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[发明授权] 用于制造半导体器件的方法 - 201010537188.5;102082104B
有权
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申请人:瑞萨电子株式会社 - 申请日:2010-11-05 - 主分类号:H01L21/60(2006.01)I
分类号:H01L21/60(2006.01)I G03F7/00(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I H01L23/28(2006.01)I
优先权:2009.11.06 JP 2009-255037
摘要:本发明涉及用于制造半导体器件的方法。所述方法包括:在形成有电极焊盘的衬底上形成保护绝缘膜,所述保护绝缘膜具有曝光所述电极焊盘的开口;形成感光性树脂膜;通过使用多等级掩模曝光所述感光性树脂膜并且将所述感光性树脂膜显影,一次性地形成由所述感光性树脂膜构成的树脂保护膜和由具有的厚度比所述树脂保护膜的厚度大的所述感光性树脂膜构成的树脂核心;以及从所述树脂核心的上侧到所述电极焊盘的上侧形成互连。
同族[3]:JP2011100873A - JP5320264B2 - CN102082104A  >>更多 - 什么是同族
引用[4]:JP2006100505A - JP2006202882A - JP2007165744A - JPH11251348A   
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[发明授权] 电路部件连接用粘接剂及使用该粘接剂的半导体装置 - 201010548701.0;102051141B
无权-未缴年费
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申请人:日立化成株式会社 - 申请日:2008-01-09 - 主分类号:C09J11/04(2006.01)I
分类号:C09J11/04(2006.01)I C09J9/02(2006.01)I C09J163/00(2006.01)I C09J133/00(2006.01)I C09J171/12(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I
优先权:2007.01.10 JP 2007-002308
摘要:本发明提供一种电路部件连接用粘接剂及使用该粘接剂的半导体装置。所述粘接剂介于具有突出的连接端子的半导体芯片和形成有配线图案的基板之间,通过加压、加热,电连接相对的所述连接端子和所述配线图案的同时粘接所述半导体芯片和所述基板;所述电路部件连接用粘接剂包括:树脂组合物和分散在该树脂组合物中的复合氧化物粒子,所述树脂组合物含有热塑性树脂、交联性树脂和使该交联性树脂形成交联结构的固化剂;相对于所述树脂组合物100重量份,所述电路部件连接用粘接剂含有25~200重量份所述复合氧化物粒子。
同族[22]:US2010013078A1 - US2011121447A1 - US2011127667A1 - US2011133346A1 - US8044524B2 - WO2008084811A1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[31]:US2001003058A1 - US2002004251A1 - US2002076910A1 - US2002157247A1 - US2004012098A1 - US2005064201A1 ...   
被引用[37]:US10134704B2 - US10276522B2 - US2011121447A1 - US2011127667A1 - US2011133346A1 - US2013175074A1 ...   
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[发明] 形成焊垫再分布的方法 - 201010594916.6
有权
权利转移

申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 - 申请日:2010-12-17 - 主分类号:H01L21/60(2006.01)I
当前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
分类号:H01L21/60(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I H01L23/482(2006.01)I
摘要:一种形成焊垫再分布的方法,包括:提供半导体芯片,所述半导体芯片顶层为焊垫层,所述焊垫层包括第一介质层以及位于所述第一介质层中的焊垫;形成第二介质层,覆盖所述焊垫层;在所述第二介质层中形成接触焊垫,所述接触焊垫位于所述焊垫上;在所述第二介质层和所述接触焊垫的表面形成再分布连线,与所述接触焊垫连接,再分布所述焊垫。本发明可以减少芯片的电迁移问题,延长芯片的使用寿命。
同族[1]:CN102543776B  >>更多 - 什么是同族
引用[5]:US2003066680A1 - US2005176233A1 - US2009243045A1 - KR20030050668A - KR20090022325A   
被引用[3]:CN105632917A - CN105712289A - CN107919342A   
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[实用新型] 一种球焊后框架贴膜封装件 - 201120197485.X
有权
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申请人:西安天胜电子有限公司 - 申请日:2011-06-13 - 主分类号:H01L23/31(2006.01)I
当前权利人:华天科技(西安)有限公司
分类号:H01L23/31(2006.01)I H01L25/065(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I H01L23/495(2006.01)I
摘要:一种球焊后框架贴膜封装件,包括第一IC芯片,第一IC芯片与引线框架通过粘片胶或胶膜片(DAF)相连,第一IC芯片上的焊点通过第一键合线与引线框架的内引脚连接,本实用新型能够将引线框架很好的固定,球焊时所用引线框架背面不用贴胶膜,这样框架与压焊夹具的结合更紧密,可将引线框架很好的固定,从而避免了因框架背面胶膜回弹而引起的打线速度慢、质量差的问题;球焊后再进行框架贴膜,可避免球焊时因焊接温度过高引起的管脚背面胶膜残留,以及高温导致胶膜变形、产生气泡而引起的塑封溢料等缺陷;这种新型生产方法非常适合小载体打线;适用于所有QFN/DFN引线框架。
被引用[7]:CN102738365A - CN103021995A - CN103021996A - CN103050468A - CN103065977A - CN103985689A ...   
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[发明] 半导体晶片及其处理方法 - 201110278871.6
有权

申请人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 - 申请日:2011-09-20 - 主分类号:H01L23/00(2006.01)I
分类号:H01L23/00(2006.01)I
摘要:本发明涉及半导体晶片及其处理方法。所述半导体晶片包括:在所述半导体晶片上沿行方向和列方向形成的多个芯片,所述多个芯片通过划片线区域相互隔开;以及在所述多个芯片和所述划片线区域上形成的钝化层,其中,在所述钝化层中形成有沟槽结构,所述沟槽结构包括沿所述划片线区域形成的沟槽,并且在所述沟槽的交点处的所述钝化层的角部被去除。根据本发明的半导体晶片及其处理方法能够减少切片过程中所产生的碎屑或裂纹。
同族[3]:US2013069205A1 - US8692357B2 - CN103021962B  >>更多 - 什么是同族
引用[10]:US2003216009A1 - US2005173024A1 - US2006073676A1 - US2007111477A1 - US2010207250A1 - US2010252916A1 ...   
被引用[18]:US10115650B2 - US10304781B2 - US10418334B2 - US10490474B2 - US10490514B2 - US10651105B2 ...   
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[发明] 一种增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法及芯片 - 201110338607.7
有权

申请人:北大方正集团有限公司 深圳方正微电子有限公司 - 申请日:2011-10-31 - 主分类号:H01L21/60(2006.01)I
分类号:H01L21/60(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I H01L23/488(2006.01)I
摘要:本发明公开了一种增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法及芯片,以增加芯片中压焊块区域的金属层的厚度,降低对芯片进行打线过程中打穿压焊块区域的金属层的概率。方法包括:在芯片的第一金属层上沉积钝化层,第一金属层覆盖在设置有压焊块区域的硅衬底上;在钝化层上涂覆光刻胶层;对光刻胶层进行曝光和刻蚀,将覆盖在芯片上的压焊块区域的光刻胶蚀刻掉;对所述钝化层进行各向同性刻蚀,将覆盖在所述压焊块区域的钝化层以及被光刻胶层覆盖的部分钝化层蚀刻掉,裸露第一金属层中覆盖在压焊块区域的金属层;在光刻胶层与覆盖在压焊块区域的金属层上生成第二金属层;采用剥离液溶解光刻胶层,以去除光刻胶层及剥落覆盖在光刻胶层上的金属层。
同族[1]:CN103094134B  >>更多 - 什么是同族
引用[4]:JPS60154547A - CN101740428A - CN1979837A - CN201336308Y   
被引用[2]:CN108109925A - CN108133922A   
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[发明] 半导体器件和用于制造半导体器件的方法 - 201210070818.1
无权-视为撤回

申请人:索尼公司 - 申请日:2012-03-16 - 主分类号:H01L23/00(2006.01)I
分类号:H01L23/00(2006.01)I H01L23/58(2006.01)I H01L23/31(2006.01)I
摘要:这里公开了一种半导体器件和用于制造半导体器件的方法,所述半导体器件包括:第一叠层,所述第一叠层具有在基底上形成的配线层;第二叠层,所述第二叠层具有在基底上形成的配线层,所述第二叠层的主表面被接合到所述第一叠层的主表面;功能元件,所述功能元件布置在所述第一叠层和所述第二叠层中的至少一个中;和气隙,所述气隙贯穿所述第一叠层和所述第二叠层的交界部,当从与所述第一叠层和所述第二叠层的主表面垂直的方向上观察时,所述气隙被布置于在所述第一叠层和所述第二叠层中的至少一个中的包括所述功能元件的电路形成区域的外侧。
同族[6]:US2012241981A1 - US8742596B2 - JP2012204443A - JP2012204444A - TW201243999A - TWI467695B  >>更多 - 什么是同族
引用[9]:US2005026397A1 - US2011031633A1 - US2011193197A1 - US6559531B1 - JP2006140404A - JPH11261000A ...   
被引用[38]:US10026715B2 - US10068876B2 - US10128301B2 - US10157895B2 - US10367031B2 - US10475772B2 ...   
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[发明] 半导体组件结构及其制法 - 201110154045.0
无权-视为撤回

申请人:矽品精密工业股份有限公司 - 申请日:2011-06-03 - 主分类号:H01L23/00(2006.01)I
分类号:H01L23/00(2006.01)I H01L23/48(2006.01)I H01L21/48(2006.01)I
公开(公告)号:102800633A
优先权:2011.05.24 TW 100118060
摘要:一种半导体组件结构及其制法,该半导体组件结构包括:具有多个开孔的板体;形成于该板体的表面及该开孔表面上的绝缘层;以及由形成于该开孔中的导电块及与该导电块接触的导电迹线所构成的重布线路,且该导电迹线是形成于该板体表面的部分绝缘层上。借以简化整体制程,提高产品结构可靠度。
同族[3]:US2012299177A1 - TW201248815A - TWI455271B  >>更多 - 什么是同族
引用[14]:US2005287783A1 - US2010171194A1 - US5850102A - US6451624B1 - US6921980B2 - JP2000040740A ...   
被引用[3]:US9373564B2 - US9460990B1 - CN106920787A   
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[发明] 可容许高电压的输出/输入端口及静电放电保护电路 - 01110716.2
无权-未缴年费

申请人:华邦电子股份有限公司 - 申请日:2001-04-13 - 主分类号:H01L23/00
分类号:H01L23/00 H01L27/02
公开(公告)日:2002-11-27
摘要:本发明提供一种可容许高电压的输出/输入端口以及相关静电放电保护电路。本发明的输出入端口耦合于一集成电路的一接合垫,包含有一分压电路以及一开关电路。分压电路耦合于该接合垫,且依据该接合垫上的电压以产生一较该接合垫上的电压小的参考电压。开关电路包含有一控制栅极,该控制栅极是依据该参考电压控制该开关电路的开关。因为分压电路始终提供一个较接合垫上的电压小的参考电压,所以开关电路的控制栅极便能减少对控制栅极下的栅氧化层的应力,因此,不会再有栅氧化层老化的问题。所以本发明的输出/输入端口可以容许较高的电压值。
同族[1]:CN1252814C  >>更多 - 什么是同族
被引用[6]:US7583484B2 - CN100442510C - CN102693978A - CN106558582A - CN107946299A - CN1297002C   
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[发明] 用于形成具有凹状微透镜的图象传感器的方法 - 200310104366.5
有权
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权利转移

申请人:华微半导体(上海)有限责任公司 - 申请日:2003-10-24 - 主分类号:H01L27/146
当前权利人:豪威半导体(上海)有限责任公司
分类号:H01L27/146 H01L23/00 G02B5/20 H04N5/335
公开(公告)日:2004-06-16
优先权:2002.10.25 US 10/281,012
摘要:本发明公开了一种用于形成具有凹状微透镜的图象传感器的方法。该方法包括在半导体衬底内形成多个象素,每个象素都含有光敏感元件。接着在象素上方形成基础材料,该基础材料具有第一折射系数。在该基础材料内于每个光敏感元件的上面形成微透镜空腔。该微透镜空腔成凹状。最后,在微透镜空腔内形成填充材料。填充材料具有第二折射系数,其高于该第一折射系数。
同族[5]:US2004082096A1 - EP1414071A2 - EP1414071A3 - CN100499144C - TW200514267A  >>更多 - 什么是同族
引用[13]:US2002048729A1 - US2002102498A1 - US2002164120A1 - US2003039035A1 - US2003146528A1 - US5225935A ...   
被引用[12]:US10566364B2 - US2003122143A1 - US2004232105A1 - US2006035472A1 - US2008157245A1 - US6979527B2 ...   
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