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分类号为 G11C16/34* 的最新专利
2009年01月 公开
200680046589 存储器扇区异常破坏的检测器
2008年12月 公开
200810125996 对存储装置进行编程的方法
2008年11月 公开
200810100703 非易失性存储器阵列字线重试擦除及阈值电压恢复的方法
200710102821 非易失半导体存储装置及其编程方法
200680040981 非易失性存储器故障的恢复
2008年10月 公开
200810002991 闪存装置的编程方法
200710169601 采用三电平单元的存储装置及相关的管理方法
2008年09月 公开
200710129990 检测伪编程单元的方法和使用其对伪编程单元编程的方法
200680034677 用自调整最大程序循环对非易失性存储器进行编程
200680029973 用于快闪存储器的具有依据经检测未通过编程的位数目的优化电压电平的编程方法
200810095107 用于减少编程错误的多位闪存设备的编程方法
200810088168 数据验证方法和半导体存储器
2008年08月 公开
200810002760 存储装置及其操作方法
200710101769 可改善抹除操作特性的非易失性存储元件
200710306291 闪存器件以及擦除闪存器件的方法
200810005917 半导体存储器件
2008年07月 公开
200710182048 具有判定半导体微电流功能的半导体存储器
200810001948 用于存储单元上的编程的方法、装置与计算机程序产品
200680017029 包含耦合补偿的对非易失性存储设备的读取操作
200680010518 利用个别验证来软编程非易失性存储器和额外软编程存储器单元的子组
200710145589 非易失性存储器件及其自补偿方法
200710301180 能够降低耦合效应的存储单元编程方法
200680009937 使用个别验证擦除非易失性存储器和额外擦除存储器单元的子组
2008年06月 公开
200710306863 快闪存储器设备及其编程方法
200710305187 闪存装置和用于该闪存装置的编程方法
200680017023 对非易失性存储设备中的耦合的补偿
200680021386 快闪存储器装置中的选择性慢编程会聚
200680016694 对非易失性存储器的读取操作期间的耦合的补偿
200680016299 非易失性存储器中的编程抑制方案的选择性应用
2008年05月 公开
200710199927 使用编程数据高速缓存的闪存设备及其编程方法
200710159635 用于编程多层非易失性存储装置的方法
200710185140 用于多阶单元存储阵列的动态编程与读取调整
200710184839 为闪存装置设定编程起始偏压的方法和使用它的编程方法
200680016101 快闪存储器装置中的存储块擦除
200680017183 具有对源极线偏置误差的控制栅极补偿的非易失性存储器及方法
2008年04月 公开
200710166884 多层单元内存应用的平行阀值电压容限搜寻
2008年03月 公开
200680010776 数据锁存器在非易失性存储器的多阶段编程中的使用
200710148090 闪存器件、操作闪存器件的方法以及该器件的制造方法
200710145635 监视NAND闪速存储器件中的擦除阈值电压分布的方法
200680005896 快闪存储器系统中内务处理操作的调度
200580048952 用于操作无源矩阵可寻址铁电或驻极体存储器件的方法
2008年02月 公开
200580047431 擦除扇区检测机构
2008年01月 公开
200710109029 非易失性半导体存储器件
2007年12月 公开
200580041995 非易失性存储器擦除作业中的字线补偿
200580039208 具有减少的过编程的高速编程系统
200710109018 非易失性存储器器件及其方法
2007年11月 公开
200710102188.0 改善非易失性存储器的数据保存的方法及装置
200710102189.5 改善非易失性存储器的数据保存的方法及装置
200710126635.6 补偿状态间读边界减小的闪存装置的编程方法
2007年10月 公开
200710097200.3 编程存储单元块的方法、非易失性存储器件和存储卡器件
200710090410.X 测量NAND闪存器件中的通道升压电压的方法
200580023630.X 具有非易失性可写数据存储器的电子设备
2007年09月 公开
200610154301.5 降低编程边界的可编程非易失性存储元件与其测试方法
200580036129.7 提供基于平均阈值的刷新机制的存储器件和方法
200580023225.8 通过测试存储器元件在第一和第二方向上的导电性对非易失性存储器进行擦除检验
2007年08月 公开
200580031416.9 多电平虚拟接地内存的读取方法
200580022786.6 改良具有虚拟字线的闪存阵列的擦除电压分布的方法
200710003748.7 用于快闪存储器件的编程方法
2007年07月 公开
200610172099.9 非易失性半导体存储装置及其改写方法
200580010707.X 非易失性存储器的可变编程
200710001671.X 能够补偿状态间读取裕度减小的闪速存储器编程方法
200610171285.0 用于存储多值数据的非易失性半导体存储器
200610145659.1 控制存储器单元的临界电压分布的脉冲宽度收敛法
2007年06月 公开
200610170140.9 半导体泄漏电流检测器、测定方法及其半导体集成电路
200610162911.X 非易失性半导体存储器件
2007年05月 公开
200580018934.7 用于多级位闪存的擦除方法
2007年03月 公开
200610114851.4 用于双位闪速存储器装置中的参考电路的系统及方法
200580006490.5 编程非易失性存储器
2007年02月 公开
200610105867.9 非易失性半导体存储器
200580004812.2 非切换前置和后置干扰补偿脉冲
200610100190.X 用于感测存储单元的状态的方法和装置
2006年11月 公开
200610071826.2 快闪存储器装置的编程方法
2006年09月 公开
200610057026.5 使用多个串存储状态信息的非易失性存储器装置和方法
2006年08月 公开
200510097482.8 多阶氮化硅只读记忆胞的程序化方法
2005年09月 公开
200510054387.X 测试半导体存储单元和存储阵列的可编程性的方法和电路
2005年08月 公开
200510052527.X 多级闪存设备与编程方法