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分类号为 G11C16/02* 的最新专利




2009年01月公开
200810040933 一种高读取速度、低操作干扰的相变存储单元存储器及其操作方法
200810030061 一种反向偏压诱导的双稳态非易失性存储器

2008年12月公开
200810129293 闪存装置和调节闪存装置的读电压的方法
200810040958 用于电阻式存储器的电诱发电阻材料及其制备方法
200810041391 控制相变材料或相变存储单元体积变化的方法及相应结构
200810041393 一种相变存储器器件单元结构及其制作方法
200810041394 一种提高相变存储器存储单元可靠性的结构及其制作方法
200810129097 具有钨化合物存储部的存储器装置及其工艺方法
200810040938 一种新型不挥发动态存储器及其存储操作方法
200810040951 高速互补单元相变存储器
200810109453 相变存储设备
200810125194 具有SOI结构的晶体管及电容器且非易失地存储数据的半导体装置
200810125333 存储元件阵列
200810093182 制造具有自对准电极的半导体存储器件的方法
200810100701 擦除非易失性存储器元件时用于自我收敛的装置和方法
200810109981 基于纳米粒子的结构及其制造方法
200810109982 电子模块及其制造方法和应用
200810128797 非易失性存储器器件及其驱动方法
200810040423 一种一次写入多次读取的电存储器件及其制备方法
200680045696 具有存储矩阵的电子电路
200810040851 动态相变存储器
200810108832 电阻随机存取存储器装置
200810039607 一种具有掺杂控制层的电阻存储器
200810040850 一种存储介质材料

2008年11月公开
200810096571 存储装置及其制造方法和操作方法
200710106936 存储器单元与其非易失性装置的制造方法
200710138732 一种电荷捕捉式存储器结构及其程序化的方法
200810038906 纳米复合相变材料及其制备方法
200810038907 一种纳米复合相变材料的制备方法

2008年10月公开
200810094078 包括隔离材料层的集成电路
200810092453 非易失性存储装置及其操作方法
200710185796 存储节点及其制造方法,相变存储器件及其制造和操作方法
200810038577 一种可重写无机薄膜电存储器件及其制备方法
200810038578 一次写入多次读取的电存储器件及其制备方法
200810038579 一种可擦写可读出的薄膜型电阻开关器件及其制备方法
200810036619 相变存储器1R1T结构和所使用的驱动电路的设计方法
200710093282 相变存储装置及其制造方法和操作方法
200810091712 半导体结构及其制造方法
200710096882 闪存系统及其控制方法
200710196224 快闪存储器设备及操作其的方法
200810096677 用于相变存储器封装的方法、装置和系统
200810036885 用于制造非挥发性电阻式随机存储器的薄膜材料及方法
200810105175 一种具有稳定阻变特性的材料及阻变存储器
200810105176 一种具有稳定阻变特性的材料及阻变存储器

2008年09月公开
200810009487 内容数据存储装置及其控制方法
200810096348 相变存储器装置
200710185759 相变层及其形成方法,相变存储器件及其制造方法
200710086779 存储单元结构及其操作方法
200810033601 相变存储器单元器件的结构的改进
200810034940 一种管状相变存储器单元结构及制作方法
200810035939 双浅沟道隔离的双极型晶体管选通的相变存储单元及方法
200810035940 使用肖特基二极管为选通管的相变存储单元及制备方法
200680033147 串行闪存装置及其预充电方法
200680033417 具有数据旋转或交织功能的半导体存储装置
200710187393 具有触发元件的存储单元
200810082803 操作非易失性存储装置的方法
200810009750 具有填充侧壁存储元件的相变化存储单元及其制造方法
200810092024 电阻随机存取存储器及其制造方法
200810103803 用于相变存储器的SI-TE-SB系列相变薄膜材料

2008年08月公开
200710180760 具有加热器的相变化储存单元及其制造方法
200810009506 相变存储器件及其制造方法
200810034352 基于硅衬底上的全外延电阻转变多层薄膜、方法及应用
200810005318 具有较低电流相变化元件的存储元件
200810002085 可编程相变材料结构及其形成方法
200810034355 用于相变存储器的粘附层材料及制备方法
200680029620 顺序访问型半导体存储装置的写入保护方法
200810033924 三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法
200710148920 应用于双边偏压非易失性存储器的方法与装置
200710006372 改善电荷捕捉存储单元过擦除效应的方法及其电荷捕捉存储器结构
200710007534 半导体元件与记忆体及其操作方法
200810009438 一种具有共平面电极表面的存储单元装置及其制造方法
200710303534 非易失性存储器件及其制造方法
200810004949 具有侧电极的存储单元

2008年07月公开
200810001100 快闪存储器件和操作该器件的方法
200810008555 相变存储器及其制造方法
200810033917 多层次相变存储阵列与下层外围电路互连的方法
200710007248 相变存储装置及其制造方法
200810032764 一种消除CU_XO电阻存储器形成电压的方法
200680028186 具有切换玻璃层的存储器装置
200710001281 非挥发内存的重置方法
200810009536 相变层及其制造方法和相变存储器件及其制造和操作方法
200810032765 一种减小CU_XO电阻存储器写操作电流的方法
200810032862 用于相变存储器的过渡层
200810033519 用于降低相变存储器单元功耗的氧化物隔热层及实现方法
200680017036 用于控制PCM单元中“首先熔化”区的方法及其获得的器件
200710144164 具有命令/地址管脚的与非闪存以及包括其的闪存系统
200720149748 IC卡
200720149749 射频卡
200710159893 半导体存储装置及其写入控制方法
200610170343 多位准存储单元的操作方法
200610170723 一种电阻式随机存取存储器的存储单元及其制备方法
200680017142 在PCM单元及由其得到的器件中控制“首先熔化”区域的方法

2008年06月公开
200710179340 一种多比特可编程非易失性存储单元及其设计方法
200610168698 相变存储元件及其制造方法
200680020806 包括二极管和电阻切换材料的非易失性存储器单元
200710305769 包括存储不同数量的位的存储单元的多位快闪存储器
200710308183 非易失性存储系统及其相应的编程方法
200610022444 预录制三维存储模块及其播放系统
200710194782 限制功率消耗的存储器
200710305197 含扩散势垒层的存储节点、相变存储器件及其制造方法

2008年05月公开
200710166498 包括选择性刷新操作的电阻式存储器
200710187511 包括双极晶体管存取装置的电阻式存储器
200710192800 一种存储器单元和其装置以及制造方法
200680019324 在顺序写入当中进行校验处理的非易失性的存储器
200680019325 半导体存储装置
200720000439 可提高应用系统效能的读卡装置及应用系统
200710169520 半导体存储器件
200680005605 基于硒化锡的有限可再编程单元
200710089843 非易失性存储器件和从其读取信息的方法
200710199906 多位闪存器件和存储单元阵列
200710153194 包括局部控制栅极的非易失性存储设备及相关方法和设备
200610143309 非易失性存储器及其制造方法与操作方法

2008年04月公开
200610163536 闪速存储器件及其操作方法
200580049548 电子元件、存储装置及半导体集成电路
200710004055 非易失性存储器件及其操作方法
200710100908 减少存储元件间耦合效应的非易失性存储设备和相关方法
200710153200 包括与选择线连接的跨接线的快闪存储器设备

2008年03月公开
200610173268 晶体管非易失性存储器单元及其相关存储器阵列
200680009099 测试装置以及选择装置
200680009100 测试装置和测试方法
200610129075 具分路的闪存装置
200680007285 对具有阻抗滞后元件的存储器矩阵的控制
200680007357 对阻抗滞后元件的存储器矩阵的驱动
200610125700 相变化存储装置及其制造方法

2008年02月公开
200710142508 确定电阻式存储单元的存储状态的方法和装置
200710105006 半导体非易失性存储器
200710154015 一种使用相变存储器的计算机主板快速挂起和恢复装置
200610104157 低干扰性的单闸极非易失性存储器及其操作方法
200610108412 与非门型非挥发性存储器及其制造方法与操作方法
200610108220 多阶非挥发性存储器及其制造方法与操作方法
200710079237 降低储存装置中第二位元效应的装置及其操作方法

2008年01月公开
200610171720 非易失性存储装置及其操作和制造方法
200680003812 柱形相变存储单元
200610169066 存储器晶胞、集成电路
200610164041 包括可变电阻材料的非易失存储器
200710044502 一种高状态比的无机薄膜电双稳器件及其制作方法
200710091903 包括可变电阻材料的非易失存储器件
200710109029 非易失性半导体存储器件
200610090497 非挥发性记忆胞结构以及操作方法

2007年12月公开
200610086430 非挥发性内存的布局结构
200610094108 非易失性存储器的操作方法
200610166930 非易失性存储器件及其操作方法
200710109018 非易失性存储器器件及其方法
200710108209.X 非易失性半导体存储装置以及测试它的方法

2007年11月公开
200610127880.4 非易失性半导体存储器件及其擦除方法和测试方法
200710128829.X 包括伪单元的闪存存储设备
200710003657.3 使用BESONOS元件的次栅AND架构的结构及方法
200710096456.2 采用双极可编程电阻存储元件的非易失存储器结构
200710002210.4 相变化存储装置及其制造方法
200580040979.4 含有包括可编程电阻器的存储单元的集成电路以及用于寻址包括可编程电阻器的存储单元的方法

2007年10月公开
200610142401.6 包括可变电阻材料的非易失存储器件
200610171716.3 非易失性存储器件及其操作和制造方法
200710096022.2 具有非易失存储器的半导体装置及其制造方法
200710001604.8 阻抗存储元件、其操作方法以及使用其的数据处理系统
200580038024.5 使用混合价导电氧化物的存储器
200610066471.8 单闸极的非挥发性内存及其操作方法
200580031602.2 具有可变电阻特性的存储装置的控制
200710089633.4 NAND型非易失性存储器的数据擦除方法
200710091882.7 半导体存储器件和数据发送/接收系统
200610103887.2 具有未掺杂源极与汲极区的陷入储存快闪记忆胞结构

2007年09月公开
200710001812.8 用以制造柱状相变化存储元件的方法
200580036076.9 具有相变存储单元的集成电路和对相变存储单元寻址的方法
200610172554.5 纳米线存储器件及其制造方法
200610170100.4 电阻随机存取存储器装置
200580033927.4 用于匹配具有不同数量将被同时访问的存储体的存储控制器的非易失性存储装置
200710086119.5 半导体存储器件及半导体集成电路系统
200710005307.0 一种单一内嵌多晶硅存储结构及其操作方法
200610132100.5 非易失存储器件和非易失存储器阵列
200610137442.6 采用两个氧化物层的非易失性存储器件

2007年08月公开
200710005001.5 双栅极多位元半导体记忆阵列
200610136107.4 非易失性存储器件及其操作方法
200610004394.3 非易失性存储器及其制造方法与操作方法
200610004397.7 非易失性存储器及其制造方法与操作方法
200610164044.3 用于阈值压控相变随机存取存储器的编程方法
200710002846.9 双栅极非挥发性储存单元、阵列及制造方法与操作方法
200710006228.1 半导体存储装置
200710036454.4 提高脉冲触发电阻式随机存储器抗疲劳特性的方法
200580030829.5 电阻可变存储装置和制造方法
200610064394.2 电可擦除可编程只读存储器及其制造和操作方法
200710002141.7 一种用于辅助电荷存储器器件的阵列结构
200610146334.5 管型相变存储器
200610146335.X 热绝缘相变存储元件及其制造方法
200710007245.7 相变化存储器的垂直侧壁有效引脚结构及其制造方法
200710007282.8 半导体存储装置
200610163183.4 具有公共位线的非易失存储器件

2007年07月公开
200610168825.X 非易失性存储器件、系统及其方法
200610005874.1 非挥发性存储器的抹除方法
200610164074.4 栅控二极管非易失性存储器单元的操作方法
200710002145.5 一种用于辅助电荷存储器阵列的结构
200710084243.8 非易失性存储装置及其制造方法和编程方法
200610168444.1 非易失存储元件及其制造方法
200610170142.8 用以形成可变电阻存储阵列中的自对准热绝缘单元的方法
200580027652.3 电气器件及其制造方法
200580027677.3 测试装置与测试方法
200710001811.3 可编程电阻随机存取存储器及其制造方法
200710001813.2 可编程电阻存储器及其制造方法
200710001635.3 自对准并平坦化的下电极相变化存储器及其制造方法
200710001689.X 半导体元件、半导体存储装置及其制造和数据读写方法
200610172410.X 非易失性存储器件及其制造方法
200610172083.8 具有直径控制的接触的多位相变随机存取存储器(PRAM)及其制造和编程方法
200610168985.4 相变化存储单元及其制造方法
200610156248.2 半导体器件
200610170186.0 半导体器件以及该半导体器件的制造方法

2007年06月公开
200510022912.X 闪存分散写入方法
200610169399.1 操作电荷陷获存储器单元串的方法及装置
200610145277.9 数据擦除方法以及非易失性半导体存储器件的制造方法
200610168972.7 数据读/写装置
200610170067.5 非易失存储元件的制造方法
200610142989.5 信息读取装置和方法、和相关存储介质
200610164059.X 栅控二极管非易失性存储器单元
200610164063.6 栅控二极管非易失性存储器单元阵列
200610163200.4 相可变存储器件及其读取方法
200610172989.X 相变随机存取存储器及控制其读取操作的方法
200610136072.4 非易失性存储器及其操作方法
200610143832.4 存储器结构及其操作方法
200610152836.9 非易失性半导体存储器件及其制造方法
200610147669.9 基于CU_XO的电阻随机可存取存储器及其制备方法

2007年05月公开
200610149269.1 非易失性半导体存储器及为其编程的方法
200610144786.X 具有真空夹层的相变存储器元件
200610149227.8 纳米晶硅量子点存储设备
200510124797.7 用于编程集成电路存储器的方法
200610142909.6 包括有二字线晶体管的磁性存储元件及其方法
200610142554.0 非挥发性存储器及其制造方法与操作方法
200610146360.8 MNOS存储设备及操作MNOS存储设备的方法
200610142902.4 隔离的相变存储器单元及其制造方法
200510115879.5 嵌入式系统的快闪存储器存取方法及存取电路
200610091210.1 具有作为开关单元的晶体管和二极管的非易失性存储器
200610066760.8 可编程存储器单元和操作方法
200610142807.4 基于纳米管的非易失性存储器件
200610142990.8 用于再生存储在存储介质中的信息的装置和方法
200610143922.3 非易失存储元件及其制造方法
200610143921.9 非易失存储元件及其制造方法
200610143924.2 非易失存储元件及其制造方法
200580017632.8 访问相变存储器
200610142556.X 相变存储器件及其操作和制造方法

2007年04月公开
200610142422.8 包括纳米点的非易失性存储器件及其制造方法
200510108649.6 操作串联排列的非易失性存储单元的方法及装置(二)
200510113476.7 操作串联排列的非易失性存储单元的方法及装置(一)
200510113477.1 操作平行排列非易失性存储器的方法及装置
200510108648.1 操作电荷捕捉非易失性存储器的方法及装置
200510108386.9 非挥发性记忆体的操作方法
200610142126.8 半导体存储装置及具备该半导体存储装置的收发系统
200510108094.5 非挥发性记忆体电路及其设定方法
200580011286.2 半导体存储器

2007年03月公开
200510037535.7 闪存介质中的数据多状态管理方法
200610128843.5 每单元二位与非门氮化硅陷获存储器
200580010047.5 半导体非易失性存储电路
200620018504.7 一种读卡器
200510103049.0 适用于可编程元件的静电防护装置
200610132291.5 相变存储装置及其编程方法
200610151788.1 电可重写非易失存储元件及其制造方法

2007年02月公开
200610062286.1 非易失性高速存储单元
200610105867.9 非易失性半导体存储器
200510091964.2 P型通道存储器的操作方法
200510092035.3 P型通道存储器及其操作方法
200610089924.9 薄膜板相变随机存取存储器电路及其制造方法
200610104374.3 存储装置、非易失性存储装置以及微处理系统
200610093746.7 有着一ONO上介电层的非易失性存储器半导体元件
200580002536.6 半导体存储器装置及其控制方法

2007年01月公开
200610076904.8 非易失性半导体存储器件和信号处理系统
200610107497.2 使用重叠位线设置和字线允许间隔编程闪存的方法和电路
200610110018.2 三级非易失半导体存储器设备及其驱动方法
200610110822.0 存储设备以及半导体设备
200610105510.0 半导体存储器
200580001408.X 电阻性存储元件
200510080637.7 埋入式记忆单元结构以及记忆装置的系统结构与操作方法
200510083224.4 具资料显示的闪存储存装置

2006年12月公开
200610093866.7 非易失性半导体存储装置
200510117374.2 记忆胞及其鉴别方法以及记忆体阵列及其检测方法
200610106197.2 编程硅氧化物氮化物氧化物半导体存储器件的方法
200510075213.1 动态调整记忆体芯片操作的方法与量测其ONO层厚度的装置

2006年11月公开
200510136253.2 页缓冲器电路、快闪存储器器件及其编程操作方法
200510073020.2 非挥发性记忆体及其操作方法
200610075413.1 非易失性半导体存储器件
200510099062.3 存取存储器的方法
200510117693.3 反熔丝一次可编程的非易失存储器单元及其制造方法与编程方法
200610077141.9 非易失性半导体存储器及其控制方法
200510065577.1 非挥发性存储器及其操作方法
200510109155.X 集成电路记忆体及其操作方法
200510107005.5 载带和可编程只读存储器的安装方法

2006年10月公开
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2006年09月公开
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2006年08月公开
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2006年07月公开
200510126994.2 非易失存储器件和使用列的子集的编程方法
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200510124160.8 数据记录装置和记录介质的初始化方法
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2006年06月公开
200510119325.2 用于提高数据可靠性的数据管理技术
200510118434.2 快闪存储器数据存储装置
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2006年05月公开
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200510108475.3 非易失性半导体存储器件及其读取方法
200510113722.9 可重写非易失性存储器、电子设备、存储介质及重写方法
200510114582.7 只读存储器及只读存储单元阵列及其编程与擦除方法
200510076566.3 非易失性单元减小功率的编程
200510105320.4 可编程的存储装置和方法
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200510003633.9 闪存系统及其擦除方法
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200510099030.3 非易失性存储器装置

2006年04月公开
200510097637.8 具有应用可变电阻值主动固态电解质材料的内存胞元的内存组件及其制造方法
200510092346.X 非易失性存储设备中使用的行解码器电路
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200510082800.3 一种半导体器件

2006年03月公开
200510091462.X 具有测试数据缓冲器的非易失性存储设备及其测试方法
200520053424.0 一种带存储功能的非接触式感应卡
200510088880.3 非易失性存储装置以及非易失性存储装置的数据写入方法
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200510074230.3 半导体存储装置的数据写入电路以及数据写入方法
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2006年02月公开
200510077895.X 具有快速分页模式确认的集成电路
200510087460.3 带可编程部分的掩模可编程逻辑器件

2006年01月公开
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200510076635.0 具有保密功能的快闪记忆体储存装置
200510080427.8 非易失性存储单元及其阵列
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2005年12月公开
200510074790.9 识别程序化及抹除存储单元中的逻辑信息的方法
200510051070.0 集成电路装置
200510072796.2 非易失性存储器设备

2005年11月公开
200510073510.2 闪存储存系统
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200510005520.2 “与非”闪存装置
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2005年10月公开
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200510062726.9 非易失性半导体存储器及其驱动方法

2005年09月公开
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200510053475.8 用于闪速存储器的数据管理设备和方法
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2005年08月公开
200510009302.6 半导体器件
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200510005256.2 重映射闪速存储器的方法
200510007871.7 非易失性半导体存储器件
200510002488.2 闪速存储器的数据管理设备和方法

2005年07月公开
200510002359.3 用于闪速存储器的数据恢复设备和方法
200510004502.2 半导体装置

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