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[实用新型] 一种集成电路封装的减震结构 - 201921444080.4
有权

申请人:江西众晶源科技有限公司 - 申请日:2019-09-02 - 主分类号:H01L23/31(20060101)
分类号:H01L23/31(20060101) H01L23/00(20060101)
公开(公告)日:2020-06-02
摘要:本实用新型公开了一种集成电路封装的减震结构,包括固定底座、防护罩和集成电路芯片,且所述固定底座顶端面四角均开设有扇形缺口,四组所述扇形缺口内均螺纹贯穿连接有螺栓,所述固定底座正上方设置有防护罩,所述防护罩两侧面均对称开设有N组散热孔,所述固定底座顶端面且位于防护罩内部设置有集成电路芯片,且所述集成电路芯片顶端面两侧对称设置有气泡平行仪,所述集成电路芯片顶端面四角均通过紧固螺栓与固定底座螺纹贯穿连接,四组所述紧固螺栓周侧且位于集成电路芯片正下方均套接有第一减震弹簧。该集成电路封装的减震结构,能够防止集成电路芯片震动引起短路,提高集成电路芯片的稳固性,可以推广使用。
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[发明] 包括绝热壁的半导体封装 - 201810775987.2
审中-实审

申请人:爱思开海力士有限公司 - 申请日:2018-07-16 - 主分类号:H01L23/00(2006.01)I
分类号:H01L23/00(2006.01)I H01L25/18(2006.01)I
摘要:包括绝热壁的半导体封装。一种半导体封装包括并排设置在封装基板的表面上的第一半导体芯片和第二半导体芯片。绝热壁被设置在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间。绝热壁将第一半导体芯片与第二半导体芯片热隔离。
同族[5]:US10600713B2 - US2019131203A1 - US2020185298A1 - KR20190047444A - TW201917840A  >>更多 - 什么是同族
引用[9]:US2009206444A1 - US2014097532A1 - US2014133105A1 - US2014264799A1 - US2015311182A1 - US6297074B1 ...   
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[发明] 晶片封装体及其形成方法 - 201110209118.1
无权-未缴年费

申请人:精材科技股份有限公司 - 申请日:2011-07-22 - 主分类号:H01L23/48(2006.01)I
分类号:H01L23/48(2006.01)I H01L23/485(2006.01)I H01L21/60(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I
摘要:本发明提供一种晶片封装体及其形成方法,该晶片封装体包括:一基底,具有一上表面及一下表面;多个导电垫,位于该基底的该下表面之下;一介电层,位于所述导电垫之间;一沟槽,自该基底的该上表面朝该下表面延伸;一孔洞,自该沟槽的一底部朝该基底的该下表面延伸,其中该孔洞的一侧壁垂直于该基底的该下表面,且该孔洞的该侧壁或一底部露出部分的所述导电垫;以及一导电层,位于该孔洞之中且电性接触至少一所述导电垫。本发明不仅可增进结构可靠度,还能增加穿基底导通结构所连接的导电通路。
同族[1]:CN102891120B  >>更多 - 什么是同族
引用[8]:US2010109164A1 - WO2009140798A1 - CN101221939A - CN101355069A - CN102082120A - CN102194777A ...   
被引用[1]:CN104733422A   
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[发明] 封装结构 - 201710081260.X
审中-实审

申请人:乾坤科技股份有限公司 - 申请日:2013-02-21 - 主分类号:H01L21/56(2006.01)I
分类号:H01L21/56(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I H01L23/13(2006.01)I H01L23/495(2006.01)I H01L23/498(2006.01)I H05K1/02(2006.01)I H05K1/18(2006.01)I
摘要:本发明公开了一种封装结构,其包含:一导线架,包括多个由金属制成的子导线架,其中每两个相邻的子导线架通过一空隙隔开,所述空隙填充有绝缘材料,其中一凹槽形成在所述导线架中;一基板,包括多个导电图案;以及一第一传导元件,设置在所述基板上并电性连接至所述基板的多个导电图案,其中,所述基板设置在所述导线架上,所述第一传导元件的至少一部分设置在所述凹槽中,所述第一传导元件经由所述基板的多个导电图案电性连接至所述导线架。
同族[8]:US10373894B2 - US2013213704A1 - US2017047273A1 - US9536798B2 - CN103295979A - CN103295979B ...  >>更多 - 什么是同族
引用[26]:US2005201069A1 - US2005265670A1 - US2006186531A1 - US2007218257A1 - US2008244902A1 - US2008308917A1 ...   
被引用[6]:US10109544B2 - US2015181733A1 - US9984996B2 - EP3525235A1 - CN104979297A - CN110167316A   
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[发明授权] 包含角部凹陷的半导体装置 - 201611187693.5;108206161B
有权

申请人:晟碟半导体(上海)有限公司 晟碟信息科技(上海)有限公司 - 申请日:2016-12-20 - 主分类号:H01L23/00(20060101)
分类号:H01L23/00(20060101) H01L21/78(20060101)
公开(公告)日:2020-06-02
摘要:公开了一种半导体裸芯,其包含角部凹陷,以避免制造过程中半导体裸芯破裂。在从晶片切片半导体裸芯之前,可以在晶片中、半导体裸芯的任意对之间的角部处形成凹陷。可以通过激光或光刻工艺在半导体裸芯之间的切口区域中形成凹陷。一经形成,角部凹陷防止半导体裸芯的破裂或损坏,否则,由于在背面研磨工艺期间相邻的半导体裸芯相对于彼此移动,该破裂或损坏可能发生在相邻的半导体裸芯的角部。
同族[3]:US10418334B2 - US2018174983A1 - CN108206161A  >>更多 - 什么是同族
引用[15]:US2005287713A1 - US2008012096A1 - US2009098712A1 - US2013069205A1 - US2015235973A1 - US2016211219A1 ...   
被引用[2]:US10658239B2 - CN109909623A   
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[发明授权] 显示器件及其制造方法 - 200810186334.7;101483186B
有权

申请人:株式会社半导体能源研究所 - 申请日:2004-08-27 - 主分类号:H01L27/32(2006.01)I
分类号:H01L27/32(2006.01)I H01L27/15(2006.01)I H01L51/50(2006.01)I H01L51/52(2006.01)I H01L33/00(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I
优先权:2003.09.12 JP 2003-322334;2003.08.29 JP 2003-347601
专利代理机构:上海专利商标事务所有限公司 31100
摘要:本发明的目的就是提供这样一种密封结构,其阻止了作为破坏因素的材料例如水或者氧气从外部进入,并且在显示器中使用有机或无机场致发光元件的显示器中可以获得足够的可靠性。鉴于上述目的,关注层间绝缘膜的渗透性,根据本发明,通过阻止水从层间绝缘膜的进入,抑制了场致发光元件的损坏并且获得了足够的可靠性。
同族[32]:US10367124B2 - US2005046346A1 - US2011248313A1 - US2014246694A1 - US2018204988A1 - US2020020835A1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[124]:US2001017684A1 - US2002011975A1 - US2002022591A1 - US2002025591A1 - US2002090007A1 - US2002113248A1 ...   
被引用[116]:US10003045B2 - US10083992B2 - US10135010B2 - US10141539B2 - US10224383B2 - US10270056B2 ...   
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[发明授权] 半导体密封用树脂组合物及半导体装置 - 201580061365.8;107109032B
有权

申请人:京瓷株式会社 - 申请日:2015-11-05 - 主分类号:C08L63/00(20060101)
分类号:C08L63/00(20060101) C08K3/04(20060101) C08K3/30(20060101) C08K3/36(20060101) H01L23/00(20060101) H01L23/29(20060101) H01L23/31(20060101)
公开(公告)日:2020-01-21
专利代理机构:72003 隆天知识产权代理有限公司
摘要:一种半导体密封用树脂组合物,其含有(A)环氧树脂、(B)酚醛树脂固化剂、(C)无机填充剂以及(D)无定型碳,所述(D)成分的无定型碳含有30原子%以上的SP3结构、55原子%以下的SP2结构。
同族[13]:US10696840B2 - US2017267859A1 - WO2016084578A1 - EP3225660A1 - EP3225660A4 - EP3225660B1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[28]:US2006211643A1 - US2009098447A1 - US2009099447A1 - US2010272933A1 - US2012100473A1 - US2015105497A1 ...   
被引用[4]:US10522784B2 - US10619102B2 - US10665817B2 - WO2019210132A1   
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[发明] 半导体元件 - 201811476472.9
审中-实审

申请人:株式会社村田制作所 - 申请日:2018-12-04 - 主分类号:H01L23/00(2006.01)I
分类号:H01L23/00(2006.01)I H01L23/367(2006.01)I H01L29/417(2006.01)I H01L29/737(2006.01)I H01L27/082(2006.01)I
摘要:提供一种半导体元件,能够使起因于凸点与半导体层的热膨胀系数的差异而产生的热应力降低并且能够减少布线层的层数。晶体管包含设置于基板的半导体区域以及三种端子电极,至少一个端子电极具有由多个导体图案构成的分离电极构造。在具有分离电极构造的端子电极之上,配置有将多个导体图案相互电连接的凸点。在晶体管的半导体区域与凸点之间,配置有由包含高熔点金属的金属材料构成的应力缓和层。在导体图案与凸点之间,没有配置将多个导体图案相互连接的电流路径。
同族[3]:US10566303B2 - US2019172806A1 - JP2019102724A  >>更多 - 什么是同族
引用[4]:US2004089941A1 - US2018006144A1 - US8314472B2 - JP2016103540A   
被引用[1]:US10672877B2   
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[发明授权] 一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法 - 201810353173.X;108630619B
有权

申请人:如皋市大昌电子有限公司 - 申请日:2018-04-19 - 主分类号:H01L23/06(20060101)
分类号:H01L23/06(20060101) H01L23/14(20060101) H01L23/49(20060101) H01L23/00(20060101) H01L25/07(20060101) B08B1/00(20060101)
公开(公告)日:2020-07-28
摘要:本发明公开了一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法,包括铁镍钴合金边框、碳化铝陶瓷片、键合金丝、导线、记忆海绵柱、清洁防护装置、引脚、第一通孔、玻璃绝缘子、铜钼铜片、第一卡槽、芯片、铁镍钴合金盖板、钼片、铁镍钴合金底板和第二卡槽组成,铁镍钴合金底板的一侧均匀开设有四个第二卡槽,第二卡槽的内部通过钎焊固定有钼片,钼片的顶部通过钎焊固定有碳化铝陶瓷片,碳化铝陶瓷片的顶部通过钎焊固定有四个铜钼铜片,且四个铜钼铜片的顶部均开设有第一卡槽,第一卡槽的内部通过钎焊固定有芯片,且芯片与相邻的铜钼铜片之间均通过键合金丝连接,该整流桥,具有清洁防护效果好和气密性好的特点。
同族[1]:CN108630619A  >>更多 - 什么是同族
引用[12]:US2007141877A1 - US2015145123A1 - US7196402B2 - JPH0233960A - JPH0562745A - CN101593776A ...   
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[发明授权] 封装组件和半导体封装 - 200410042368.0;100433300C
有权

申请人:新光电气工业株式会社 - 申请日:2004-05-20 - 主分类号:H01L23/00(2006.01)
分类号:H01L23/00(2006.01) H01L23/50(2006.01) H01L23/28(2006.01) H01L23/04(2006.01) H01L23/34(2006.01) H01L21/58(2006.01) H01L21/56(2006.01)
公开(公告)号:100433300C
公开(公告)日:2008-11-12
优先权:2003.05.22 JP 145216/2003
摘要:用于构成安装半导体元件的封装的封装组件,以及采用上述封装组件的半导体封装。封装组件在其表面的至少一部分上具有覆盖表面,上述覆盖表面用绝缘树脂密封,或将胶粘剂层加于上述覆盖表面上,及封装组件包括导体基板和部分或全部覆盖其表面的导电层,而上述导电层包括粗糙表面镀层,上述粗糙表面镀层在覆盖表面上具有变粗糙的表面外形。封装组件包括例如引线架和热辐射板或散热板。
同族[13]:US2004232534A1 - US7190057B2 - EP1480270A2 - EP1480270A3 - EP1480270B1 - JP2004349497A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[23]:US2002153596A1 - US4888449A - US5367196A - US5585195A - US5722161A - US6150713A ...   
被引用[108]:US10020240B2 - US10400347B2 - US10453771B2 - US10483189B2 - US10593846B2 - US10665533B2 ...   
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