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分类号为 G11C16/14* 的最新专利
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| 2008年12月 公开 | |||||||||||
| 200810127017 与CMOS兼容的单层多晶硅非易失性存储器 | |||||||||||
| 200810110171 非易失性存储装置及其操作方法 | |||||||||||
| 200810086763 非易失性存储装置及其操作方法 | |||||||||||
| 2008年11月 公开 | |||||||||||
| 200710161121 储存单元及其制造方法与操作方法 | |||||||||||
| 200810100703 非易失性存储器阵列字线重试擦除及阈值电压恢复的方法 | |||||||||||
| 200710102076 存储器结构及其操作方法 | |||||||||||
| 200710138732 一种电荷捕捉式存储器结构及其程序化的方法 | |||||||||||
| 200710152994 非易失性存储器及其制造方法与操作方法,以及电路系统 | |||||||||||
| 2008年10月 公开 | |||||||||||
| 200810001901 偏压一多阶单元存储器的方法 | |||||||||||
| 200710168161 用以操作双边偏压与非存储器阵列的方法 | |||||||||||
| 200810091481 非易失性半导体存储器件 | |||||||||||
| 200710148537 闪存器件及其抹除方法 | |||||||||||
| 2008年09月 公开 | |||||||||||
| 200810002004 用擦除栅极执行擦除操作的半导体存储装置及其制造方法 | |||||||||||
| 200810082803 操作非易失性存储装置的方法 | |||||||||||
| 200810074198 操作非易失性存储器装置的方法 | |||||||||||
| 200680032509 用以改进非易失性存储器中快反向的负电压放电方案 | |||||||||||
| 2008年08月 公开 | |||||||||||
| 200710306291 闪存器件以及擦除闪存器件的方法 | |||||||||||
| 2008年07月 公开 | |||||||||||
| 200710199607 无须采用额外掩模以相同工艺制造存储与逻辑元件的方法 | |||||||||||
| 200810001908 操作具有氧化/氮化多层绝缘结构非易失存储单元的方法 | |||||||||||
| 200710181223 具有多晶硅多层绝缘结构的非易失性存储单元 | |||||||||||
| 200610148187 非挥发性存储器的擦除方法 | |||||||||||
| 200610170343 多位准存储单元的操作方法 | |||||||||||
| 2008年06月 公开 | |||||||||||
| 200710172940 一种闪存单元及其操作方法 | |||||||||||
| 200710199197 非易失性存储器装置及其操作方法 | |||||||||||
| 200710197076 非易失性存储装置及其操作方法 | |||||||||||
| 200610147627 一种提高非挥发性存储器数据擦除速度的方法 | |||||||||||
| 2008年05月 公开 | |||||||||||
| 200710169463 非易失性半导体存储装置的擦除电路 | |||||||||||
| 200710170742 V型沟道结构闪存 | |||||||||||
| 200710089844 非易失性存储器件及其编程、读取和擦除方法 | |||||||||||
| 200710168219 具高耦合率的圆柱型沟道电荷捕获装置 | |||||||||||
| 2008年04月 公开 | |||||||||||
| 200710152423 具有凹进式控制栅极的半导体存储器装置的操作方法 | |||||||||||
| 200710090336 对快闪记忆单元元件执行操作的方法 | |||||||||||
| 200710170536 复位侧壁浮栅存储结构闪存 | |||||||||||
| 200610156426 闪存器件及使用其的擦除方法 | |||||||||||
| 2008年02月 公开 | |||||||||||
| 200710143793 使用选择性自升压编程操作的存储器件和方法 | |||||||||||
| 200710128723 用于存储器元件的双偏压擦除方法 | |||||||||||
| 2008年01月 公开 | |||||||||||
| 200610103931 快闪记忆区以及快闪记忆群抹除方法 | |||||||||||
| 2007年12月 公开 | |||||||||||
| 200710102077 存储器元件 | |||||||||||
| 200710096721 非易失性存储器衬底瞬时热载流子注入编程和擦除方法 | |||||||||||
| 2007年11月 公开 | |||||||||||
| 200610127880.4 非易失性半导体存储器件及其擦除方法和测试方法 | |||||||||||
| 200710104550.8 一种单层多晶硅、多位的非易失性存储元件及其制造方法 | |||||||||||
| 200710103217.5 非易失性存储元件及其操作方法 | |||||||||||
| 200710128277.2 非易失存储装置及其操作方法 | |||||||||||
| 200710103411.3 用以对一闪速存储元件实施逐位擦除的装置与方法 | |||||||||||
| 2007年10月 公开 | |||||||||||
| 200710089633.4 NAND型非易失性存储器的数据擦除方法 | |||||||||||
| 200710092186.8 非易失性半导体存储装置的验证方法 | |||||||||||
| 2007年09月 公开 | |||||||||||
| 200710084948.X 非易失存储器装置和用于其的操作方法 | |||||||||||
| 200610058653.0 擦除快闪存储器单元的方法及应用此方法的快闪存储器装置 | |||||||||||
| 2007年08月 公开 | |||||||||||
| 200610084265.X 非易失性存储器的抹除操作 | |||||||||||
| 200710002141.7 一种用于辅助电荷存储器器件的阵列结构 | |||||||||||
| 2007年06月 公开 | |||||||||||
| 200610164207.8 用以解决电荷陷获非易失性存储器中难以擦除状态的方法 | |||||||||||
| 2007年05月 公开 | |||||||||||
| 200610128002.4 单层多晶硅非易失性存储器装置的操作方法 | |||||||||||
| 200610099344.8 闪存器件 | |||||||||||
| 2007年04月 公开 | |||||||||||
| 200510108213.7 降低擦除时间及防止过擦除之擦除方法 | |||||||||||
| 2007年02月 公开 | |||||||||||
| 200610075472.9 增加一氮化物只读存储器阵列的抹除均匀性的结构及方法 | |||||||||||
| 2006年09月 公开 | |||||||||||
| 200610005019.0 非易失性存储装置的高电压开关电路 | |||||||||||
| 200610005996.0 擦除存储器阵列上存储单元的方法 | |||||||||||
| 200510091458.3 具有改进预编程序功能的闪存设备和控制其操作的方法 | |||||||||||
| 200510128852.X 具有改进的擦除功能的闪存设备和控制其擦除操作的方法 | |||||||||||
| 2006年08月 公开 | |||||||||||
| 200510097482.8 多阶氮化硅只读记忆胞的程序化方法 | |||||||||||
| 200610005416.8 一种擦除一个或多个非易失存储器单元的方法、电路和系统 | |||||||||||
| 200610059901.3 具有非易失性存储单元装置的集成半导体存储器及方法 | |||||||||||
| 200510101856.9 一种闪存装置的脏块回收方法 | |||||||||||
| 2006年06月 公开 | |||||||||||
| 200510072065.8 半导体存储器设备 | |||||||||||
| 2006年05月 公开 | |||||||||||
| 200510088151.8 与非型闪存器件的擦除确认方法及其与非型闪存器件 | |||||||||||
| 200510107609.X 非易失半导体存储器件及其数据擦除方法 | |||||||||||
| 200510003633.9 闪存系统及其擦除方法 | |||||||||||
| 2006年03月 公开 | |||||||||||
| 200510005771.0 闪存装置及其闪存单元的擦除方法 | |||||||||||
