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[发明] 一种蓄电池板栅 - 201110425304.9
无权-未缴年费

申请人：北京鸿源能信科技有限责任公司 - 申请日：2011-12-16 - 主分类号：H01M4/68
 分类号：H01M4/68 H01M4/66 H01M4/73 C04B35/515 C04B35/622
摘要:本发明公开了一种蓄电池板栅，该蓄电池板栅包括极耳或至少一个用于安装极耳的极眼，所述蓄电池板栅整体为多边形蜂窝结构，蓄电池板栅用石墨金属共晶陶瓷加工而成，其中，所述石墨金属共晶陶瓷包括导电剂、陶瓷复合材料和介质材料，所述石墨金属共晶陶瓷按重量份计含有导电剂5～20份，陶瓷复合材料55～70份，介质材料5～15份。用本发明的蓄电池板栅替代铅酸蓄电池中的铅钙合金蓄电池板栅，同时取代铅金属汇流排，减少了铅酸蓄电池中的重金属铅的用量(节约50～70％)，消除了铅酸蓄电池生产过程中所产生的铅污染。本蓄电池板栅的质量是铅钙合金蓄电池板栅的20％，大大提高了极板反应物质和起承载导电作用蓄电池板栅的质量比。
 同族[1]：CN102522566B  >>更多 - 什么是同族
引用[4]：US2006105244A1 - JP3178040B2 - CN101969143A - CN2469559Y   
被引用[3]：CN107946598A - CN107946600A - CN111224107A   
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[发明] 一种非晶硅硼碳氮锆陶瓷纤维的制备方法 - 201710843915.2
有权

申请人：东华大学 - 申请日：2017-09-19 - 主分类号：C04B35/515
 分类号：C04B35/515 C04B35/622 D01F9/08
摘要:本发明涉及一种非晶硅硼碳氮锆陶瓷纤维的制备方法，包括淡黄色液体的合成，淡黄色前驱体的合成，硅硼碳氮锆前驱体初生纤维的合成，硅硼碳氮锆前驱体不熔化纤维的合成，非晶硅硼碳氮锆陶瓷纤维的合成。本发明的方法简单，反应条件温和，成本低；制备得到的非晶硅硼碳氮锆陶瓷纤维表面光滑，组织均匀，结构致密，具有良好的力学性能、热稳定性能和抗氧化性能。
 同族[1]：CN107500766B  >>更多 - 什么是同族
引用[2]：CN102557637A - CN103342559A   
被引用[6]：CN108395253A - CN108807917A - CN110952170A - CN112851359A - CN114181396A - CN114213664A   
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[发明] 铋基卤化物陶瓷材料、制备方法及X射线探测器 - 201910658874.9
无权-驳回

申请人：中国工程物理研究院化工材料研究所 - 申请日：2019-07-19 - 主分类号：C04B35/515
 分类号：C04B35/515 C04B35/622 G01T1/16
摘要:本发明公开了铋基卤化物陶瓷材料、制备方法及X射线探测器，所述X射线探测器，由铋基卤化物陶瓷及其两端的电极组成，所述铋基卤化物陶瓷为铋基卤化物陶瓷材料用压片法制备的陶瓷片，其两端蒸镀金属电极。本发明提供了的铋基卤化物陶瓷材料，不仅易于制备，环境友好，稳定性高，电阻率大，而且所制备的X射线探测器耐高压能力强，耐辐照性能好，对X射线响应灵敏，探测下限低。
 引用[7]：EP2134457A1 - CN106433619A - CN108300470A - CN108559503A - CN109873080A - CN109909511A ...   
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[发明] 一种倍半稀土硫化物高熵陶瓷材料及其制备方法和应用 - 202111141712.1
有权

申请人：上海电机学院 - 申请日：2021-09-28 - 主分类号：C04B35/515
 分类号：C04B35/515 C04B35/547 C04B35/622 C04B35/626 C04B35/64 C04B35/645
摘要:本发明提供一种倍半稀土硫化物高熵陶瓷材料及其制备方法和应用，倍半稀土硫化物高熵陶瓷材料的化学式为(Ln1y1Ln2y2Ln3y3Ln4y4Ln5y5)Sx；稀土元素Lniyi为Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lμ中的4种以上；其中，y1+y2+y3+y4+y5＝1，1.33≤x≤1.5；倍半稀土硫化物高熵陶瓷材料的制备方法包括：称料，混料，煅烧，硫化，热处理，烧结成型的步骤。本发明制备的高纯倍半稀土金属硫化物单相高熵陶瓷粉体纯度高，制备简单，能够批量化生产，适用于颜料和填料等改色剂，色彩丰富且无毒；适用于高温热电功能陶瓷材料，结构稳定性能好。
 同族[1]：CN113788677B  >>更多 - 什么是同族
引用[7]：WO2018154020A1 - JP2002173732A - JP2019182739A - CN103172379A - CN103708526A - CN108715549A ...   
被引用[1]：CN114014664A   
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[发明] 一种调控P型Bi2Te3基材料组织和取向性的方法 - 201910932441.8
无权-驳回

申请人：中机第一设计研究院有限公司 - 申请日：2019-09-29 - 主分类号：C04B35/515
 分类号：C04B35/515 C04B35/626 C04B35/622 C04B35/64
摘要:本发明涉及一种调控P型Bi2Te3基材料组织及取向性的方法，具体步骤如下：(1)利用熔融法制备P型Bi0.4Sb1.6Te3合金铸锭；(2)将制备好的P型Bi0.4Sb1.6Te3合金铸锭进行破碎或球磨得到粉末样品；(3)将制备好的粉末样品置于石墨模具中，进行烧结即可。通过控制烧结前粉体粒径，实现对粉末烧结法制备的Bi2Te3基块体合金组织及沿着(00l)方向的取向性进行调控。随着烧结前粉体粒径的减小，所制备块体材料的组织细化，同时在垂直烧结压力方向上的样品沿着(00l)方向的取向性减弱，而在平行烧结压力方向上，样品沿(00l)方向均未表现出择优取向性。
 引用[6]：US2002062853A1 - CN101230428A - CN101307394A - CN102694116A - CN105047808A - CN1757774A   
被引用[3]：CN112079638A - CN114538927A - CN114920563A   
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[发明授权] 一种高热电性能p型碲化铋基热电材料及其制备方法和应用 - 202210604944.4;114890792B
有权

申请人：先导薄膜材料(广东)有限公司 - 申请日：2022-05-31 - 主分类号：H10N10/01
 分类号：H10N10/01 C04B35/515 C04B35/626 C04B35/622 H10N10/852
摘要:本发明属于碲化铋基热电材料技术领域，公开了一种高热电性能p型碲化铋基热电材料及其制备方法和应用。本发明的高热电性能p型碲化铋基热电材料的制备方法包括：以名义组分为BixSb2‑xTe3+y wt.％Te的晶棒为原料，打磨表面，清洗干燥，得洁净晶棒；破碎，投入熔炼坩埚底部，进行磁悬浮熔炼至破碎晶棒完全熔化；精炼，快速浇铸，冷却，得p型碲化铋基合金；粉碎，筛分，得p型碲化铋基合金粉体；置于模具中烧结，即成。本发明可得到沿(00l)方向择优取向的p型碲化铋基热电材料，其电性能得到较大的提升；操作简单，制备周期短，适用于商业化大规模生产和应用。
 同族[1]：CN114890792A  >>更多 - 什么是同族
引用[15]：US2022077375A1 - US5763293A - WO2015180034A1 - WO2016127572A1 - WO2021204162A1 - JP2008108795A ...   
被引用[1]：CN115368136A   
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[发明] 一种硅基陶瓷气凝胶制备工艺 - 202211315386.6
有权

申请人：江苏脒诺甫纳米材料有限公司 - 申请日：2022-10-26 - 主分类号：C04B35/80
 分类号：C04B35/80 C04B35/515 C04B35/571 C04B35/58 C04B35/624 B01J13/00 B01J19/18
摘要:本申请提供了一种硅基陶瓷气凝胶制备工艺，硅基陶瓷气凝胶制备系统包括第一支撑部，还包括：反应釜，通过底座固定连接在第一支撑部顶壁，反应釜顶壁设置有驱动电机，驱动电机输出端设置有与反应釜内部相匹配的转动装置，反应釜外侧壁设置有与转动装置相匹配的投料组件；第二支撑部，通过固定板连接在第一支撑部外壁，第二支撑部顶部设置有连板和V型架，V型架内壁连接有浸渍干燥装备，连板内壁设置有与浸渍干燥装备相匹配的传送装置，第二支撑部外侧壁设置有出料组件；本申请提高了反应釜中乙基三甲氧基硅烷、正硅基异丙酯和溶剂无水乙醇的混合效果，保证了产物A可以喷涂的均匀，提高了气凝胶产品韧性，避免出现喷涂不均影响气凝胶的质量。
 同族[1]：CN115716758B  >>更多 - 什么是同族
引用[6]：US10183309B1 - US2009104401A1 - US2014087119A1 - CN109734101A - CN112592150A - CN113423676A   
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[发明授权] 一种含Zr-C-Si主链单源超高温陶瓷先驱体的制备方法 - 202111168434.9;115894940B
有权

申请人：中国人民解放军国防科技大学 - 申请日：2021-09-30 - 主分类号：C08G77/60
 分类号：C08G77/60 C04B35/515
摘要:本发明涉及一种含Zr‑C‑Si主链单源超高温陶瓷先驱体的制备方法，该先驱体含有如下分子链结构：#imgabs0#主链结构单元为Zr‑C‑Si，n表示聚合度，制备方法：首先利用Cp2ZrCl2与还原性金属Mg生成低氧化态Cp2Zr(Ⅱ)等效活性物种，而后加入(CH3)2Si(CH2Cl)2并在110℃下进行共聚，过滤除去反应副产物镁盐，真空浓缩，除去溶剂得到橙黄色聚锆碳硅烷先驱体。本发明的制备方法方案新颖，设备工艺简单，所得先驱体能溶解于甲苯、THF等有机溶剂，软化点为140～185℃，良好的溶解熔融性能有助于后续成型加工以及功能化应用。
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[发明授权] 石墨烯与前驱体陶瓷复合材料及制备方法 - 200910069312.7;101585697B
有权

申请人：天津大学 - 申请日：2009-06-18 - 主分类号：C04B32/00
 分类号：C04B32/00 C04B35/01 C04B35/515 H01M4/58
摘要:本发明涉及石墨烯与前驱体陶瓷复合材料及制备方法，它是以氧化石墨(GO)和前驱体聚硅氧烷液或聚硅氮烷液为原料，按照前驱体液与GO的质量份数比为100∶0.5～60的比例进行制备，具体工艺步骤：GO与前驱体液混合，通过机械搅拌得到悬浮液，悬浮液在一定温度下进行交联，产物交联体在氩气保护下，程序升温至1000℃高温热解，热解过程中GO和前驱体交联体会释放出水分子、二氧化碳等小分子，使GO转变为GNS，前驱体转变为前驱体陶瓷，从而制备出GNS与前驱体陶瓷复合材料。本发明采用高温热解一步法将石墨烯二维结构引入前驱体陶瓷三维网络结构，制备出层状、格子状和笼状的新型复合材料，这种新型复合材料的特殊结构对陶瓷力学性能、高温性能、特别是电学性能的提高有重大意义。
 同族[1]：CN101585697A  >>更多 - 什么是同族
被引用[13]：CN102002161A - CN102070140A - CN102167311A - CN102603271A - CN103022434A - CN103058178A ...   
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[发明授权] (TiB2+TiC)/Ti3SiC2复相陶瓷材料及其制备方法 - 200910027763.4;101555137B
有权

申请人：南京工业大学 - 申请日：2009-05-20 - 主分类号：C04B35/515
 分类号：C04B35/515 C04B35/622 C04B35/64
摘要:本发明涉及一种(TiB2+TiC)/Ti3SiC2复相陶瓷材料及其制备方法。复相陶瓷材料由板/柱状TiB2、等轴状TiC增强相与层状Ti3SiC2基体组成，其中TiB2占材料总体积的5～20％，TiC占材料总体积的10～15％。将原料TiH2粉、Si粉、石墨粉和B4C粉按摩尔配比为(3.27～4.49)∶(1.04～1.21)∶2∶(0.07～0.43)称量，原料经物理机械方法混匀后装入石墨磨具中冷压成型，在通有保护气氛的热压炉中烧结。本发明工艺简单，烧结温度低，材料中两种不同强韧相与补强增韧机制协同作用，材料性能优异。
 同族[1]：CN101555137A  >>更多 - 什么是同族
被引用[16]：CN102173802A - CN102285817A - CN102530945A - CN102557718A - CN104032253A - CN105884359A ...   
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