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分类号为 G11C16/12* 的最新专利
2008年12月 公开
200810127017 与CMOS兼容的单层多晶硅非易失性存储器
200810128797 非易失性存储器器件及其驱动方法
2008年11月 公开
200810096435 操作包括负增量阶跃脉冲编程的存储装置的方法及装置
2008年09月 公开
200680033325 能储存高密度资料的高性能快闪存储器装置
2008年08月 公开
200710006372 改善电荷捕捉存储单元过擦除效应的方法及其电荷捕捉存储器结构
2008年06月 公开
200610161140 闪存的写入电路与其写入方法
2008年05月 公开
200710168219 具高耦合率的圆柱型沟道电荷捕获装置
2007年08月 公开
200580031611.1 带有各自具有浮动栅极和控制栅极的多个MOS晶体管的半导体存储设备
2007年07月 公开
200710004303.0 能够高速缓存读出操作的半导体存储器装置
200580026253.5 快闪存储单元以及编程快闪存储装置的方法
2006年09月 公开
200610005019.0 非易失性存储装置的高电压开关电路
2005年10月 公开
200510064901.8 能够执行稳定操作的半导体存储器件