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[实用新型] 集成电路转接板 - 03256216.0
无权-未缴年费

申请人:上海华园微电子技术有限公司 - 申请日:2003-08-01 - 主分类号:H01L23/00
分类号:H01L23/00 H05K1/18
公开(公告)号:2640037Y
公开(公告)日:2004-09-08
摘要:本实用新型涉及一种集成电路转接板,包括印刷电路板(1),所述的印刷电路板(1)包括集成电路(11),接插件(12);所述的集成电路(11)的引脚与接插件(12)的引脚对应连接;在测试时,将本实用新型与应用电路上的印刷电路板连接,解决目前由于应用电路损坏或者大规模集成电路损坏、升级而导致集成电路的损坏或者需要重新搭建应用电路的缺陷;本实用新型的有益效果是:既节约了开发成本,又缩短了宝贵的开发时间,加快了产品的上市周期,提高了产品的竞争力。
被引用[3]:CN100443901C - CN102457004A - CN102721839A   
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[发明] 层压片 - 200410055248.4
无权-未缴年费

申请人:日东电工株式会社 - 申请日:2004-07-09 - 主分类号:H01L23/31
分类号:H01L23/31 H01L23/00 H01L21/304
公开(公告)日:2005-02-09
优先权:2003.7.11 JP 196113/2003
摘要:一种层压片,用于在研磨晶片背部的步骤中粘附到安装凸出电极的晶片的电路侧边,其中该层压片至少包括与电路侧边接触、由热固性树脂制成的层(层A),直接层压在层A上、由在40℃至80℃时具有1至300MPa的拉伸模量的热塑性树脂制成的层(层B),以及由在最低25℃的温度时无塑性的热塑性树脂制成的最外层(层C);一种用于制造半导体器件的方法,该方法包括以下步骤:研磨安装凸出电极的晶片的背部,其中层压片粘附到晶片的电路侧边,除去层压片的层A之外的其他层,以及将晶片切割为单个芯片;以及一种可通过该方法获得的半导体器件。
同族[13]:US2005008873A1 - US7521122B2 - EP1496547A2 - EP1496547A3 - EP1496547B1 - JP2005028734A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[18]:US1660721A - US2003001283A1 - US2003183947A1 - US4099525A - US5230700A - US5578041A ...   
被引用[118]:US10062625B2 - US10080298B2 - US10280347B2 - US10312125B2 - US10374155B2 - US10483148B2 ...   
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[实用新型] 电子元件胚片 - 02242402.4
无权-未缴年费

申请人:吴登山 曹水河 - 申请日:2002-07-30 - 主分类号:H01L23/00
分类号:H01L23/00 H01L33/00 H05K7/00
公开(公告)日:2003-09-10
摘要:本实用新型涉及一种电子元件胚片,是金属薄片一体冲压成型;其每一单元有多组左半部与右半部组成的单位排列,各单位的左半部与右半部间,有一连片相接,且左半部端处,具一左接端,右半部端处具一右接端,各单元的中央上下端处,开具一端孔,其内侧的端框则连结一长条的连脉,且连结连片,以便使一半部上翻而后下折叠合于另一半,使两接端可以接触,而借连脉的挠性及延展性,使各单元仍为完整以利后续加工。
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[实用新型] 芯片封装结构 - 02292603.8
无权-届满

申请人:威盛电子股份有限公司 - 申请日:2002-12-26 - 主分类号:H01L23/00
分类号:H01L23/00
公开(公告)日:2003-12-10
摘要:一种芯片封装结构及其制造方法,此芯片封装制造方法是利用高精度细线路制造方法,如TFT-LCD或IC制造方法,用以增加布线密度及减短电气连结长度,而达到高电气效能之表现。首先,在大面积及高平坦度的底板上,形成一具有高密度焊垫及微细线路之多层内联机结构,接着再以覆晶接合或引线接合的方式,将芯片配置于多层内联机结构之顶面,并配置一基板或散热片于多层内联机结构之顶面来作为固定层并提供机械强度,在移除上述之底板以后,最后将接点配置于多层内联机结构之底面。
被引用[7]:US10475741B2 - WO2016165074A1 - CN100429775C - CN102760665A - CN102832146A - CN104779233A ...   
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[发明] 半导体装置及其制造方法 - 200410031481.9
无权-视为撤回

申请人:精工爱普生株式会社 - 申请日:2004-03-29 - 主分类号:H01L23/12
分类号:H01L23/12 H01L23/00 H01L21/48
公开(公告)日:2004-10-06
优先权:2003.3.27 JP 2003-088823;2003.12.22 JP 2003-424712
摘要:本发明提供一种确保良好电连接状态的可靠性高的半导体装置,具备在基板(10)上层叠了电极(16)的构成的半导体装置主体部(1),在电极(16)以及基板(10)的层叠方向上,形成贯通这些电极(16)和基板(10)的贯通孔(11),在贯通孔(11)内部插通导电部件(24),另一方面,在电极(16)上形成至少面向贯通孔(11)的绝缘部件,导电部件(24)于从贯通孔(11)横跨该绝缘部件与电极(16)连接。
同族[3]:US2004251554A1 - US7208838B2 - JP2004311948A  >>更多 - 什么是同族
引用[8]:US2001027011A1 - US2002017710A1 - US2002025587A1 - US2002151169A1 - US2003210534A1 - US6563079B1 ...   
被引用[63]:US10014240B1 - US10020287B2 - US10134961B2 - US10410967B1 - US10785871B1 - US2005026314A1 ...   
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[发明] 一种生化微传感集成芯片、制作及模具制备方法 - 200610090241.5
无权-未缴年费

申请人:中国科学院电子学研究所 - 申请日:2006-07-07 - 主分类号:G01N27/26(2006.01)I
分类号:G01N27/26(2006.01)I H01L21/00(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I
公开(公告)日:2008-01-09
摘要:本发明公开一种生化微传感集成芯片的结构、制作及模具制备方法。集成芯片包括差分延长栅和读出电路。差分延长栅由Ta2O5敏感薄膜、PTFE钝化薄膜和Pt准参比电极组成;ISEGFET/REEGFET传感器的MOSFET位于读出电路的运算放大器中。在标准商用CMOS工艺线完成基础集成芯片;在研究性工艺线制备敏感膜、钝化薄膜及Pt薄膜等后续工艺;设计微小芯片后续工艺模具。延长栅结构的离子敏场效应传感器,给引入静电保护电路提供条件。差分延长栅和读出电路集成一个芯片或两个芯片再二次集成。单芯片集成传感器使检测系统体积缩小,实现信号原位读取和处理,一致性、可靠性及稳定性得到保证,在生化、医学领域应用。
同族[1]:CN101101272B  >>更多 - 什么是同族
被引用[2]:CN106018527A - CN106030297A   
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[发明] 固态元件和固态元件装置 - 200710136406.2
有权

申请人:丰田合成株式会社 - 申请日:2005-03-23 - 主分类号:H01L33/00(2006.01)I
分类号:H01L33/00(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I H01L23/488(2006.01)I H01L23/14(2006.01)I H01L23/29(2006.01)I
公开(公告)日:2008-01-09
优先权:2004.3.23 JP 2004-084282;2004.7.30 JP 2004-223600;2005.2.21 JP 2005-044649
摘要:一种固态元件,具有:在基材上形成的半导体层,所述半导体层包括相应于固态元件发射区域的第一层以及电流穿过其中供应到第一层的第二层;光射出表面,从第一层发射的光通过该表面向外发射,所述光射出表面位于基材侧上;以及包括多个区域的电极,所述区域为导电材料并与第二层欧姆连接。
同族[12]:US2005211997A1 - US2008296573A1 - US7429750B2 - US7714333B2 - DE102005013264A1 - DE102005013264B4 ...  >>更多 - 什么是同族
被引用[2]:CN105633268A - CN106058022A   
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[实用新型] 光电半导体组件 - 200420073989.0
无权-届满

申请人:光宝科技股份有限公司 - 申请日:2004-07-15 - 主分类号:H01L33/00
分类号:H01L33/00 H01L31/0203 H01L23/00
公开(公告)日:2005-07-13
优先权:2004.4.1 CN 200420036332.7
摘要:本实用新型涉及一种光电半导体组件,包括导线架,该导线架包括有一芯片载体,及一独立连接件;至少一发射和/或接收光线的半导体芯片;封装体;光学窗口及一对外侧连接部。其中发射和/或接收光线的半导体芯片固定在芯片载体上,独立连接件作为半导体芯片的内部电性接点,封装体以半导体芯片为中心,环绕部分芯片载体与独立连接件,形成一环状椭圆曲面,以反射或接收半导体芯片的光线,环状椭圆曲面中空部分为光学窗口,内填以改变半导体芯片光学特性的物质,而部分芯片载体与部分独立连接件突出于封装体外,作为本组件的外部电性接点,构成一表面安装组件。上述光电半导体组件可有效抵抗外力影响,使半导体芯片出光效率提升且出光均匀。
同族[1]:CN2733443Y  >>更多 - 什么是同族
被引用[1]:CN102403307A   
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[发明] 半导体集成电路 - 200610154320.8
无权-视为撤回

申请人:三洋电机株式会社 - 申请日:2006-09-20 - 主分类号:H03K19/00(2006.01)I
分类号:H03K19/00(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I
公开(公告)日:2007-08-08
优先权:2006.1.30 JP 20790/06
摘要:本发明用于解决因用于进行电路间的DC电平变换的耦合电容器外挂设置于半导体集成电路而增加零件件数的课题。由进行电路(22)、(24)间的DC截止的耦合电容器(C1)、开关电容电路(28)产生的等效电阻Rsc,构成截止频率fc的高通滤波器(34)。如果较小地设定开关电容电路(28)的被充放电的电容Csc或者开关频率fsc,则Rsc变大,由此能使相对于规定的fc的(C1)变小。这样,可将包含(C1)的高通滤波器(34)能够集成在IC(20)的芯片上。
同族[5]:US2007176674A1 - JP2007201350A - KR100865217B1 - KR20070078800A - TW200742254A  >>更多 - 什么是同族
引用[12]:US2005260967A1 - US2005261596A1 - US2007121377A1 - US4476448A - US5736895A - US6426683B1 ...   
被引用[9]:US10009070B2 - US10291146B2 - US2006267821A1 - US2013154616A1 - US8143922B2 - US9442139B2 ...   
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[发明] 电子设备和半导体封装 - 200810005095.0
无权-视为撤回

申请人:株式会社东芝 - 申请日:2008-02-02 - 主分类号:H01L23/00(2006.01)I
分类号:H01L23/00(2006.01)I H01L23/367(2006.01)I H01L23/40(2006.01)I H05K7/20(2006.01)I G06F1/20(2006.01)I
公开(公告)日:2008-08-20
优先权:2007.2.14 JP 2007-033872
摘要:一种电子设备,具有半导体封装(16,102),热接收板(24)和间隙调整构件(33,103)。半导体封装(16,102)包括衬底(31)和安装在衬底(31)上的硅芯片(32)上。热接收板(24)与硅芯片(32)相对并热连接到硅芯片(32)。间隙调整构件(33,103)被设置在热接收板(24)和衬底(31)除硅芯片(32)之外的区域之间,并用来减少衬底(31)和热接收板(24)之间存在的间隙(S2)。
同族[2]:US2008191341A1 - JP2008198864A  >>更多 - 什么是同族
引用[5]:US2008001277A1 - US2008237840A1 - US6351032B1 - US6534860B2 - US6992891B2   
被引用[14]:US10429907B2 - US2008112114A1 - US2010053905A1 - US2010127391A1 - US2016282914A1 - US7697298B2 ...   
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