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分类号为 G11C13/00* 的最新专利




2008年12月公开
200710110191 有机非易失性存储材料及存储器件
200680046853 非易失性半导体存储器件
200810109981 基于纳米粒子的结构及其制造方法
200810108832 电阻随机存取存储器装置

2008年11月公开
200810098305 存储元件、数据记录方法以及IC标签
200680041290 基于等重码寻址纳米级和混合微米级/纳米级阵列
200680040773 交叉点结构的半导体存储装置

2008年10月公开
200810005124 电阻式存储器装置及电阻式随机存取存储器堆叠结构
200580051863 半导体器件
200580051865 半导体器件及其制造方法
200810025558 含有铱配合物的共轭聚合物及其电存储器件的制备方法

2008年09月公开
200810081086 存储元件及半导体装置以及其制造方法
200810092024 电阻随机存取存储器及其制造方法

2008年08月公开
200810034352 基于硅衬底上的全外延电阻转变多层薄膜、方法及应用
200710303534 非易失性存储器件及其制造方法

2008年07月公开
200680023456 半导体存储装置
200810018850 一种非易失存储器
200610170723 一种电阻式随机存取存储器的存储单元及其制备方法

2008年06月公开
200710194780 自旋玻璃存储单元
200680021571 半导体存储装置

2008年05月公开
200580049865 半导体器件

2008年04月公开
200710165129 可更改的栅堆存储元件
200710165128 碳丝存储器及其制造方法
200680013537 存储装置及半导体集成电路
200680013802 电气元件、存储装置、及半导体集成电路
200710161603 半导体存储器设备以及控制该设备的方法

2008年02月公开
200610121467 相变存储单元结构及其制造方法
200580040575 半导体器件

2008年01月公开
200710136778 存储元件及半导体装置
200680003878 非易失性半导体存储装置及其动作方法
200610164041 包括可变电阻材料的非易失存储器
200710091903 包括可变电阻材料的非易失存储器件
200710002273 非易失性存储单元以及存储器系统
200710042333 基于金属氧化物存储介质的编程单元复用的FPGA器件

2007年11月公开
200710129241.6 存储器驱动电路
200710002210.4 相变化存储装置及其制造方法
200710040829.4 一种电阻存储器的器件单元结构及制作方法

2007年10月公开
200610142401.6 包括可变电阻材料的非易失存储器件
200710096641.1 确定电阻存储单元的电阻状态的电路和方法
200710001604.8 阻抗存储元件、其操作方法以及使用其的数据处理系统
200580037003.1 用于纳米级状态机器、纳米级流水线、以及其他纳米级电子电路的纳米级锁存器和阻抗编码逻辑
200580036324.X 半导体器件

2007年09月公开
200710039404.1 用金属氧化物作为存储介质的非挥发SRAM及其应用
200710001812.8 用以制造柱状相变化存储元件的方法
200580036112.1 半导体器件
200610172554.5 纳米线存储器件及其制造方法
200610170100.4 电阻随机存取存储器装置
200710086119.5 半导体存储器件及半导体集成电路系统
200610132100.5 非易失存储器件和非易失存储器阵列
200610137442.6 采用两个氧化物层的非易失性存储器件

2007年08月公开
200610136107.4 非易失性存储器件及其操作方法
200710036454.4 提高脉冲触发电阻式随机存储器抗疲劳特性的方法
200710007245.7 相变化存储器的垂直侧壁有效引脚结构及其制造方法
200580030115.4 功能元件、存储元件、磁性记录元件、太阳能电池、光电转换元件、发光元件、催化反应装置以及净化单元

2007年07月公开
200610170142.8 用以形成可变电阻存储阵列中的自对准热绝缘单元的方法
200610125691.3 XY平台模块及其制造方法和使用其的存储系统
200710001811.3 可编程电阻随机存取存储器及其制造方法
200710001813.2 可编程电阻存储器及其制造方法
200710001635.3 自对准并平坦化的下电极相变化存储器及其制造方法
200610143558.0 使用多层碳纳米管的非易失碳纳米管存储器及其操作方法
200510135697.4 有机存储器
200510135901.2 有机存储器之位单元
200610172083.8 具有直径控制的接触的多位相变随机存取存储器(PRAM)及其制造和编程方法

2007年06月公开
200610090525.4 用于加工基于悬臂的MEMS/CMOS存储器储存装置的方法
200610168972.7 数据读/写装置
200610138659.9 使用机械开关的存储器阵列、显示装置及它们的控制方法
200610147669.9 基于CU_XO的电阻随机可存取存储器及其制备方法

2007年05月公开
200610149326.6 电可重写非易失存储元件
200610142902.4 隔离的相变存储器单元及其制造方法
200610142556.X 相变存储器件及其操作和制造方法

2007年04月公开
200610142422.8 包括纳米点的非易失性存储器件及其制造方法
200580015902.1 半导体器件

2007年01月公开
200610110822.0 存储设备以及半导体设备
200510136251.3 相变存储设备以及对其进行编程的方法

2006年11月公开
200610079907.7 存储器件和半导体器件

2006年08月公开
200610024251.9 一种制作相变存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺

2006年07月公开
200510002724.0 一种相变化存储器及其制造方法

2006年06月公开
200510116085.0 用于使用WMRM存储器实现可靠的WORM存储器的系统和方法

2006年05月公开
200510107038.X 存储器件和半导体器件
200510114006.2 存储器件和半导体器件
200510107643.7 存储装置及半导体装置

2006年03月公开
200510089639.2 采用控制电流方法的相变存储元件驱动电路及其控制方法

2006年02月公开
200510077929.5 相变存储器和使用连续复位控制编程相变存储器的方法
200510026502.2 相变存储单元阵列写电流的对称位线补偿方法

2006年01月公开
200510026409.1 以比值为状态导向的存储方式及电路

2005年11月公开
200510069728.0 存储器件
200510071683.0 编程相变型存储器阵列到置位状态的方法及存储器件电路

2005年09月公开
200510004329.6 有机聚合物存储元件
200510006246.0 相变存储器件和写相变存储器件的方法

2005年08月公开
200510009302.6 半导体器件