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分类号为 G11C16/10* 的最新专利




2009年01月公开
200810040933 一种高读取速度、低操作干扰的相变存储单元存储器及其操作方法
200710127369 非易失性半导体存储器的编程方法及其电路
200810048591 存储块的擦除方法及装置

2008年12月公开
200710193464 多阶存储单元非易失性存储器的双重编程方法
200810040950 一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法
200810040952 一种提高相变存储器编程速度的系统及方法
200810127017 与CMOS兼容的单层多晶硅非易失性存储器
200810125996 对存储装置进行编程的方法
200820101527 数据擦除装置
200810125981 非易失性存储器件及其编程和读取方法
200810031594 一种可编程逻辑器件的在线编程装置
200720076698 EEPROM擦写高压转换控制缓存装置
200810086763 非易失性存储装置及其操作方法
200810034859 基于并口的FLASH存储器在线编程方法

2008年11月公开
200710041097 半导体存储器的写入方法
200710161121 储存单元及其制造方法与操作方法
200710148055 旋转扭矩转移磁阻式随机存取存储器装置
200710103471 适用于闪存的数据结构及其数据写入方法和数据读取方法
200710102076 存储器结构及其操作方法
200810095612 存储系统及其编程方法和包括存储系统的计算系统
200710102821 非易失半导体存储装置及其编程方法
200710153500 非易失性存储装置的清除操作方法及相关电子装置

2008年10月公开
200710303586 减少在非易失性存储设备和相关设备中的写时间的方法
200810001901 偏压一多阶单元存储器的方法
200810035116 沟道型侧壁浮栅结构闪存及其使用方法
200810093035 存储器单元阵列
200720144280 闪存烧录排线装置及包含该装置的闪存烧录治具
200810106503 一种并行烧录的系统
200810106504 一种并行烧录的方法
200810106505 一种采用多路复用技术进行并行烧录的系统
200810106506 一种采用多路复用技术进行并行烧录的方法
200710196224 快闪存储器设备及操作其的方法
200810033415 相变内存读、写操作可调脉宽的控制电路的设计方法
200810002991 闪存装置的编程方法
200810080409 半导体存储装置的制造方法、再生方法、及再出货方法
200680036900 存储器的字块写入方法

2008年09月公开
200710038506 数据自动刻录方法
200810085180 用于车辆控制设备的存储器读出系统
200710129461 具混合密度内存的内存系统及其抹除、文件配置管理方法
200810002004 用擦除栅极执行擦除操作的半导体存储装置及其制造方法
200710161273 电荷陷捕型非易失性存储装置及其编程方法
200710086779 存储单元结构及其操作方法
200680034677 用自调整最大程序循环对非易失性存储器进行编程
200810095107 用于减少编程错误的多位闪存设备的编程方法
200710305290 FLASH存储产品的内容载入和测试装置
200810082803 操作非易失性存储装置的方法
200810035117 纳米硅材料侧壁结构复位闪存及其制作、使用方法

2008年08月公开
200810002760 存储装置及其操作方法
200720192489 一种专用烧录器
200810085674 具有备份电路的存储系统及编程方法
200710307038 闪存接口
200810009733 半导体器件和测试半导体器件的方法
200810004864 存储单元装置及编程方法
200710101769 可改善抹除操作特性的非易失性存储元件
200710006372 改善电荷捕捉存储单元过擦除效应的方法及其电荷捕捉存储器结构
200710182317 编程多阶存储单元存储阵列的方法
200710007534 半导体元件与记忆体及其操作方法
200810034243 一种手机上NOR型FLASH擦写兼容实现方法

2008年07月公开
200810004224 闪存设备的数据处理方法
200810001100 快闪存储器件和操作该器件的方法
200710123246 NAND快闪存储器件与改善NAND快闪存储器件中单元特性的方法
200710109854 快闪存储器及其存储单元逻辑状态判断方法
200710129993 在闪速存储器件中对数据进行编程的方法
200710300769 非易失性存储装置及其擦除方法
200810003978 非易失性存储装置及其操作方法和制造方法
200810003982 非易失性存储装置及其操作方法
200710166675 存储器件及其操作和制造方法
200710199601 对虚拟接地阵列存储装置施加双侧偏压的方法
200810005678 降低闪存装置使用拷贝回去指令时的数据错误的方法
200710199607 无须采用额外掩模以相同工艺制造存储与逻辑元件的方法
200710305150 具有多页复录功能的闪存器件及相关的块替换方法
200810001948 用于存储单元上的编程的方法、装置与计算机程序产品
200610170494 闪存资料读写寿命提升方法
200610172336 相位变化存储器的写入方法
200710159893 半导体存储装置及其写入控制方法
200710300427 多级半导体存储装置及其编程方法
200710301180 能够降低耦合效应的存储单元编程方法
200710305952 对虚拟接地存储器的可变编程及编程验证的方法
200610148200 非挥发性存储器的写入方法
200610148249 非挥发性存储器的写入方法
200610148238 非挥发性存储器的写入方法
200680019739 借助非易失性存储器的循环的开始编程电压偏移

2008年06月公开
200610147708 减小存储单元写入扰乱的方法
200610147709 减小存储单元写入扰乱的方法
200710160149 非易失性存储器及在非易失性存储器中编程的方法
200710199847 对多层单元编程的方法及包括该单元的非易失性存储器件
200710172940 一种闪存单元及其操作方法
200710199197 非易失性存储器装置及其操作方法
200710197076 非易失性存储装置及其操作方法
200720074887 快闪记忆体烧录治具
200720075178 一种闪存烧录器具
200710308183 非易失性存储系统及其相应的编程方法
200710307784 非易失性存储系统和相关编程方法
200710199608 编程可编程电阻性存储单元的方法、装置及程序产品
200710301009 非易失性闪存的操作方法
200710306863 快闪存储器设备及其编程方法
200710194782 限制功率消耗的存储器
200710305187 闪存装置和用于该闪存装置的编程方法
200710306192 一种对多层非易失性存储器设备编程的方法

2008年05月公开
200710199927 使用编程数据高速缓存的闪存设备及其编程方法
200710185095 施加浮动电压于源极或漏极区的操作存储器的装置与方法
200710170742 V型沟道结构闪存
200710159607 多芯片闪存器件及其复录方法
200710159635 用于编程多层非易失性存储装置的方法
200710164394 非易失性存储装置中的多级单元回拷编程方法
200710168036 电子控制装置以及在电子控制装置中写入备份数据的方法
200710185139 用以快速编程非易失性存储器的方法与装置
200710185140 用于多阶单元存储阵列的动态编程与读取调整
200710153194 包括局部控制栅极的非易失性存储设备及相关方法和设备
200680017189 多级单元快闪存储器中较高级状态的较快编程
200680016054 编程存储器装置

2008年04月公开
200710181847 高编程速度的多阶单元存储器
200680015583 在非易失性存储器的高速缓存操作中使用数据锁存器
200710152423 具有凹进式控制栅极的半导体存储器装置的操作方法
200610064370 非易失性存储器件以及对其编程的方法
200710180164 对非易失性存储器件生成编程电压的电路和方法
200610064346 电压生成电路、闪存器件、以及对闪存器件编程的方法
200710153758 垂直沟道存储器及其制造方法与应用其的操作方法
200710180755 电阻式存储器元件及其制造方法与操作方法
200710164180 存储器单元
200710170536 复位侧壁浮栅存储结构闪存
200610140413 NAND型快闪存储器元件的写入读取方法及执行所述写入读取方法的页缓冲区
200710100908 减少存储元件间耦合效应的非易失性存储设备和相关方法
200610156436 存储器件的页面缓冲器电路及编程方法
200610156447 对NAND闪存器件进行编程的方法
200710101881 用于编程快闪存储器件的方法
200710142756 闪存器件及编程方法
200710151709 对多级单元进行编程的方法
200710151719 闪速存储器件及其擦除方法
200710153206 存储设备及其方法
200680011645 将数据块存储到多个非易失存储器的闪存块的方法和系统

2008年03月公开
200710047461 适用于低电压数据写入的EEPROM擦写高压转换控制缓存器
200710154079 关于连续扇区的写操作请求提供原子性的设备和方法
200710167621 闪速存储器装置及其编程方法
200710170119 编程多位闪存设备和相关设备的方法
200710148090 闪存器件、操作闪存器件的方法以及该器件的制造方法
200710148538 相变随机存取存储器设备及相关的操作方法
200710149020 非易失性存储设备和相关操作方法
200710148167 编程电阻存储器件的方法

2008年02月公开
200610109359 非易失性存储器装置及其操作方法
200710149427 用于电编程半导体存储单元的方法及电路
200580048233 存储器系统中的数据再定位
200580044069 对非易失性电荷存储存储器单元编程的衬底电子注入技术

2008年01月公开
200610172133 具有旁路晶体管的非易失性存储器件及其操作方法
200710101379 带厚栅极氧化层的多次可编程非易失性存储器件
200710101038 非易失性存储器件的操作方法
200710127895 具有变化沟道区界面的非易失性存储器的操作方法
200580046901 使用早期数据对非易失性存储器进行管线式编程
200710127460 半导体存储装置
200710109029 非易失性半导体存储器件

2007年12月公开
200710106938 用于扩展存储器操作裕度并减小第二位效应的方法
200610093753 闪速存储器更新数据的方法
200580043718 浮动栅极之间的耦合效应减小的NAND电可擦除可编程只读存储器
200580039208 具有减少的过编程的高速编程系统
200610083954 具有烧录功能的电路模拟系统
200710096721 非易失性存储器衬底瞬时热载流子注入编程和擦除方法
200710074652.X 闪存数据读写处理方法
200580043866.X 编程、读取及擦除存储-二极管阵列中的存储-二极管的方法

2007年11月公开
200710128829.X 包括伪单元的闪存存储设备
200710104248.2 稳定地进行擦除操作的非易失性半导体存储装置及其操作方法
200710118971.6 存储设备、存储设备寿命监控装置及监控方法
200710102996.7 在线测试期间闪存的并行编程
200710003657.3 使用BESONOS元件的次栅AND架构的结构及方法
200710104550.8 一种单层多晶硅、多位的非易失性存储元件及其制造方法
200710096456.2 采用双极可编程电阻存储元件的非易失存储器结构
200710103217.5 非易失性存储元件及其操作方法
200610099356.0 闪存器件及其擦除方法
200610145272.6 对闪存器件进行编程的方法
200710102994.8 用于写缓冲器闪存编程和双字闪存编程的编程方法
200710102424.9 用于对NAND闪存及NOR/NAND组合闪存编程的闪存编程器
200710102192.7 P沟道能隙工程硅氧氮氧硅NAND闪存的编程与擦除方法
200580041583.1 具有扇区缓冲器的存储系统

2007年10月公开
200710096076.9 用于向闪速存储器执行写入的方法和设备
200710104435.0 使用非易失性高速缓存的存储装置及其控制方法
200610131014.2 高速可写半导体存储器装置
200610171716.3 非易失性存储器件及其操作和制造方法
200710097200.3 编程存储单元块的方法、非易失性存储器件和存储卡器件
200580025143.7 对非易失性存储器的并行编程

2007年09月公开
200610065593.5 决定闪存元件感测时间的方法和装置
200710088555.6 非易失性相变存储设备和相关的编程-挂起-读取操作
200710085563.5 非易失存储系统和非易失存储器的管理方法
200710085645.X 在非易失性存储元件中减少编程干扰的装置及其方法
200710087705.1 存储器件及其操作方法
200710086491.6 逻辑器件在线编程的方法及装置
200610057911.3 一种可程序化存储器及其存取方法
200580030164.8 具有编程时间控制的非易失性存储器系统

2007年08月公开
200610099407.X 闪存器件的页面缓冲电路及其编程操作方法
200710005471.1 非易失性半导体存储设备以及向其写入数据的方法
200610064394.2 电可擦除可编程只读存储器及其制造和操作方法
200710002141.7 一种用于辅助电荷存储器器件的阵列结构
200710003744.9 补偿存储单元编程状态之间的读余量减少的闪存系统
200710003748.7 用于快闪存储器件的编程方法
200710003749.1 能补偿由于高温应力状态间读出边界减小的闪存编程方法
200610163183.4 具有公共位线的非易失存储器件

2007年07月公开
200610168825.X 非易失性存储器件、系统及其方法
200610162814.0 与非门型多位电荷储存存储器阵列及其操作和制造方法
200710004303.0 能够高速缓存读出操作的半导体存储器装置
200610172099.9 非易失性半导体存储装置及其改写方法
200710002145.5 一种用于辅助电荷存储器阵列的结构
200710084243.8 非易失性存储装置及其制造方法和编程方法
200710002322.X 半导体存储装置
200610093035.X 一种非易失性存储器的编程与擦除方法
200710001470.X 编程非易失性存储器的方法及装置
200710001671.X 能够补偿状态间读取裕度减小的闪速存储器编程方法
200710001689.X 半导体元件、半导体存储装置及其制造和数据读写方法
200610171285.0 用于存储多值数据的非易失性半导体存储器

2007年06月公开
200610169399.1 操作电荷陷获存储器单元串的方法及装置
200610170025.1 非挥发性半导体存储装置
200610064142.X 闪存装置及其字线使能方法
200610164207.8 用以解决电荷陷获非易失性存储器中难以擦除状态的方法
200580022673.6 可配置的就绪/忙控制
200610162911.X 非易失性半导体存储器件

2007年05月公开
200610149269.1 非易失性半导体存储器及为其编程的方法
200580019388.9 升压以控制非易失性存储器的编程
200580019389.3 用于非易失性存储器的编程控制的双调谐管理方法
200510123323.0 串联式PLC主机与扩充机的并列快速通信接口
200610128002.4 单层多晶硅非易失性存储器装置的操作方法
200610099344.8 闪存器件

2007年04月公开
200610135957.2 非易失性半导体存储装置和驱动该存储装置的方法
200610099360.7 闪存器件的编程方法
200610153952.2 半导体存储器件和用于向半导体存储器件写数据的方法
200610126664.8 同时编程与编程验证的非易失性存储器
200580011792.1 具有改进的部分页编程能力的非易失性存储器和控制

2007年03月公开
200610121291.5 多重操作模式的非易失性存储器
200610088628.7 非易失性存储单元的编程方法
200610090872.7 闪存的更新方法与感测放大器电路
200610132291.5 相变存储装置及其编程方法
200510136886.3 操作快闪存储器芯片的方法
200510137555.1 具有多面结构的非易失性存储器件的编程方法
200610114852.9 保护非易失性存储器单元免于过度擦除的方法和装置
200580007372.6 用于非易失性存储器的粗略/精细编程的电荷包计量
200610128830.8 非易失性半导体记忆装置及其改写方法

2007年02月公开
200510036633.9 一种在NOR FLASH中配置参数的方法
200610008628.1 电荷捕获型三电平非易失性半导体存储器器件及驱动方法

2007年01月公开
200610107602.2 提高编程速度的非易失性存储器及相关编程方法
200610110022.9 将多级单元快闪存储设备编程的方法和装置
200610107497.2 使用重叠位线设置和字线允许间隔编程闪存的方法和电路
200610110018.2 三级非易失半导体存储器设备及其驱动方法
200510135714.4 页缓冲器电路及采用该电路读取和编程数据的方法
200510137097.1 包含存储单元与限流器的半导体元件
200610101605.5 用于对多位电荷俘获存储单元阵列编程的方法
200510136230.1 非易失存储器件及其多页编程、读取和复制编程的方法
200610101125.9 页面缓冲器和非易失性存储器设备

2006年12月公开
200610090031.6 半导体存储设备及用于该半导体存储设备的控制方法
200510077659.8 多阶存储单元的编程方法
200510078460.7 快速编程/调试设备
200610087954.6 一种集成电路及修正该集成电路的版本号码的相关方法

2006年11月公开
200510136253.2 页缓冲器电路、快闪存储器器件及其编程操作方法
200610071826.2 快闪存储器装置的编程方法
200610082411.5 存储器控制器、非易失性存储器、非易失性存储系统和数据写入方法
200610079845.X 非易失性半导体存储器及将数据写入该存储器的方法
200610009245.6 具有一致编程速度的非易失性存储设备
200610059513.5 支持虚拟页存储的非易失性存储器件及其编程方法
200610082051.9 非易失性存储装置的编程校验方法

2006年10月公开
200610073511.1 存储多值数据的非易失性半导体存储器
200610074096.1 半导体存储器件
200510105907.5 一种基于边界扫描的闪存加载方法及系统
200510136299.4 闪存设备的页缓冲器电路及其控制读操作的方法
200610006389.6 闪存装置的页面缓冲器电路

2006年09月公开
200610005997.5 可预防固定模式编程的方法
200610073912.7 半导体器件和操作半导体器件的方法
200610051413.8 用于验证预先擦除的具有页缓冲器的非易失性存储器装置
200510134039.3 存储器程序控制电路
200510135715.9 NAND闪存装置及其编程方法
200610059507.X 非易失存储器和其驱动方法
200510091458.3 具有改进预编程序功能的闪存设备和控制其操作的方法
200510135399.5 非易失性存储器的程序验证
200510136224.6 具有减少消耗功率的闪存设备的页面缓冲器电路
200510136235.4 用于操作非易失性存储器件的页缓冲器的方法
200510136236.9 非易失性存储器件和用于操作其页缓冲器的方法
200510136246.2 闪存存储器器件

2006年08月公开
200610004967.2 非易失性存储器装置及其编程与读取方法
200610005264.1 一种存储设备的操作方法
200510022823.5 控制数据储存设备和处理
200510097425.X 将数据存储在非易失性高速缓冲存储器中的设备和方法
200510097482.8 多阶氮化硅只读记忆胞的程序化方法
200510101856.9 一种闪存装置的脏块回收方法
200510109761.1 用于多电平存储单元的编程确认电平的动态控制方法

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