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[发明授权] 填充间隙的方法与浅沟渠隔离结构的制造方法 - 200310103442.0;1310294C
有权

申请人:旺宏电子股份有限公司 - 申请日:2003-11-03 - 主分类号:H01L21/31(2006.01)
分类号:H01L21/31(2006.01) H01L21/768(2006.01) H01L21/76(2006.01) H01L21/762(2006.01)
摘要:本发明是关于一种填充间隙的方法与浅沟渠隔离结构的制造方法,该填充间隙的方法,是先提供一基底,且该基底上已形成有数个凸部,而且各个凸部之间是具有间隙。接着,在基底上形成第一介电层,以填入这些凸部之间的间隙,并覆盖这些凸部,其中所形成的第一介电层中具有数个缝隙,且这些缝隙的位置是高于凸部的顶部。然后,进行化学机械研磨法,移除部分第一介电层,以使缝隙打开,而形成数个开口。之后,进行非等向性蚀刻制程,以扩大这些开口的宽度。继之,在第一介电层上形成第二介电层,以填满开口。本发明可以避免现有习知方法在凸部间的间隙填入介电材料时,会在介电材料层中产生缝隙的问题。从而更加适于实用,且具有产业上的利用价值。
同族[1]:CN1614752A  >>更多 - 什么是同族
引用[5]:US5902127A - US6110843A - JP2001176866A - JPH0758104A - CN1377062A   
被引用[2]:CN104425385A - CN104733389A   
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[发明授权] 半导体基板、半导体基板的制造方法及电子装置 - 200980105553.0;101946307B
无权-未缴年费

申请人:住友化学株式会社 - 申请日:2009-02-27 - 主分类号:H01L21/20(2006.01)I
分类号:H01L21/20(2006.01)I H01L21/205(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I H01L21/338(2006.01)I H01L21/76(2006.01)I H01L21/762(2006.01)I H01L21/764(2006.01)I H01L21/8234(2006.01)I H01L27/08(2006.01)I H01L27/088(2006.01)I H01L29/778(2006.01)I H01L29/786(2006.01)I H01L29/812(2006.01)I
摘要:本发明提供一种半导体基板,其提高化合物半导体装置的转换速度。并具有:硅基板;形成在所述硅基板上,并具有抵达所述硅基板且纵横比为以上的开口部的绝缘膜;形成于所述开口部,且形成为比所述绝缘膜的表面更凸出的晶种化合物半导体结晶:以及以所述晶种化合物半导体结晶的特定面为晶种面,于所述绝缘膜上进行横向生长而成的横向生长化合物半导体层。
同族[7]:US2011006368A1 - WO2009110208A1 - JP2009239268A - JP5669359B2 - KR20100123681A - CN101946307A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[17]:US2003157738A1 - US2003186475A1 - US2004121507A1 - US2005054180A1 - US2008153267A1 - US6500257B1 ...   
被引用[18]:US10763188B2 - US2011180849A1 - US2012061663A1 - US2012319170A1 - US2016064284A1 - US8633496B2 ...   
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[发明] 图案化的方法 - 200610160394.2
无权-视为放弃

申请人:联华电子股份有限公司 - 申请日:2006-11-15 - 主分类号:H01L21/00(2006.01)I
分类号:H01L21/00(2006.01)I H01L21/311(2006.01)I H01L21/28(2006.01)I H01L21/76(2006.01)I H01L21/762(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
摘要:一种图案化的方法。此方法是先在材料层上依序形成底层、多硅有机层与光致抗蚀剂层。接着,图案化光致抗蚀剂层,再以光致抗蚀剂层为掩模,图案化多硅有机层。之后,以多硅有机层为掩模,进行一蚀刻工艺,图案化底层,此蚀刻工艺所使用的反应气体包括保护气体、蚀刻气体以及载气,其中保护气体可在蚀刻的过程中在已图案化的底层的侧壁形成保护层。其后,以底层为掩模,图案化材料层,以形成一开口。然后,再移除该底层。
被引用[4]:CN105161434A - CN105374675A - CN109216167A - CN109755175A   
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[发明] 用于气隙形成的多阻挡件沉积 - 201610784931.4
有权

申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 - 申请日:2016-08-31 - 主分类号:H01L21/768(2006.01)I
分类号:H01L21/768(2006.01)I H01L21/762(2006.01)I H01L21/764(2006.01)I
摘要:本发明的实施例提供了一种方法,包括:在介电层中形成第一导线和第二导线,蚀刻部分介电层以在第一导线与第二导线之间形成沟槽,以及形成第一蚀刻停止层。第一蚀刻停止层延伸进入沟槽中。在第一蚀刻停止层上方形成第二蚀刻停止层。第二蚀刻停止层延伸进入沟槽中,并且第二蚀刻停止层比第一蚀刻停止层更加共形。将介电材料填充到沟槽中并且至第二蚀刻停止层上方。在介电材料中形成气隙。本发明的实施例还提供了用于气隙形成的多阻挡件沉积。
同族[10]:US10157779B2 - US10483161B2 - US2017140979A1 - US2017358481A1 - US2019139812A1 - US2020020568A1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[26]:US2007246831A1 - US2008057666A1 - US2008099876A1 - US2008265377A1 - US2009023279A1 - US2009093112A1 ...   
被引用[7]:US10090381B2 - US10438893B2 - US10679937B2 - US2017213786A1 - US2018083099A1 - US2019096819A1 ...   
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[发明] 半导体装置及其制造方法 - 200680041298.4
无权-未缴年费

申请人:索尼株式会社 - 申请日:2006-08-10 - 主分类号:H01L31/10(2006.01)I
分类号:H01L31/10(2006.01)I H01L21/76(2006.01)I H01L21/761(2006.01)I H01L21/762(2006.01)I H01L27/12(2006.01)I H01L27/146(2006.01)I
摘要:一种半导体装置(1),具有在半导体基板(11)上的多个光敏二极管(20)。光敏二极管(20(20A、20B))具有阴极(22)和公共阳极(21),其形成为与半导体基板(11)电独立。在具有公共阳极(21)和分离的阴极(22)的多个光敏二极管(20)中,来自公共阳极(21)的输出被作为等效于多个分离的光敏二极管(20)输出的总和。或者,多个光敏二极管具有公共阴极和多个分离的阳极,来自公共阴极的输出被作为等效于多个分离的光敏二极管输出的总和。光敏二极管的阳极和阴极与基板完全电隔离,由此可以减少噪声和串扰。
同族[12]:US2010155867A1 - US7928511B2 - WO2007032165A1 - EP1933390A1 - EP1933390A4 - JP2007080905A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[32]:US2002014643A1 - US2002070417A1 - US2003080350A1 - US2003106580A1 - US2004021178A1 - US2008212361A1 ...   
被引用[5]:JP4810649B2 - KR102017125B1 - CN103915525A - CN107039425A - CN108573989A   
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[发明] 一种用于集成电路的高低压隔离工艺 - 200910196214.X
有权

申请人:上海贝岭股份有限公司 - 申请日:2009-09-23 - 主分类号:H01L21/76(2006.01)I
分类号:H01L21/76(2006.01)I H01L21/761(2006.01)I H01L21/765(2006.01)I
摘要:本发明涉及一种用于集成电路的高低压隔离工艺,包括以下步骤:衬底材料选择步骤;N型埋层区域形成步骤;P型下隔离区域形成步骤;外延生长步骤;P型上隔离区域形成步骤;P-区域形成步骤;第一层多晶硅形成步骤;有源区形成步骤;第二层多晶硅形成步骤。本发明可以在同一衬底上实现高压电源和低压电源的隔离。
同族[1]:CN101673700B  >>更多 - 什么是同族
被引用[2]:CN105448807A - CN107564954A   
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[发明授权] 隔离的CMOS晶体管和双极晶体管、隔离结构及其制造方法 - 201510651903.0;105206560B
无权-未缴年费

申请人:先进模拟科技公司 - 申请日:2009-02-17 - 主分类号:H01L21/761(2006.01)I
分类号:H01L21/761(2006.01)I H01L21/762(2006.01)I H01L21/763(2006.01)I H01L21/8222(2006.01)I H01L21/8228(2006.01)I H01L21/8238(2006.01)I H01L27/082(2006.01)I H01L29/417(2006.01)I H01L29/732(2006.01)I
摘要:形成在半导体衬底中的隔离的晶体管包括埋设的底隔离区域和填充沟槽,该填充沟槽从衬底的表面向下延伸到底隔离区域。底隔离区域与填充沟槽一起形成衬底的隔离袋。在替代的实施例中,掺杂的侧壁区域从沟槽的底部向下延伸到底隔离区域。衬底不包含外延层,从而克服了与制造外延层有关的许多问题。
同族[265]:US10074716B2 - US2004032005A1 - US2004033666A1 - US2004063291A1 - US2004251497A1 - US2004259318A1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[153]:US2001000288A1 - US2001013636A1 - US2001015459A1 - US2001015470A1 - US2001050412A1 - US2002008299A1 ...   
被引用[74]:US10074716B2 - US10141421B2 - US10163678B2 - US10217740B2 - US10325867B2 - US2007278612A1 ...   
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[发明授权] 形成半导体器件的隔离层的方法 - 200710007260.1;100550341C
无权-未缴年费

申请人:海力士半导体有限公司 - 申请日:2007-01-25 - 主分类号:H01L21/76(2006.01)I
分类号:H01L21/76(2006.01)I H01L21/762(2006.01)I H01L21/764(2006.01)I
摘要:一种形成半导体器件的隔离层的方法包括在半导体衬底的隔离区内形 成第一沟槽。在每一所述第一沟槽的侧壁上形成间隔体。在位于对应的第一 沟槽之下的隔离区内形成第二沟槽。每一所述第二沟槽窄于并且深于对应的 所述第一沟槽。在每一所述第二沟槽的侧壁和底面上形成第一氧化物层。以 绝缘层填充所述第一沟槽。
同族[7]:US2008102579A1 - US2010304549A1 - US7736991B2 - US7977205B2 - JP2008118084A - KR100810409B1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[27]:US2005139865A1 - US6140207A - US6207532B1 - US6214696B1 - JP2000357733A - JP2002208629A ...   
被引用[25]:US10096510B2 - US10276427B2 - US10304925B2 - US2010230741A1 - US2010233881A1 - US2011281415A1 ...   
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[发明授权] 半导体装置及其制造方法 - 200680041298.4;101300685B
无权-未缴年费

申请人:索尼株式会社 - 申请日:2006-08-10 - 主分类号:H01L31/10(2006.01)I
分类号:H01L31/10(2006.01)I H01L21/76(2006.01)I H01L21/761(2006.01)I H01L21/762(2006.01)I H01L27/12(2006.01)I H01L27/146(2006.01)I
摘要:一种半导体装置(1),具有在半导体基板(11)上的多个光敏二极管(20)。光敏二极管(20(20a、20b))具有阴极(22)和公共阳极(21),其形成为与半导体基板(11)电独立。在具有公共阳极(21)和分离的阴极(22)的多个光敏二极管(20)中,来自公共阳极(21)的输出被作为等效于多个分离的光敏二极管(20)输出的总和。或者,多个光敏二极管具有公共阴极和多个分离的阳极,来自公共阴极的输出被作为等效于多个分离的光敏二极管输出的总和。光敏二极管的阳极和阴极与基板完全电隔离,由此可以减少噪声和串扰。
同族[12]:US2010155867A1 - US7928511B2 - WO2007032165A1 - EP1933390A1 - EP1933390A4 - JP2007080905A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[32]:US2002014643A1 - US2002070417A1 - US2003080350A1 - US2003106580A1 - US2004021178A1 - US2008212361A1 ...   
被引用[5]:JP4810649B2 - KR102017125B1 - CN103915525A - CN107039425A - CN108573989A   
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[发明授权] 层间电介质层的平面化方法 - 201010601744.0;102543839B
有权

申请人:中国科学院微电子研究所 - 申请日:2010-12-22 - 主分类号:H01L21/768(2006.01)I
分类号:H01L21/768(2006.01)I H01L21/762(2006.01)I H01L21/76(2006.01)I
摘要:本申请公开了一种层间电介质层的平面化方法,包括:在晶片上方提供包括至少一个牺牲层和位于所述至少一个牺牲层下方的绝缘层的多层结构;对多层结构进行第一次反应离子刻蚀,其中控制反应室气压,使得对所述至少一个牺牲层位于晶片中央位置的部分的刻蚀速率大于位于晶片边缘位置的部分的刻蚀速率,以获得凹形刻蚀剖面;对多层结构进行第二次反应离子刻蚀,完全去除牺牲层以及去除绝缘层的一部分,以获得具有平整表面的绝缘层作为层间电介质层。该平面化方法可以用于代替化学机械平面化而提供具有平整表面的层间电介质层,并且获得了更大的可用晶片面积。
同族[4]:US2012164838A1 - US8703617B2 - WO2012083603A1 - CN102543839A  >>更多 - 什么是同族
引用[10]:US2010033055A1 - US4515652A - US4824521A - US5316980A - US5880039A - US6475917B1 ...   
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