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[发明] 可拉伸显示装置 - 201910624726.5
审中-实审

申请人:乐金显示有限公司 - 申请日:2019-07-11 - 主分类号:H01L27/32(20060101)
分类号:H01L27/32(20060101) H01L23/00(20060101) H01L23/48(20060101) H01L27/15(20060101) G09F9/30(20060101) G09F9/33(20060101)
公开(公告)日:2020-01-31
优先权:20180720 KR 10-2018-0084928
专利代理机构:11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司
摘要:本发明涉及一种可拉伸显示装置。所述可拉伸显示装置包括:彼此间隔开的多个岛状基板,在所述岛状基板上限定有多个像素;设置在所述多个岛状基板的下方的下基板;多条连接线,所述连接线将设置在所述多个岛状基板中的相邻岛状基板上的焊盘电连接并且具有曲线形状;和导电加强构件,所述导电加强构件设置成与所述连接线的部分区域接触。在本发明中,即使可拉伸显示装置变形,比如弯曲或拉伸,也可将连接线的诸如破裂之类的损坏最小化。此外,即使连接线断开,也可通过导电加强构件平稳地进行电信号传输。
同族[9]:US2020028102A1 - DE102019119526A1 - KR20200009899A - GB201910275D0 - GB201915140D0 - GB2576425A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[4]:US2002094701A1 - US2012062447A1 - US2017169918A1 - KR20180084928A   
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[发明授权] 检测微元件封闭腔的气密性的方法和实施该方法的微元件 - 200480034136.9;1894156B
有权
权利转移

申请人:阿苏拉布股份有限公司 - 申请日:2004-11-08 - 主分类号:B81C5/00(2006.01)I
当前权利人:斯沃奇集团研究和开发有限公司
分类号:B81C5/00(2006.01)I B81B7/00(2006.01)I G01M3/38(2006.01)I G01M3/40(2006.01)I G01M3/04(2006.01)I G01M3/02(2006.01)I H01L23/20(2006.01)I H01L23/26(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I H01L23/10(2006.01)I
优先权:2003.11.21 EP 03026780.1
专利代理机构:中国专利代理(香港)有限公司 72001
摘要:为了控制至少一个微元件(1)的封闭腔(14)的气密性的方法,所述元件包括制作在衬底(2)之上或其一部分上的一个结构(5,6,10),一个固定在该衬底的部分区域上用以保护该结构的罩子(3),和在有反应流体的情况下其光学或电性能会发生改变的监测元件(4,15)。该监测元件对光学检测可以是铜层(4)或对电检测是钯电阻(15)。该微元件(1)置于而后将被气密封闭的容器内。该容器再加压反应物流体填充,即对光学控制用氧气,对电控制用氢气。在一段规定时间内容器内的元件受到反应流体的高于10巴的压力,且受到热活化(T>100℃)或光学活化(A<500nm)。在该时间段之后,通过监测元件(4,15)的光学或电控制来确定所述封闭腔(14)的气密性。
同族[21]:US2007196923A1 - US2010024525A1 - US2010064779A1 - US7601537B2 - US7833484B2 - US7892839B2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[22]:US2002096421A1 - US2002142469A1 - US2003054588A1 - US2003079999A1 - US4224565A - US4282744A ...   
被引用[29]:US2010154517A1 - US2011210808A1 - US2012010476A1 - US2012116709A1 - US2014165708A1 - US2014260515A1 ...   
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[发明授权] 显示设备及其制造方法 - 201010532765.1;102122649B
无权-未缴年费

申请人:乐金显示有限公司 - 申请日:2010-10-29 - 主分类号:H01L23/488(2006.01)I
分类号:H01L23/488(2006.01)I H01L21/60(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I G02F1/13(2006.01)I G02F1/1333(2006.01)I G02F1/1335(2006.01)I G09G3/36(2006.01)I
优先权:2009.12.21 KR 10-2009-0127943
专利代理机构:北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
摘要:本发明公开了一种显示设备及其制造方法。该显示设备包括第一基板,该第一基板具有在其中心限定的显示区域和在其外部区域中限定的非显示区域,该显示区域具有薄膜晶体管阵列,该非显示区域具有焊垫电极;与非显示区域的预定区域相对的IC基板;形成在IC基板上的电路焊垫电极;形成在电路焊垫电极上的台阶图案,该台阶图案由有机介电层制成;形成在台阶图案中以部分地暴露出电路焊垫电极的电路焊垫接触孔;在包括电路焊垫接触孔的台阶图案中形成的透明电路焊垫电极;和形成在第一基板和IC基板之间的导电粘合剂,该导电粘合剂包括用于使所述透明电路焊垫电极和所述焊垫电极彼此电连接的导电球。
同族[5]:US2011147748A1 - US8502333B2 - KR101319348B1 - KR20110071387A - CN102122649A  >>更多 - 什么是同族
引用[9]:US2009273080A1 - US2009279011A1 - US7294873B2 - US7576825B2 - KR20050104131A - KR20080114355A ...   
被引用[16]:US10204926B2 - US10263153B2 - US10739925B2 - US2013000118A1 - US2016021754A1 - US2017062478A1 ...   
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[发明授权] 具有虚拟结构的硅通孔及其形成方法 - 201010527840.5;102074544B
有权

申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 - 申请日:2010-10-22 - 主分类号:H01L23/52(2006.01)I
分类号:H01L23/52(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
优先权:2009.10.22 US 61/254,043;2010.06.02 US 12/791,978
摘要:本发明公开了一种虚拟结构的硅通孔及其形成方法,该硅通孔包括顶部焊盘和与该顶部焊盘相连接的垂直导电柱。顶部焊盘比垂直导电柱的横截面覆盖的面积更广。互连(interconnect)焊盘至少部分地形成在顶部焊盘下面。底层下层同样至少部分地形成在顶部焊盘下面。至少有一个虚拟结构与顶部焊盘和底层下层相连接,以紧固顶部焊盘和互连焊盘。
同族[5]:US2011095436A1 - US2011217841A1 - US7969013B2 - US8202800B2 - CN102074544A  >>更多 - 什么是同族
引用[38]:US2005186705A1 - US2007158787A1 - US5391917A - US5510298A - US5767001A - US5998292A ...   
被引用[64]:US10052705B2 - US10177032B2 - US10262922B2 - US10335827B2 - US10340186B2 - US10340203B2 ...   
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[发明] 半导体器件 - 200610105753.4
有权
著录变更
权利转移

申请人:恩益禧电子股份有限公司 - 申请日:2006-07-21 - 主分类号:H01L23/00(2006.01)I
当前权利人:瑞萨电子株式会社
分类号:H01L23/00(2006.01)I H01L23/532(2006.01)I
公开(公告)日:2007-01-24
优先权:2005.7.21 JP 2005-211478
摘要:半导体器件(1)包括半导体衬底(10)、第一绝缘间层组(20)、第二绝缘间层组(30)以及密封环(40)(保护环)。第一绝缘间层组(20)形成在半导体衬底(10)上。第二绝缘间层组(30)形成在第一绝缘间层组(20)上。第二绝缘间层组(30)由具有比第一绝缘间层组(20)更低介电常数的绝缘材料形成。密封环(40)被设置为围绕电路形成区D11和D12。密封环(40)穿过第一绝缘间层组(20)和第二绝缘间层组(30)之间的界面,并离开半导体衬底(10)设置。
同族[4]:US2007018326A1 - US7629656B2 - JP2007027639A - CN100539087C  >>更多 - 什么是同族
引用[9]:US2002125577A1 - US2004042285A1 - US2005146014A1 - US6525398B1 - JP2004297022A - JP2004304124A ...   
被引用[13]:US2009267193A1 - US2009294929A1 - US2010295146A1 - US7888777B2 - US8188578B2 - US8212323B2 ...   
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[实用新型] 光感测芯片封装结构 - 200720143894.5
无权-未缴年费

申请人:菱生精密工业股份有限公司 - 申请日:2007-04-16 - 主分类号:H01L27/146(2006.01)I
分类号:H01L27/146(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I H01L23/31(2006.01)I H01L23/488(2006.01)I H01L31/0203(2006.01)I
公开(公告)日:2008-04-30
摘要:一种光感测芯片封装结构,包含有一基板、一光感测芯片、一透光薄膜、若干导线以及一封装层;其中,光感测芯片设于基板,且具有一作用区以及一非作用区,非作用区位于作用区周围;透光薄膜覆设于作用区;该等导线是电性连接光感测芯片与该基板;封装层设于基板且包覆非作用区、透光薄膜周缘以及该等导线,而形成一开放区是对应于作用区。
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[发明] 电镀工艺中的活化处理 - 201010537792.8
无权-驳回
复审程序

申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 - 申请日:2010-11-04 - 主分类号:H01L21/60(2006.01)I
分类号:H01L21/60(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I C25D7/12(2006.01)I C25D5/54(2006.01)I
专利代理机构:隆天国际知识产权代理有限公司 72003
摘要:本发明提供一种形成装置的方法,包括进行第一电镀工艺以形成第一金属元件,以及在活化处理溶液中对第一金属元件的表面进行活化处理,其中活化处理溶液包括在去离子(DI)水中的处理剂。在进行活化处理步骤后,进行第二电镀工艺以形成第二金属元件并与第一金属元件的表面接触。本发明通过实施例显示在各层间的界面显著的改善,且观察到空隙显著的减少。再者,界面变得更加平滑。因此,相较于在电镀工艺间通过快速冲洗(QDR)而形成的金属凸块的传统方法中,本发明所得金属凸块的电子迁移(electro-migration,EM)性能提升,因此提升其可靠度。
同族[3]:US2011287628A1 - US8703546B2 - CN105374701A  >>更多 - 什么是同族
引用[24]:US2003113955A1 - US2004007779A1 - US2004118692A1 - US2004178503A1 - US2005032349A1 - US2005084615A1 ...   
被引用[5]:US10727097B2 - US2015048499A1 - CN104347349A - CN104846410A - CN110528042A   
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[发明] 掩蔽重复的覆盖和对准标记以允许在垂直结构中重复使用光掩模 - 200680017181.2
无权-视为撤回

申请人:桑迪士克3D公司 - 申请日:2006-03-31 - 主分类号:G03F9/00(2006.01)I
分类号:G03F9/00(2006.01)I G03F7/20(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I
公开(公告)日:2008-06-11
优先权:2005.3.31 US 11/097,496
摘要:在形成单块三维存储器阵列的过程中,可将光掩模使用一次以上。重复使用光掩模在参考标记的先前实例正上方形成相同参考标记的第二、第三或更多实例,其中所述参考标记由步进器用来实现对准(对准标记)并测量所实现的对准(覆盖标记)。所述相同参考标记的先前实例可造成对所述参考标记的当前实例的干扰,从而使对准和测量变复杂。通过使用本发明的方法,垂直地在相同参考标记的随后实例之间形成阻挡结构,从而防止干扰。
同族[10]:US2006222962A1 - US2009230571A1 - US7553611B2 - US7982273B2 - WO2006105326A1 - EP1866701A1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[19]:US2002036357A1 - US2005052915A1 - US2005196951A1 - US2006222962A1 - US5728618A - US5915167A ...   
被引用[67]:US10497713B2 - US2006249753A1 - US2006250837A1 - US2007228354A1 - US2008067573A1 - US2008096113A1 ...   
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[发明] 电子装置及其制造方法 - 200810166744.5
无权-未缴年费

申请人:富士通株式会社 - 申请日:2008-10-23 - 主分类号:G06K19/077(2006.01)I
分类号:G06K19/077(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I H01L23/31(2006.01)I H01L21/56(2006.01)I
公开(公告)日:2009-05-27
优先权:2007.11.21 JP 2007-301869
摘要:本发明涉及电子装置及其制造方法。该电子装置包括:基片;形成在所述基片上的导电图案;安装在所述基片上并连接到所述导电图案的电路芯片;以及设置在所述基片的正面和背面的至少其中之一上以与所述导电图案的至少一部分交叠的多个凸起。所述多个凸起沿远离所述基片的方向突出。
同族[9]:US2009130393A1 - US8081081B2 - EP2065841A1 - EP2065841B1 - JP2009129094A - JP5145896B2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[16]:US2006180344A1 - US2008017968A1 - US2008094169A1 - US2008278217A1 - US2009032603A1 - US2009057871A1 ...   
被引用[14]:US10297909B2 - US2011032100A1 - US2016155041A1 - US2017017873A1 - US8471710B2 - US9740976B2 ...   
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[发明] 防止硅通孔与集成电路之间串音的结构 - 200810096975.3
无权-视为撤回

申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 - 申请日:2008-05-12 - 主分类号:H01L27/02(2006.01)I
分类号:H01L27/02(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I H01L23/552(2006.01)I
公开(公告)日:2009-06-03
优先权:2007.11.26 US 11/945,022
摘要:本发明是有关于一种半导体芯片,其包括硅通孔、元件区、及围设于元件区与硅通孔之一的防串音环。硅通孔实质上是藉由防串音环与所有包含多个主动元件的多个元件区隔离,其可防止硅通孔与集成电路之间串音。
同族[4]:US2009134500A1 - US2012104561A1 - US8227902B2 - US8604594B2  >>更多 - 什么是同族
引用[61]:US2004080173A1 - US2004150070A1 - US2005098893A1 - US2006141653A1 - US2007075559A1 - US2007119885A1 ...   
被引用[182]:US10049981B2 - US10050018B2 - US10050024B2 - US10090284B2 - US10115675B2 - US10120971B2 ...   
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