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分类号为 G11C16/04* 的最新专利




2008年12月公开
200810127017 与CMOS兼容的单层多晶硅非易失性存储器

2008年11月公开
200710041097 半导体存储器的写入方法
200810007420 存储单元阵列及半导体存储器件
200710152994 非易失性存储器及其制造方法与操作方法,以及电路系统

2008年10月公开
200680032778 用于编程/擦除非易失性存储器的方法和设备
200810091481 非易失性半导体存储器件
200810093035 存储器单元阵列
200810088444 自适应和自校准的多级非易失性存储器
200810080409 半导体存储装置的制造方法、再生方法、及再出货方法

2008年09月公开
200680023494 采用一个或多个浮栅器件的图像传感器结构

2008年08月公开
200810004810 非易失性半导体存储器件
200680030563 非易失性存储单元的编程
200680028987 电流或电压测量电路、读出电路、非易失性半导体存储器及差动放大器

2008年07月公开
200680027101 具有高移动性波形沟道的TFT电荷存储存储器单元和其制造方法
200680025691 高密度“与非”非易失性存储器装置

2008年06月公开
200610161140 闪存的写入电路与其写入方法
200680009994 利用改变字线条件来补偿较慢擦除的存储器单元以擦除非易失性存储器

2008年05月公开
200680019982 无扩散结的非易失性存储器单元
200710105082 闪存单元阵列、排列集成电路的方法

2008年04月公开
200710165129 可更改的栅堆存储元件
200680010766 用于在存储器阵列中并入区块冗余的方法和设备

2008年03月公开
200680010627 分裂棚极多位存储单元

2008年02月公开
200710135729 半导体存储装置

2008年01月公开
200610172133 具有旁路晶体管的非易失性存储器件及其操作方法
200710101379 带厚栅极氧化层的多次可编程非易失性存储器件
200680003699 非易失性锁存器
200710042572 一种PHS手机实现NOR FLASH兼容的方法
200580046493 用于阈值宽度控制的多级ONO快闪编程演算法

2007年12月公开
200610090051 非挥发性记忆元件的操作方法
200580041995 非易失性存储器擦除作业中的字线补偿

2007年11月公开
200710007524.3 验证闪存器件的方法

2007年10月公开
200580025249.7 整合传统式静态随机存储器与闪存单元的新式非易失性静态随机存储器内存单元结构
200580040251.1 在多层存储设备编程过程中调节编程电压值的方法和系统
200580039345.7 使用双位线作电流读出的低功率非易失性存储单元
200710088553.7 在非易失性存储器中存储多位的位符号识别方法和结构
200580025143.7 对非易失性存储器的并行编程
200580033533.9 使用磁芯存储器的熔丝数据存储系统

2007年09月公开
200710084948.X 非易失存储器装置和用于其的操作方法

2007年08月公开
200610058008.9 减少闪存设置时间的方法及经改进的闪存
200710005291.3 半导体存储装置
200610003113.2 电可擦可编程非易失性存储装置与阵列及其操作方法
200710008098.5 半导体存储装置
200710007943.7 三电平非易失性半导体存储器件和相关操作方法

2007年07月公开
200610162814.0 与非门型多位电荷储存存储器阵列及其操作和制造方法
200580024770.9 提高USB闪存写入性能的方法和器件
200610156248.2 半导体器件
200580026474.2 存储器位线的段隔离

2007年06月公开
200610152835.4 非易失性存储器件及其写入方法

2007年05月公开
200580019388.9 升压以控制非易失性存储器的编程
200580019389.3 用于非易失性存储器的编程控制的双调谐管理方法
200610074310.3 非易失性存储单元、存储单元矩阵和存储装置

2007年04月公开
200610008510.9 具有修改的频带结构的非挥发存储器单元的操作方法及装置
200610153952.2 半导体存储器件和用于向半导体存储器件写数据的方法
200610084065.4 双向分裂栅与非闪存结构/阵列及其编程、擦除、读出和制造
200610108465.4 双栅多位半导体存储器
200610142030.1 半导体存储器及其操作方法
200610154017.8 非易失性半导体存储装置

2007年03月公开
200610121291.5 多重操作模式的非易失性存储器
200610154069.5 EEPROM及其驱动方法
200580006505.8 使用高K材料与栅极间编程的非易失性存储单元
200580010467.3 可重写的电子熔断器
200610153746.1 非易失性半导体存储器件及其制造方法
200580008885.9 用于快闪存储器单元的自升压系统
200580006506.2 读取NAND存储器以补偿存储元件之间的耦合效应的方法

2007年02月公开
200610062286.1 非易失性高速存储单元
200610159382.8 密集型非易失性存储器阵列及其制造方法
200510036633.9 一种在NOR FLASH中配置参数的方法

2007年01月公开
200610080254.4 非易失性半导体存储器件
200610107602.2 提高编程速度的非易失性存储器及相关编程方法
200610110022.9 将多级单元快闪存储设备编程的方法和装置
200610088714.8 用于非易失性半导体存储器件的基准方案
200610101605.5 用于对多位电荷俘获存储单元阵列编程的方法

2006年12月公开
200610099881.2 半导体集成电路器件
200610071953.2 用于多重方向操作元件的叶状探测分析技术

2006年11月公开
200610091700.1 NROM单元中的阈值电压偏移
200610077834.8 多位虚假接地与非存储装置

2006年10月公开
200610074183.7 半导体存储器件
200610067990.6 闪存及包含闪存的处理系统
200510059914.6 非整数位系统
200510059916.5 混合型非整数位系统
200610071855.9 读相变存储器
200610071668.0 具有阈值电压控制功能的非易失性存储器

2006年09月公开
200610067698.4 非易失性半导体存储装置
200610073912.7 半导体器件和操作半导体器件的方法
200610059507.X 非易失存储器和其驱动方法
200510071922.2 半导体元件及其制造方法与记忆体元件及其操作方法

2006年08月公开
200610005264.1 一种存储设备的操作方法
200510097482.8 多阶氮化硅只读记忆胞的程序化方法

2006年02月公开
200510091193.7 半导体存储装置及其制造方法

2006年01月公开
200510005748.1 制造半导体器件的方法

2005年12月公开
200510077923.8 具有氮化物电荷存储栅的与非型快闪存储器及其制造方法
200510071903.X 非易失半导体存储器件及其制造方法
200510073710.8 用于提高耦合比的非易失性半导体存储器件及其制造方法

2005年11月公开
200510074348.6 半导体存储器件
200510075964.3 存储器件及其制造方法
200510055090.5 埋置位线非易失浮动栅存储单元、其阵列及其制造方法

2005年10月公开
200510055120.2 具有增强的编程和擦除连接的闪速存储器及其制造方法

2005年07月公开
200510004106.X 具有可伸缩二晶体管存储单元的非易失性半导体存储设备