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分类号为 G11C16/30* 的最新专利
2008年12月 公开
200810128965 输入/输出调节电路
200810110171 非易失性存储装置及其操作方法
2008年11月 公开
200810095362 高电压产生器电路以及包括所述电路的闪存装置
200820054710 闪存微控制器
2008年10月 公开
200810088444 自适应和自校准的多级非易失性存储器
200810096700 升压电路
200810087475 生成温度补偿用电压的半导体装置
2008年08月 公开
200710002768 多位准记忆单元的操作方法及用其作储存资料的集成电路
2008年07月 公开
200710300375 用于减少输出电压过冲的高压生成电路和方法
200710192779 栅极二极管非易失性存储器的操作
200710305952 对虚拟接地存储器的可变编程及编程验证的方法
2008年06月 公开
200610170136 用于抑制电压抖动的电路及其方法
200710194782 限制功率消耗的存储器
200610161140 闪存的写入电路与其写入方法
200710167383 用于调整闪存器件基准电压的方法和装置
2008年05月 公开
200710089843 非易失性存储器件和从其读取信息的方法
200680017030 具有源极线偏置误差补偿的非易失性存储器及方法
2008年04月 公开
200610163536 闪速存储器件及其操作方法
200610064370 非易失性存储器件以及对其编程的方法
200610064346 电压生成电路、闪存器件、以及对闪存器件编程的方法
200710004057 半导体存储器件及其操作方法
200710162276 包含升压电路的电子器件
200610156454 闪存器件中的电压发生器
200710004056 包括高电压产生电路的半导体器件及产生高电压的方法
200710004441 包括高电压产生电路的半导体器件及产生高电压的方法
2008年03月 公开
200610140914 一种电荷泵输出高压的控制装置
200710148544 能够基于操作模式产生不同电压的电压产生电路
200680007807 具有电流补偿的漏极电压调整的电流感测电路
2008年02月 公开
200710105006 半导体非易失性存储器
2008年01月 公开
200710097903 升压电路
200610098781 非挥发性储存装置及其控制方法
200710109029 非易失性半导体存储器件
200710108810 形成可编程电压调节器的方法及其结构
2007年10月 公开
200610077065.1 非挥发性存储器的启始电压的重置方法
200710088553.7 在非易失性存储器中存储多位的位符号识别方法和结构
200610131005.3 用低电压晶体管实现的电子设备
2007年09月 公开
200710088621.X 由低电压晶体管实现的用于半导体存储器的电平转换器
200710085645.X 在非易失性存储元件中减少编程干扰的装置及其方法
200710086119.5 半导体存储器件及半导体集成电路系统
200580030164.8 具有编程时间控制的非易失性存储器系统
2007年08月 公开
200710006257.8 根据温度变化控制高压生成器输出电压的半导体存储装置
2007年07月 公开
200510097566.1 电池电量监控系统及方法
200510132881.3 非易失性存储装置及其控制器
2007年06月 公开
200610171208.5 使用分层式性能监视器来控制电源电压的设备和方法
200610074724.6 非挥发性存储器封装及从一非挥发性存储器阵列读取被储存的数据的方法
200610172989.X 相变随机存取存储器及控制其读取操作的方法
200610162911.X 非易失性半导体存储器件
2007年05月 公开
200610148614.X 具有可读出的存储数据的电设备
2007年03月 公开
200610121636.7 有着消除寄生二极管开启电路的负电荷泵
2007年02月 公开
200610109186.X 数据记录装置
2006年12月 公开
200610028669.7 一种能量恢复结构的只读存储器存储单元电路
2006年01月 公开
200510069466.8 用于在测试模式产生内部电压的设备和其方法
2005年11月 公开
200510072677.7 用于控制增强电压的电路和方法
2005年10月 公开
200510060072.6 非易失性半导体存储器
2005年09月 公开
200510062422.2 电源电路及具备该电源电路的半导体存储装置