A1 - US8093617B2 - US8471773B2 - US8723312B2 - US8782880B2 ...   
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[发明] 电子元件封装结构及其制造方法 - 201910163010.X
审中-实审

申请人:财团法人工业技术研究院 - 申请日:2019-03-05 - 主分类号:H01L23/29(20060101)
分类号:H01L23/29(20060101) H01L23/538(20060101) H01L23/00(20060101) H01L21/56(20060101) H01L21/768(20060101)
公开(公告)号:111384003A
公开(公告)日:2020-07-07
摘要:本揭露公开一种电子元件封装结构及其制造方法。电子元件封装结构包含第一电子元件层、第二电子元件层以及设置于第一电子元件层与第二电子元件层之间的填充层,其中第二电子元件层的杨氏系数小于或等于第一电子元件层的杨氏系数,且填充层的杨氏系数小于第二电子元件层的杨氏系数,第一电子元件层与填充层的杨氏系数比值为10~1900,第二电子元件层与填充层的杨氏系数比值为7.6~1300
同族[2]:US2020211984A1 - TWI686920B  >>更多 - 什么是同族
引用[7]:US2011227190A1 - US2017004990A1 - US2018053723A1 - TW201320259A - TW201806102A - TW201830613A ...   
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[发明授权] 一种发光二极管的芯片及其制备方法 - 201710737017.9;107658269B
有权

申请人:华灿光电(浙江)有限公司 - 申请日:2017-08-24 - 主分类号:H01L23/00(20060101)
分类号:H01L23/00(20060101) H01L33/00(20100101)
公开(公告)日:2020-09-08
摘要:本发明公开了一种发光二极管的芯片及其制备方法,属于半导体技术领域。所述芯片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层,所述P型氮化镓层上设有延伸至所述N型氮化镓层的第一凹槽,所述第一凹槽内的N型氮化镓层上设有N型电极,所述P型氮化镓层上设有P型电极,所述P型氮化镓层上还设有延伸至所述多量子阱层的第二凹槽,所述第二凹槽内的多量子阱层上设有两个磁性材料层,所述两个磁性材料层相对设置,所述两个磁性材料层相对的侧面为异名磁极,所述P型氮化镓层夹在所述两个磁性材料层之间。本发明可以增加注入多量子阱层的空穴数量,进而增加多量子阱层内的复合发光,最终提高发光二极管的发光效率。
同族[1]:CN107658269A  >>更多 - 什么是同族
引用[5]:CN102255015A - CN102800771A - CN104617207A - CN105226153A - CN105938865A   
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[发明] 半导体微型器件 - 200510055867.8
无权-未缴年费

申请人:三菱电机株式会社 - 申请日:2005-03-15 - 主分类号:H01L23/00
分类号:H01L23/00 H01L23/495 H01L23/28 H01L29/84 G01L9/04 G01P15/125
公开(公告)日:2005-11-16
优先权:2004.5.13 JP 143035/04
摘要:提供一种半导体微型器件,具有:矩形的硅微型构造物芯片;具有固定硅构造物芯片的芯片焊盘的引脚框架,包括该芯片焊盘与所说硅构造物芯片接触的接触部;以及,将所说硅构造物芯片和所说引脚框架的局部封装起来的树脂封装材料;其特征是,所说引脚框架的芯片焊盘具有低于所说接触部以避免与所说构造物芯片接触的非接触部,该非接触部至少在与硅构造物芯片的对角部位相对应的位置上形成。本发明的半导体微型器件在所说非接触部和所说硅构造物芯片之间的间隙中填充有所说树脂封装材料,芯片焊盘和构造物芯片二者通过树脂粘接。
同族[8]:US2005253208A1 - DE102005011863A1 - JP2005327830A - KR100668098B1 - KR20060043502A - CN100433302C ...  >>更多 - 什么是同族
引用[15]:US2001007780A1 - US2001031513A1 - US2003001289A1 - US2005133878A1 - US4920074A - US5233222A ...   
被引用[11]:US2006281228A1 - US2007018314A1 - US2008014680A1 - US2009321783A1 - US7304395B2 - US7410829B2 ...   
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[发明] 用于三维结构物的激光接合装置及方法 - 201780079309.6
审中-实审

申请人:镭射希股份有限公司 - 申请日:2017-06-22 - 主分类号:H01L21/52(2006.01)I
分类号:H01L21/52(2006.01)I H01L21/268(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I H01L21/677(2006.01)I H01L21/60(2006.01)I
摘要:本发明提供如下的用于三维结构物的激光接合装置及方法,即,除了印制电路板(PCB)基板、玻璃基板等整体呈平面形态的基板之外,还可根据客户要求来在弯曲部分具有规则形状或不规则形状的三维结构物(例:汽车尾灯或前照灯用构造物)自动接合电子元器件,并且,可防止电子元器件与三维结构物的排列不合格以及由此引起的接合不合格。
同族[10]:US10748773B2 - US2019244818A1 - WO2018074696A1 - EP3531442A1 - EP3531442A4 - JP2018536274A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[24]:US2005133810A1 - US2007187710A1 - US2011038150A1 - US2011232082A1 - US2011309057A1 - US2016004938A1 ...   
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[发明授权] 一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法 - 201810353173.X;108630619B
有权

申请人:如皋市大昌电子有限公司 - 申请日:2018-04-19 - 主分类号:H01L23/06(20060101)
分类号:H01L23/06(20060101) H01L23/14(20060101) H01L23/49(20060101) H01L23/00(20060101) H01L25/07(20060101) B08B1/00(20060101)
公开(公告)日:2020-07-28
摘要:本发明公开了一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法,包括铁镍钴合金边框、碳化铝陶瓷片、键合金丝、导线、记忆海绵柱、清洁防护装置、引脚、第一通孔、玻璃绝缘子、铜钼铜片、第一卡槽、芯片、铁镍钴合金盖板、钼片、铁镍钴合金底板和第二卡槽组成,铁镍钴合金底板的一侧均匀开设有四个第二卡槽,第二卡槽的内部通过钎焊固定有钼片,钼片的顶部通过钎焊固定有碳化铝陶瓷片,碳化铝陶瓷片的顶部通过钎焊固定有四个铜钼铜片,且四个铜钼铜片的顶部均开设有第一卡槽,第一卡槽的内部通过钎焊固定有芯片,且芯片与相邻的铜钼铜片之间均通过键合金丝连接,该整流桥,具有清洁防护效果好和气密性好的特点。
同族[1]:CN108630619A  >>更多 - 什么是同族
引用[12]:US2007141877A1 - US2015145123A1 - US7196402B2 - JPH0233960A - JPH0562745A - CN101593776A ...   
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[发明] 封装结构 - 201710081260.X
审中-实审

申请人:乾坤科技股份有限公司 - 申请日:2013-02-21 - 主分类号:H01L21/56(2006.01)I
分类号:H01L21/56(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I H01L23/13(2006.01)I H01L23/495(2006.01)I H01L23/498(2006.01)I H05K1/02(2006.01)I H05K1/18(2006.01)I
摘要:本发明公开了一种封装结构,其包含:一导线架,包括多个由金属制成的子导线架,其中每两个相邻的子导线架通过一空隙隔开,所述空隙填充有绝缘材料,其中一凹槽形成在所述导线架中;一基板,包括多个导电图案;以及一第一传导元件,设置在所述基板上并电性连接至所述基板的多个导电图案,其中,所述基板设置在所述导线架上,所述第一传导元件的至少一部分设置在所述凹槽中,所述第一传导元件经由所述基板的多个导电图案电性连接至所述导线架。
同族[8]:US10373894B2 - US2013213704A1 - US2017047273A1 - US9536798B2 - CN103295979A - CN103295979B ...  >>更多 - 什么是同族
引用[26]:US2005201069A1 - US2005265670A1 - US2006186531A1 - US2007218257A1 - US2008244902A1 - US2008308917A1 ...   
被引用[6]:US10109544B2 - US2015181733A1 - US9984996B2 - EP3525235A1 - CN104979297A - CN110167316A   
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