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[发明授权] 制造压电陶瓷的方法 - 00126229.7;1149182C
无权-未缴年费

申请人：株式会社村田制作所 - 申请日：2000-08-16 - 主分类号：C04B35/653
 分类号：C04B35/653 C04B35/465 C04B35/495 H01L41/24
摘要:一种主要包括CaBi4Ti4O15或其它具有层状钙钛矿晶体结构，在常温下显示铁电性的化合物的陶瓷组合物。将该组合物样品置于氧化铝烧箱中，其中分散有粉末氧化锆，以防止咬住，样品上放置氧化铝盖板。然后加热至高于陶瓷组合物熔点(如1245℃)的温度1265℃，使其熔融或半熔融。之后退火和固化，制得颗粒取向的陶瓷。这种方法能从主要包含具有层状钙钛矿晶体结构的化合物的陶瓷组合物制造颗粒取向的陶瓷，可提高压电陶瓷的机电系数。
 同族[9]：US6299815B1 - DE10039397A1 - DE10039397B4 - JP2001048647A - JP3391307B2 - KR100394348B1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[3]：EP0826643A1 - JPH06116024A - JPS6291458A   
被引用[22]：US11325842B2 - US2003178918A1 - US2004120881A1 - US2008305332A1 - US6692652B2 - US6864621B2 ...   
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[发明授权] 低熔点熔体作密封物质防止氧化铅挥发的方法 - 03115775.0;1181568C
无权-未缴年费

申请人：上海交通大学 - 申请日：2003-03-13 - 主分类号：H01L41/22
 分类号：H01L41/22 C04B35/497 C04B35/653
摘要:一种低熔点熔体作密封物质防止氧化铅挥发的方法，采用盐类或氧化物类等难挥发性低熔点物质熔化后形成的熔体来密封整个系统，将密封物质装入煅烧小坩埚外的浅形大坩埚中，并用密封坩埚和密封盖盖在小坩埚上，形成双层密封系统，升温到密封物质完全熔化形成密封后，再继续升温进行铅基铁电材料制备。本发明能有效防止铅基铁电材料制备过程中高温下氧化铅组分的挥发，并实现加料或过程中监测等工艺操作的控制。
 同族[1]：CN1442390A  >>更多 - 什么是同族
被引用[2]：CN104928756A - CN106631036A   
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[发明授权] 制造高温超导材料管状铸件的方法 - 93104789.7;1052327C
无权-未缴年费

申请人：赫彻斯特股份公司 - 申请日：1993-04-27 - 主分类号：H01B12/12
 分类号：H01B12/12 B22D13/02 C04B35/653
摘要:为了制造高温超导材料的管状铸件，这种材料以氧化铋、钙、锶、铜和附加的铅为基础，按预定的配比制备成一种均质的氧化混合物熔液，将具有９００至１３００℃温度的熔液注入浇铸区。浇铸区绕其轴线的转速从２００至１５００转／分为浇注区内径的函数。凝固后的铸件从浇铸区中取出，并将其放在７００至９００℃的含氧环境中退火４至１５０小时。
 同族[18]：US5945384A - EP0569715A1 - EP0569715B1 - DE4215289A1 - DE59303402D1 - JPH0687660A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[5]：US5253697A - US5262366A - EP0462409A1 - DE4013368A1 - DE4019368A1   
被引用[6]：US6138923A - DE102008021906A1 - JP2007166893A - CN112077983A - AU2005306167B2 - AU2005306167B8   
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[发明] 防开裂电饭煲陶瓷内胆 - 201710308217.2
无权-驳回

申请人：钦州学院 - 申请日：2017-05-04 - 主分类号：C04B35/582(2006.01)I
 分类号：C04B35/582(2006.01)I C04B35/653(2006.01)I C04B35/626(2006.01)I A47J36/02(2006.01)I A47J36/04(2006.01)I
摘要:本发明公开了一种防开裂电饭煲陶瓷内胆，该内胆包括内胆外层、内胆中层、内胆内层，所述内胆中层为金属层，内胆外层为普通陶瓷层，其特征在于：所述内胆内层由以下重量份的原料制成：氮化铝50～70份、Y2O3 1～2份、La2O3 2～3份、SiO2 10～15份、B2O3 10～20份、纳米TiO2 1～1.5份、MnO2 3～5份。本发明的陶瓷内胆内层具有优越的热传导性能，且其线膨胀系数与金属内胆的线膨胀系数接近，匹配度好，不容易出现开裂。
 引用[2]：CN105084905A - CN105384441A   
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[发明] 一种微晶陶瓷板烧结制备工艺 - 202010295389.2
有权
权利转移
质押保全

申请人：丁建丽 - 申请日：2020-04-15 - 主分类号：C04B35/626(20060101)
 分类号：C04B35/626(20060101) C04B35/653(20060101)
摘要:本发明提供了一种微晶陶瓷板烧结制备工艺，由套筒单元、水淬辊单元、粉碎单元、搅拌单元和支脚配合完成微晶陶瓷板的烧结制备；本发明可以解决微晶陶瓷板在制备加工的过程中主要存在的溶制的材料在水淬的过程中不完全，造成材料结构不稳定；影响微晶陶瓷板的制作，以及晶体块在粉碎的过程中不彻底，造成其后期制备陶瓷板的效果较差，并且粉碎不完全的晶体块堵塞漏料孔，造成漏料困难，不便于收集等难题。
 同族[1]：CN111484337B  >>更多 - 什么是同族
引用[5]：JP2003238241A - CN101186492A - CN101200347A - CN1180671A - CN1566003A   
被引用[1]：CN114234659A   
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[发明] 一种热障涂层用高熵氧化物粉末材料及其制备方法和应用 - 202210632009.9
审中-实审

申请人：西北工业大学 - 申请日：2022-06-07 - 主分类号：C04B35/50(2006.01)
 分类号：C04B35/50(2006.01) C04B35/626(2006.01) C04B35/622(2006.01) C04B35/653(2006.01)
摘要:本发明属于航空航天发动机用材料技术领域，公开了一种热障涂层用高熵氧化物粉末材料及其制备方法和应用，本发明以CeO2的萤石结构为基质，采用共沉淀法，在CeO2的萤石结构的内部引入至少两种金属元素获得无序萤石结构的高熵氧化物粉末材料；所述金属元素包括稀土元素以及过渡族金属元素；稀土元素为La和Pr中的一种或两种；过渡族金属元素为Zr和Y中的一种或两种。本发明使用共沉淀法合成微米级高熵氧化物粉末材料，并通过涂刷法结合真空熔炼法的技术，完成热障涂层的制备，且本发明制备的高熵氧化物粉末材料弥补了传统热障涂层YSZ材料的缺点，在1500℃附近仍能保持相稳定性，将热障涂层材料体系拓宽到高熵陶瓷领域。
 引用[23]：US10604454B1 - US2018086672A1 - US2021347699A1 - US2022134316A1 - US4900639A - US5560993A ...   
被引用[1]：CN115368134A   
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[发明授权] 人工矿石及其制造方法 - 200780000967.8;101346308B
无权-未缴年费

申请人：松本初一 - 申请日：2007-01-30 - 主分类号：C01B33/00(2006.01)I
 分类号：C01B33/00(2006.01)I C04B35/653(2006.01)I
摘要:本发明能够提供一种在特性上没有差别的粉末状的人工矿石。其包括三个工序：第一工序，将硅化合物、电气石和陶瓷中的任一种作为主材，使规定量的主材在减压状态下熔融，然后添加铁、铝、钙，使其自然冷却，由此生成第一固化体；第二工序，使该第一固化体在减压状态下再熔融，然后使其自然冷却，生成第二固化体；和第三工序，使该第二固化体在常压状态下熔融，并投入与第一工序中熔融的主材等量的主材，使其熔融后进行自然冷却，生成第三固化体。得到由上述第三固化体构成的人工矿石。
 同族[3]：WO2008093407A1 - CN101346308A - HK1128675A1  >>更多 - 什么是同族
引用[6]：JP2000159578A - JP3766385B2 - JPS5420015A - JPS55121954A - JPS56134569A - JPS59164669A   
被引用[3]：JP2016125747A - CN113465371A - CN113639475A   
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[发明] 一种铜锌镓硒四元半导体合金及其制备方法 - 201610167537.6
有权

申请人：中国科学院金属研究所 - 申请日：2016-03-23 - 主分类号：C04B35/547(2006.01)I
 分类号：C04B35/547(2006.01)I C04B35/653(2006.01)I H01L31/032(2006.01)I
摘要:本发明的目的在于提供一种铜锌镓硒四元半导体合金及其制备方法，所述铜锌镓硒四元半导体合金其元素组成的原子比为：铜：0.8‑1，镓：0.7‑1，锌：0‑0.3，硒：2‑2.5，其中锌的摩尔份数不能等于0。通过对该铜锌镓硒四元半导体合金的物相、半导体物理参数分析，测试结果显示铜锌镓硒四元半导体合金是物相均一的黄铜矿半导体合金，为P型半导体。
 同族[1]：CN107226699B  >>更多 - 什么是同族
引用[5]：US2007215201A1 - EP2852984A1 - JP2012076976A - CN102071329A - CN103572089A   
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[发明] 一种通过光学区熔技术制备SiC/LaB6共晶复合材料的方法 - 201710044044.8
有权

申请人：合肥工业大学 - 申请日：2017-01-19 - 主分类号：C04B35/58(2006.01)I
 分类号：C04B35/58(2006.01)I C04B35/653(2006.01)I
摘要:本发明公开了一种通过光学区熔技术制备SiC/LaB6共晶复合材料的方法，其特征在于：首先以SiC粉末和LaB6粉末为原材料，经预压成型、真空烧结，获得SiC‑LaB6预制体；然后将由预制体切割成的圆柱棒两根分别置于光学区熔炉的上抽拉杆和下抽拉杆上，使上、下圆柱棒轴对称且上、下圆柱棒结合的部位位于光斑中心；最后经光学区熔并定向生长，即获得SiC/LaB6共晶复合材料。本发明所得SiC/LaB6共晶复合材料，白色的LaB6纤维规整的排列在黑色的SiC基体中，组织均匀。
 同族[1]：CN106882966B  >>更多 - 什么是同族
引用[4]：CN105755540A - CN105837221A - CN106007727A - CN106012011A   
被引用[1]：CN115386778A   
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[发明] 一种硅酸锆球填料的制备工艺 - 202011512804.1
审中-实审

申请人：长沙县新光特种陶瓷有限公司 - 申请日：2020-12-20 - 主分类号：C04B35/48(20060101)
 分类号：C04B35/48(20060101) C04B35/653(20060101) C04B38/06(20060101) C04B38/10(20060101) B01J21/16(20060101) B01J32/00(20060101) B01J35/08(20060101) B01J35/02(20060101) B01D39/20(20060101) B01J20/20(20060101) B01J20/28(20060101) B01J20/30(20060101) C02F1/28(20060101) C02F1/00(20060101)
摘要:本发明公开了一种硅酸锆球填料的制备工艺，包括以下步骤：步骤1：将锆英砂、氧化铝粉、助熔剂、木炭粉加入水溶液混合形成混合料；步骤2：在炉膛中通入氩气进行气氛保护，将混合料逐步加入到炉膛中，加热混合料至熔融状态；形成熔融混合料；步骤3：将熔融状态的混合料从炉膛内倒出，用压缩空气喷吹从炉膛的流槽流出的熔融混合料，将熔融混合料喷吹成球，冷却凝固和保温后得到不同粒度的硅酸锆球填料。本发明的硅酸锆球填料耐压强度大于30MPa、耐酸腐蚀、抗冲击韧性强、微米级贯通显气孔率25‑40%，适合于化工行业及水处理过滤以及无机盐吸附。
 引用[10]：CN101786867A - CN102241981A - CN102795848A - CN105315000A - CN107285747A - CN112592186A ...   
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