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分类号为 G11C13/02* 的最新专利
2008年12月 公开
200680027637 编程/擦除波成形控制以增加存储单元的数据保持
2008年10月 公开
200680038600 分子量子存储器
200680039080 纳米级移位寄存器和使用微米级/纳米级移位寄存器的信号解复用
2008年09月 公开
200680035348 存储器存取
200680035573 形状记忆装置
2008年08月 公开
200710186766 存储单元及其制造方法
200810005166 存储装置
2008年07月 公开
200680028186 具有切换玻璃层的存储器装置
200680024973 在纳米电路结构和标准电子部件之间的半导体电子器件中实现电连接的方法
2008年06月 公开
200680020806 包括二极管和电阻切换材料的非易失性存储器单元
2008年04月 公开
200680015957 具有改良的数据保持与降低的功率的电阻式存储装置
200680013948 三维纳米级交叉杆
200680013546 纳米尺度交叉棒的多路复用器接口
2008年02月 公开
200710145527 信息存储元件及其制造方法
200680004305 制备半导体存储器件中电解质材料层的方法
2007年11月 公开
200580042067.0 半导体器件及其制造方法
2007年10月 公开
200580037002.7 具有可调能带带隙的半导体装置
200580037272.8 可印刷的有机永久性被动存储器元件和其制造方法
200580037284.0 可印刷的有机永久性被动存储器元件和其制造方法
2007年09月 公开
200710006391.8 存储器件和操作这种存储器件的方法
200710101601.1 存储单元、存储器及向存储单元写数据的方法
2007年08月 公开
200580022534.3 可切换存储二极管-新存储装置
200710004081.2 有机存储装置及该装置的制造方法
200580025448.8 形成存储层的方法
2007年07月 公开
200580027937.7 具有可变数据保持时间的聚合物存储器
200580027947.0 调整聚合物存储单元的编程阈值的系统及方法
200610156237.4 半导体器件以及半导体器件的制造方法
2007年06月 公开
200580015129.9 在表面上制备氧化还原活性聚合物的方法
200580024044.7 通过由电的在分子和电极之间的分子间或分子内电荷转移而发生电子转换的物质组合物
2007年03月 公开
200580010052.6 在聚合物存储器器件的金属氮化物和金属氧化物电极中产生电子陷阱
200610092400.5 纳米弹性存储装置及其制造方法
2007年02月 公开
200580003411.5 分子存储器件和方法
200580003381.8 变电阻元件和使用其的非易失性存储器
2007年01月 公开
200610084013.7 用于驱动固体电解质单元的方法和设备